电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
M5LV-256/104-12YI  TPM10105  TPL10215  TPM05112  TPM05112  TPM10105C  TPM05215  TPL10212  TPI12011N  IRKC56/10A  
BCP020T 高效异质结功率FET芯片 (HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP)
.型号:   BCP020T
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 高效异质结功率FET芯片
HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP
文件大小 :   621 K    
页数 : 5 页
Logo:   
品牌   BEREX [ BEREX CORPORATION ]
购买 :   
  浏览型号BCP020T的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号BCP020T的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号BCP020T的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号BCP020T的Datasheet PDF文件第5页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
BCP020T
高效异质结功率FET芯片( .25μm X为200μm )
该BeRex BCP020T是GaAs pHEMT的功率与标称0.25微米栅极长度和200微米的栅极宽度
使得该产品非常适用于需要高增益和中等功率在1000 MHz至26.5
GHz的频率范围内是必需的。该产物可在任一宽带( ​​6-18千兆赫)或窄带被用于
应用程序。该BCP020T使用本领域的金属化用的SI的状态产生
3
N
4
钝化和过筛以
确保可靠性。
产品特点
24 dBm的典型输出功率
14分贝典型增益@ 12 GHz的
0.25× 200微米嵌入式门
应用
广告
军事/高可靠性。
测试测量&
电特性(调整为动力)T
a
= 25° C
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
I
DSS
G
m
V
p
BV
gd
BV
gs
R
th
参数/测试条件
输出功率@ P
1dB
(V
ds
= 8V ,我
ds
= 50%
I
DSS
)
增益@ P
1dB
(V
ds
= 8V ,我
ds
= 50% I
DSS
)
PAE @ P
1dB
(V
ds
= 8V ,我
ds
= 50% I
DSS
)
50欧姆的噪声系数(V
ds
= 2V ,我
ds
= 10毫安
饱和漏极电流(V
gs
= 0V, V
ds
= 3V)
跨导(V
ds
= 3V, V
gs
= 50% I
DSS
)
夹断电压(I
ds
= 0.3毫安, V
ds
= 3V)
漏击穿电压(I
g
= 0.6毫安,开放源码)
源极击穿电压(I
g
= 0.6毫安,开漏)
热电阻(的Au-Sn共晶附在后面)
-2.5
TEST
频率。
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
40
分钟。
22.5
12.0
典型
24.0
24.0
14.0
12.0
60
55
1.09
60
80.0
-1.1
-15
-13
160
-0.5
-12
80
马克斯。
单位
DBM
dB
%
dB
mA
mS
V
V
V
° C / W
www.berex.com
BeRex ,公司1735北1街# 302圣何塞,加利福尼亚95112电话。 ( 408 ) 452-5595
规格若有变更,恕不另行通知。 © 2011 BeRex
修订版1.2
st
2011年9月
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7