BC848B [DIOTEC]

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors; 表面贴装硅外延PlanarTransistors


型号：	BC848B
厂家：	DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述：	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors 表面贴装硅外延PlanarTransistors
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BC 846 ... BC 850

NPN

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 846

65 V

80 V

BC 847/850 BC 848/849

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

45 V

50 V

30 V

6 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

I_BM

- I_EM

T_j

200 mA

150ꢀC

- 65…+ 150ꢀC

T_S

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 5 V, I_C= 10 ꢀA

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Kleinsignal-Stromverstärkung

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

General Purpose Transistors

BC 846 ... BC 850

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung ¹)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

V_CEsat

–

90 mV

200 mV

250 mV

600 mV

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ¹)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ¹)

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

V_BEsat

–

700 mV

900 mV

–

V_BEon

580 mV

–

660 mV

–

700 mV

770 mV

V_CE= 5 V, I_C= 10 mA

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, V_CB= 30 V

I_E= 0, V_CB= 30 V, T_j= 150ꢀC

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, V_EB= 5 V

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

V_CE= 5 V, I_C= 10 mA, f = 100 MHz

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

V_CB= 10 V, I_E= i_e= 0, f = 1 MHz

Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität

V_EB= 0.5 V, I_C= i_c= 0, f = 1 MHz

Noise figure – Rauschzahl

I_CB0

–

15 nA

5 ꢀA

I_EB0

f_T

–

100 nA

100 MHz

–

6 pF

–

C_CB0

–

3.5 pF

9 pF

C_EB0

BC 846...

V_CE= 5 V, I_C= 200 ꢀA

R_G= 2 kꢁ, f = 1 kHz,

ꢂf = 200 Hz

–

2 dB

10 dB

4 dB

BC 848

1.2 dB

BC 849/850

_CE= 5 V, I_C= 200 ꢀA

BC 849

BC 850

–

1.4 dB

4 dB

3 dB

R_G= 2 kꢁ, f = 1 kHz,

f = 30 ... 15000 Hz

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

420 K/W ²)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BC 856 ... BC 860

BC 846A = 1A

BC 847A = 1E

BC 848A = 1J

BC 846B = 1B

Marking of available current gain

groups per type

BC 847B = 1F

BC 848B = 1K

BC 849B = 2B

BC 850B = 2F

BC 847C = 1G

BC 848C = 1L

BC 849C = 2C

BC 850C = 2G

Stempelung der lieferbaren Strom-

verstärkungsgruppen pro Typ

)

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

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