CPD80V-CMLD2004-WS [CENTRAL]
Rectifier Diode,;
| 型号： | CPD80V-CMLD2004-WS |
| 厂家： | 
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 描述： | Rectifier Diode, |
| 文件： | 总2页 (文件大小：395K) |
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PROCESS CPD80V
Switching Diode
High Voltage Switching Diode Chip
PROCESS DETAILS
Process
EPITAXIAL PLANAR
Die Size
16 x 16 MILS
7.1 MILS
Die Thickness
Anode Bonding Pad Area
Top Side Metalization
Back Side Metalization
6.5 x 6.5 MILS
Al - 30,000Å
Au-As - 13,000Å
GEOMETRY
GROSS DIE PER 5 INCH WAFER
64,704
PRINCIPAL DEVICE TYPES
CMPD2003
CMPD2004
CMPD2005
1N3070
CMDD2004
CMSD2004
CMOD2004
CMXD2004
CMLD2004
BACKSIDE CATHODE
R3 (22-March 2010)
www.centralsemi.com
PROCESS CPD80V
Typical Electrical Characteristics
R3 (22-March 2010)
www.centralsemi.com
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