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CYStech电子股份有限公司
30V N沟道逻辑电平增强模式MOSFET
规格。编号: C723N3
发行日期: 2009.06.12
修订日期:
页页次: 1/7
MTB55N03N3
特点
V
DS
=30V
R
DS ( ON)
=55m
Ω
@V
GS
= 10V ,我
D
=3.5A
R
DS ( ON)
=85m
Ω
@V
GS
= 4.5V ,我
D
=2A
低栅极电荷
无铅引脚电镀和无卤素封装
BV
DSS
R
DSON (最大)
I
D
30V
55mΩ
3.5A
等效电路
MTB55N03N3
概要
SOT-23
D
G:门
S:源
D:漏
S
G
绝对最大额定值
( TC = 25℃ ,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
T
A
=25°C
T
A
=70°C
热阻,结到环境
工作结温和存储温度
功耗
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
日,J -A
TJ , TSTG
范围
30
±20
3.5
2.4
14
(注1和2 )
1.5
(注3)
1
(注3)
100
(注3)
-55 ~ +175
单位
V
V
A
A
W
° C / W
°C
注:1,脉冲宽度有限的最高结温
2.占空比
1%
3.表面安装在1平方英寸FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候270 ° C / W 。铜垫
MTB55N03N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
电气特性
(T
A
= 25 ℃,除非另有规定)
符号
STATIC
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
DON
1
*R
DS ( ON)
1
*G
FS
1
动态
西塞
科斯
CRSS
*t
D(上)
1 2
*t
r
1 2
*t
D(关闭)
1 2
*t
f
1 2
* QG
1 2
* QGS
1 2
*的Qgd
1 2
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
3
V
SD
1
1
2
3
规格。编号: C723N3
发行日期: 2009.06.12
修订日期:
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分钟。
30
1
-
-
-
3.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.5
-
-
-
-
45
65
5
319
66
53
8
2.5
20
5
6
0.8
1.8
-
-
-
马克斯。
-
3
±100
1
10
-
55
85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
8
1.2
单位
V
V
nA
μA
μA
A
S
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250μA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=±20V, V
DS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
DS
=20V, V
GS
= 0 , TJ = 125°C
V
DS
=5V, V
GS
=10V
I
D
= 3.5A ,V
GS
=10V
I
D
= 2A ,V
GS
=4.5V
V
DS
= 5V ,我
D
=3.5A
pF
V
DS
=10V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
ns
V
DS
= 10V ,我
D
=1A,V
GS
=10V,
R
G
=6
Ω
nC
V
DS
= 10V ,我
D
= 3.5A ,V
GS
=4.5V
A
V
I
F
=I
S
, V
GS
=0V
脉冲测试:脉冲width≤300μs ,职务cycle≤2 %
独立工作温度
脉冲宽度有限的最高结温
订购信息
设备
MTB55N03N3
SOT-23
(无铅)
航运
3000个/带卷&
记号
10
MTB55N03N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
规格。编号: C723N3
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CYStek产品规格
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特性曲线(续)
规格。编号: C723N3
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CYStek产品规格
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REEL DIMENSION
规格。编号: C723N3
发行日期: 2009.06.12
修订日期:
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载带尺寸
MTB55N03N3
CYStek产品规格
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    MTB55N03N3
    应用领域和描述

    30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET
    30V N沟道逻辑电平增强模式MOSFET

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