BC808W [DIOTEC]

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors; 表面贴装硅外延PlanarTransistors


型号：	BC808W
厂家：	DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述：	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors 表面贴装硅外延PlanarTransistors 晶体小信号双极晶体管光电二极管
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BC 807W / BC 808W

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

225 mW

SOT-323

±0.1

Plastic case

0.3

Kunststoffgehäuse

Type

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Code

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.3

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 807W

BC 808W

25 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

B open

B shorted - V_CES

E open

C open

- V_CE0

45 V

50 V

30 V

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

5 V

225 mW ¹)

500 mA

1000 mA

200 mA

1000 mA

150ꢀC

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- I_C

- I_CM

- I_BM

I_EM

T_j

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V_CE= 1 V, - I_C= 100 mA

- V_CE= 1 V, - I_C= 500 mA

h_FE

100

–

600

–

BC807W

BC808W

Group -16W h_FE

Group -25W h_FE

Group -40W h_FE

100

160

250

160

250

400

250

400

600

- V_CE= 1 V, - I_C= 100 mA

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

General Purpose Transistors

BC 807W / BC 808W

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Min.

Typ.

Max.

0.7 V

1.3 V

1.2 V

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspg.

- I_C= 500 mA, - I_B= 50 mA

- V_CEsat

–

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung

- I_C= 500 mA, - I_B= 50 mA

- V_BEsat

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung

- V_CE= 1 V, - I_C= 500 mA

- V_BE

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 20 V

- I_CB0

–

100 nA

5 ꢀA

I_E= 0, - V_CB= 20 V, T_j= 150ꢀC

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, - V_EB= 4 V

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 mA, f = 50 MHz

- I_EB0

f_T

–

100 nA

–

80 MHz 100 MHz

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

- V_CB= 10 V, I_E= i_e= 0, f = 1 MHz

C_CB0

–

10 pF

–

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

620 K/W ¹)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Recommended complementary NPN transistors

Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren

BC 817W / BC 818W

BC 807-16W = 5A BC 807-25W = 5B BC 807-40W = 5C

BC 807W = 5D

Marking of available current gain

groups per type

Stempelung der lieferbaren Strom

verstärkungsgruppen pro Typ

BC 808-16W = 5E BC 808-25W = 5F

BC 808W = 5H

BC 808-40W = 5G

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

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