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MTB55N03N3 30V N沟道逻辑电平增强模式MOSFET (30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET)
.型号:   MTB55N03N3
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描述: 30V N沟道逻辑电平增强模式MOSFET
30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET
文件大小 :   343 K    
页数 : 7 页
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品牌   CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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100%
CYStech电子股份有限公司
30V N沟道逻辑电平增强模式MOSFET
规格。编号: C723N3
发行日期: 2009.06.12
修订日期:
页页次: 1/7
MTB55N03N3
特点
V
DS
=30V
R
DS ( ON)
=55m
Ω
@V
GS
= 10V ,我
D
=3.5A
R
DS ( ON)
=85m
Ω
@V
GS
= 4.5V ,我
D
=2A
低栅极电荷
无铅引脚电镀和无卤素封装
BV
DSS
R
DSON (最大)
I
D
30V
55mΩ
3.5A
等效电路
MTB55N03N3
概要
SOT-23
D
G:门
S:源
D:漏
S
G
绝对最大额定值
( TC = 25℃ ,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
T
A
=25°C
T
A
=70°C
热阻,结到环境
工作结温和存储温度
功耗
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
日,J -A
TJ , TSTG
范围
30
±20
3.5
2.4
14
(注1和2 )
1.5
(注3)
1
(注3)
100
(注3)
-55 ~ +175
单位
V
V
A
A
W
° C / W
°C
注:1,脉冲宽度有限的最高结温
2.占空比
1%
3.表面安装在1平方英寸FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候270 ° C / W 。铜垫
MTB55N03N3
CYStek产品规格
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