BAS70-06 [DIOTEC]
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes; 表面贴装肖特基势垒单/双二极管
| 型号： | BAS70-06 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：76K) |
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BAS70 ...-04 ...-05 ...-06
Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/ Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2004-04-09
Power dissipation
Verlustleistung
310 mW
40 V
2.9±0.1
3
1.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
0.4
Type
Code
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
2
1
1.9
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings (TA = 25/C)
Grenzwerte (TA = 25/C)
BAS70-series
per diode / pro Diode
Ptot
Power dissipation – Verlustleistung
310 mW 1)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV
200 mA 1)
300 mA 1)
500 mA
70 V
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
IFSM
Peak forward surge current tp # 1 s
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
150/C
TS
- 55…+ 150/C
Characteristics (Tj = 25/C)
Kennwerte (Tj = 25/C)
Forward voltage - Durchlaßspannung 2)
IF = 1 mA
IF = 15 mA
VF
VF
< 410 mV
< 1000 mV
Leakage current - Sperrstrom 2)
VR = 50 V
IR
< 100 nA
1
2
)
)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
Tested with pulses tp = 300 : s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 : s, Schaltverhältnis # 2%
1
Schottky-Diodes
BAS70 ...-04 ...-05 ...-06
Characteristics (Tj = 25/C)
Kennwerte (Tj = 25/C)
Max. junction Capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
trr
2 pF
Reverse recovery time - Sperrverzug
< 5 ns
IF = 10 mA über / through IR = 10 mA bis / to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
400 K/W 3)
Outline – Gehäuse
Pinning – Anschlußbelegung
Marking – Stempelung
BAS70 = 73
3
Single diode – Einzeldiode
1 = A 2 = n.c. 3 = K
1
1
1
1
2
2
2
2
3
3
3
Double diode, series connect.
Doppeldiode, Reihenschaltung
BAS70-04 = 74
BAS70-05 = 75
BAS70-06 = 76
1 = A1 2 = K2 3 = K1 / A2
Double diode, common cathode
Doppeldiode, gemeins. Katode
1 = A1 2 = A2 3 = K1 / K2
Double diode, common anode
Doppeldiode, gemeins. Anode
1 = K1 2 = K2 3 = A1 / A2
3
)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
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