GBU10B [DIOTEC]

Bridge Rectifier Diode,;


型号：	GBU10B
厂家：	DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述：	Bridge Rectifier Diode,
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GBU10A ... GBU10M

I_FAV= 10 A

V_F< 1.0 V

T_jmax= 150°C

V_RRM= 50...1000 V

I_FSM= 220/240 A

GBU10A ... GBU10M

Single Phase Bridge Rectifier

Einphasen-Brückengleichrichter

t_rr

~ 1500 ns

Version 2020-02-17

Typical Application

50/60 Hz Mains Rectification,

Typische Anwendung

50/60 Hz Netzgleichrichtung,

Stromversorgungen

GBU

Power Supplies

Commercial grade ¹)

Standardausführung ¹)

21.5^±0.7

3.6^±0.2

3.4^±0.1

Features

Besonderheit

Montage freistehend oder

auf Kühlkörper

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien ¹)

For free-standing or

heatsink assembly

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals ¹)

GBU ...

–

Mechanical Data ¹)

Mechanische Daten ¹)

2.2

0.5^+0.1

1.8^+0.7

1.8^+0.2

Bulk in cardboard trays

Suffix -T: packed in tubes

1000

20/1000

Lose in Einlagekartons

Suffix -T: verpackt in Stangen

+0.2

- 0.1

1.1

Weight approx.

Case material

3.8 g

Gewicht ca.

Gehäusematerial

5.08

UL 94V-0

Dimensions - Maße [mm]

Solder & assembly conditions 260°C/10s

MSL N/A

Löt- und Einbaubedingungen

Maximum ratings ²)

Grenzwerte ²)

Type

Typ

Max. alternating input voltage

Max. Eingangswechselspannung

V_VRMS[V] ³)

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V] ⁴)

GBU10A

GBU10B

GBU10D

GBU10G

GBU10J

GBU10K

GBU10M

100

200

400

600

800

1000

140

280

420

560

700

Max. rectified output current free standing

Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend

R-load

C-load

7.0 A ⁵)

T_A= 40°C

I_FAV

6.2 A ⁵)

Max. rectified current with cooling fin 300 cm²

Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm²

R-load

C-load

10.0 A

8.0 A

T_C= 100°C

f > 15 Hz

I_FAV

I_FRM

I_FSM

Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom

50 A ⁵)

Peak forward surge current

Stoßstrom in Fluss-Richtung

Half sine-wave

Sinus-Halbwelle

50 Hz (10 ms)

60 Hz (8.3 ms)

220 A

240 A

Rating for fusing – Grenzlastintegral

t < 10 ms

i²t

200 A²s

Junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur

T_j/S

-50...+150°C

Admissible mounting torque

Zulässiges Anzugsdrehmoment

9 ± 10% lb.in.

1 ± 10% Nm

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

T_A= 25°C unless otherwise specified – T_A= 25°C wenn nicht anders angegeben

Eventual superimposed voltage peaks must not exceed V_RRM– Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen V_RRMnicht überschreiten

Valid per diode – Gültig pro Diode

Leads kept at ambient temperature in 5 mm distance from case – Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf T_Agehalten

http://www.diotec.com/

GBU10A ... GBU10M

Characteristics

Kennwerte

Forward voltage – Durchlass-Spannung

T_j= 25°C

I_F= 5 A

I_F= 10 A

< 1.0 V ¹)

V_F

< 1.1 V ¹)

Leakage current – Sperrstrom

V_R= V_RRM

I_R

t_rr

C_j

< 5 µA ¹)

typ. 1500 ns ¹)

120 pF ¹)

Reverse recovery time – Sperrverzug

I_F= 0.5 A through/über I_R= 1 A to I_R= 0.25 A

Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität

V_R= 4 V

Typical thermal resistance junction to ambient (per device)

Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)

R_thA

R_thC

18 K/W ²)

Typical thermal resistance junction to case (per device)

Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)

2.7 K/W

Type

Typ

Recomm. protective resistance

Admiss. load capacitor at R_t

Zul. Ladekondensator mit R_t

C_L[µF] ⁴)

Empf. Schutzwiderstand

R_t³⁾

R_t[Ω] ³)

0.25

0.5

GBU10A

GBU10B

GBU10D

GBU10G

GBU10J

GBU10K

GBU10M

20000

10000

5000

2500

1500

1000

800

1.0

C_L

2.0

3.0

4.0

5.0

10³

120

[%]

[A]

10²

100

T_j= 125°C

T_j= 25°C

I_F

I_FAV

270a-(12a-1v)

10^-1

0.4

1.0

1.4

V_F0.8

1.2

[V] 1.8

T_C

100

150

[°C]

Rated forward current vs. temp. of the case

Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet

Valid per diode – Gültig pro Diode

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

R_t= V_RRM/ I_FSM

C_L= 5 ms / R_t

R_tis the equivalent resistance of any protective element which ensures that I_FSMis not exceeded

R_tist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von I_FSMverhindert

If the R_tC_Ltime constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, C_Lcan be charged completely in a

single half wave of the mains. Hence, I_FSMoccurs as a single pulse only!

Falls die R_tC_LZeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann C_Linnerhalb einer einzigen

Netzhalbwelle komplett geladen werden. I_FSMtritt dann nur als Einzelpuls auf!

http://www.diotec.com/

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