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级联硅双极
MMIC放大器
技术参数
MSA - 0435 , -0436
特点
•可级联50
增益模块
•3 dB带宽:
DC至3.8 GHz的
• 12.5 dBm的典型P
1分贝
at
1.0 GHz的
• 8.5分贝典型增益
1.0 GHz的
•无条件稳定
(k>1)
•性价比高陶瓷
微带套餐
设计用作一个一般
目标50
增益模块。典型
应用包括狭窄,
宽带IF和RF放大器
在工业和军事应用
系统蒸发散。
该MSA系列是使用制造
HP的10 GHz的˚F
T
25 GHz的˚F
最大
,
硅双极MMIC工艺
它采用氮化物自对准,
离子注入,黄金metalli-
矩阵特殊积达到优
性能,均匀性和
可靠性。使用外部的
偏置电阻器的温度和
目前的稳定也允许偏差
灵活性。
可在切割引线型
(包36 )的MSA - 0436 。
35微-X包
[1]
注意:
1.
短引线36封装
根据要求提供。
描述
该MSA - 0435是一款高perfor-
曼斯硅双极单片
微波集成电路
( MMIC)容纳在具有成本效益的,
微带包。这是MMIC
典型的偏置CON组fi guration
R
BIAS
V
CC
> 7 V
RFC (可选)
4
C
3
IN
1
MSA
C
OUT
V
d
= 5.25 V
2
5965-9575E
6-330
MSA - 0435 , -0436绝对最大额定值
参数
器件的电流
功耗
[2,3]
RF输入功率
结温
储存温度
[4]
绝对最大
[1]
百毫安
650毫瓦
+13 dBm的
200°C
-65 ℃〜200℃
热阻
[2,5]
:
θ
jc
= 140∞C / W
注意事项:
如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。
2. T
= 25°C.
3.减免为7.1毫瓦/°C,对于T
C
& GT ; 109 ℃。
4.存储超过+ 150 ° C可以玷污这个包使得它的引线
难于焊接到电路。
5.此技术产生一个小的光斑尺寸更高,尽管更
准确测定的Q
jc
比其他方法。见测量
MENTS节“热阻”的详细信息。
电气规格
[1]
, T
A
= 25°C
符号
G
P
∆G
P
f
3分贝
VSWR
NF
P
1分贝
IP
3
t
D
V
d
dv / dt的
参数和测试条件:我
d
= 50毫安,Z
O
= 50
功率增益( | S
21
|
2
)
增益平坦度
3 dB带宽
输入VSWR
输出VSWR
50
噪声系数
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点
群时延
器件电压
器件电压温度系数
F = 0.1〜2.5千兆赫
F = 0.1〜2.5千兆赫
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 0.1 GHz的
F = 0.1〜2.5千兆赫
单位
dB
dB
GHz的
分钟。
7.5
典型值。
8.5
±
0.6
3.8
1.4:1
1.9:1
马克斯。
9.5
±
1.0
dB
DBM
DBM
皮秒
V
毫伏/°C的
4.75
6.5
12.5
25.5
125
5.25
–8.0
5.75
注意:
1.推荐的工作电流范围为这个设备是30〜70毫安。典型表现为电流的函数
是下页。
产品型号订购信息
产品型号
MSA-0435
MSA-0436-BLK
MSA-0436-TR1
设备号
10
100
1000
集装箱
防静电袋
7"卷轴
欲了解更多信息,请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件” 。
6-331
MSA - 0435 , -0436典型的散射参数(Z
O
= 50
Ω,
T
A
= 25 ° C,I
d
= 50 mA)的
频率。
GHz的
S
11
MAG
dB
S
21
MAG
dB
S
12
MAG
MAG
S
22
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
.08
.08
.07
.07
.05
.05
.04
.09
.14
.22
.28
.34
.37
.42
175
172
171
166
169
175
–142
–145
–154
–175
170
156
140
120
8.5
8.5
8.5
8.5
8.4
8.3
8.1
7.8
7.3
6.6
5.8
4.8
3.9
3.0
2.67
2.68
2.67
2.66
2.64
2.61
2.55
2.46
2.33
2.14
1.94
1.74
1.57
1.41
175
170
161
151
142
136
109
87
71
50
32
15
–1
–16
–16.4
–16.3
–16.4
–16.2
–16.1
–16.0
–15.0
–14.2
–13.1
–12.5
–11.7
–11.3
–10.7
–10.4
.151
.153
.151
.155
.156
.159
.178
.196
.221
.238
.260
.271
.291
.302
1
2
3
6
8
10
13
15
18
14
9
4
–2
–8
.20
.20
.20
.21
.22
.24
.26
.28
.31
.33
.35
.34
.33
.32
–10
–16
–33
–45
–57
–68
–96
–123
–140
–160
–173
–179
–171
–160
可在设备型号部分的模型此设备。
典型性能,T
A
= 25°C
(除非另有说明)
12
10
60
8
6
4
20
2
0
0
1
2
3
4
V
d
(V)
5
6
7
5
0.1 GHz的
1.0 GHz的
2.0 GHz的
20
30
40
50
I
d
(MA )
60
70
G
p
( dB)的
I
d
= 70毫安
P
1分贝
( dBm的)
15
12
9
NF( dB)的
6
3
0.1
I
d
= 30毫安
6.0
I
d
= 30毫安
I
d
= 50毫安
I
d
= 70毫安
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0
4.0
NF( dB)的
0.5
1.0
2.0
4.0
I
d
= 50毫安
6.5
0.2 0.3
频率(GHz )
G
p
( dB)的
I
d
(MA )
增益平坦直流
7
80
T
C
= +125°C
T
C
= +25°C
T
C
= –55°C
9
8
40
6
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
4
频率(GHz )
图1.典型的功率增益与
频率,T
A
= 25 ° C,I
d
= 50 mA的电流。
图2.设备电流与电压。
图3.功率增益与电流。
13
P
1分贝
( dBm的)
12
11
10
9
G
p
( dB)的
8
7
6
5
–55
–25
+25
NF
G
P
8
7
6
+85
5
+125
P
1分贝
21
18
7.5
7.0
5.5
温度(℃)
频率(GHz )
图4.输出功率为1 dB增益
压缩, NF和功率增益与
外壳温度, F = 1.0千兆赫,
I
d
=50mA.
图5.输出功率为1 dB增益
压缩与频率。
图6.噪声系数与频率的关系。
6-332
35微-X封装尺寸
.085
2.15
4
0.083 DIA 。
2.11
RF输出
和偏置
3
.020
.508
2
注意事项:
(除非另有规定编)
1.尺寸单位:
mm
2.公差
在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
1
.057
±
.010
1.45
±
.25
.100
2.54
.022
.56
.455
±
.030
11.54
±
.75
.006
±
.002
.15
±
.05
A04
RF输入
6-333
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