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1N5420LEADFREE

更新时间：2025-07-05 13:02:44
品牌：CENTRAL
描述：Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN

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1N5420LEADFREE 概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN 整流二极管

1N5420LEADFREE 规格参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.14Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：E-LALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：3 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.4 µs
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

1N5420LEADFREE 数据手册

通过下载1N5420LEADFREE数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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1N5419  
1N5420  
www.centralsemi.com  
FAST RECOVERY GLASS  
PASSIVATED SILICON RECTIFIER  
3 AMP, 500 AND 600 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5419 and  
1N5420 are Silicon Rectifiers mounted in a hermetically  
sealed, glass passivated package, designed for general  
purpose applications where fast reverse recovery times  
and high reliability are required.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
GPR-4AM CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
1N5419  
1N5420  
UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
500  
600  
V
RRM  
V
500  
350  
600  
420  
V
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
R(RMS)  
Average Forward Current (T =55°C)  
I
3.0  
80  
A
A
O
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms  
I
A
FSM  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature  
-65 to +200  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V =Rated V  
1.0  
µA  
R
R
R
R
RRM  
RRM  
RRM  
V =Rated V  
, T =100°C  
20  
µA  
mA  
V
R
A
V =Rated V  
, T =175°C  
2.0  
1.1  
1.5  
R
A
V
I =3.0A  
F
F
F
V
I =9.0A  
V
F
BV  
I =50µA (1N5419)  
550  
660  
V
R
R
R
BV  
I =50µA (1N5420)  
V
R
C
C
V =12V, f=1.0MHz (1N5419)  
110  
100  
250  
400  
pF  
pF  
ns  
ns  
J
J
R
V =12V, f=1.0MHz (1N5420)  
R
t
t
I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A (1N5419)  
rr  
rr  
F
R
rr  
I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A (1N5420)  
F
R
rr  
R2 (11-April 2011)  
1N5419  
1N5420  
FAST RECOVERY GLASS  
PASSIVATED SILICON RECTIFIER  
3 AMP, 500 AND 600 VOLTS  
GPR-4AM CASE - MECHANICAL OUTLINE  
R2 (11-April 2011)  
www.centralsemi.com  

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型号 制造商 描述 价格 文档
1N5420TR CENTRAL Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, 获取价格
1N5420TRLEADFREE CENTRAL Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, 获取价格
1N5420US MICROSEMI VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 获取价格
1N5420US SENSITRON HIGH CURRENT AXIAL LEAD/SURFACE MOUNT RECTIFIERS 获取价格
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1N5420X MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, 获取价格
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