KBPC2500I_09 [DIOTEC]
Silicon-Bridge-Rectifiers; 硅桥式整流器型号: | KBPC2500I_09 |
厂家: | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
描述: | Silicon-Bridge-Rectifiers |
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KBPC2500I ... KBPC2510I
KBPC2500I ... KBPC2510I
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2009-06-09
Nominal current
Nennstrom
25 A
28.6±0.2
7.3
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
35...700 V
Ø 5.2
Case – Gehäuse
28.6 x 28.6 x 7.3 [mm]
17 g
+
~
~
Weight approx. – Gewicht ca.
=
=
2.0±0.5
Ø 1.2
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
5
5
5
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
KBPC2500I
KBPC2501I
KBPC2502I
KBPC2504I
KBPC2506I
KBPC2508I
KBPC2510I
35
70
50
100
200
400
600
800
1000
140
280
420
560
700
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
IFRM
IFSM
IFSM
i2t
60 A 2)
270 A
Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
300 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
375 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
KBPC2500I ... KBPC2510I
Characteristics
Kennwerte
1
Max. current with cooling fin 300 cm²
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
25 A
20 A
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm²
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 12.5 A
VR = VRRM
VF
< 1.2 V 2)
IR
< 25 µA
Isolation voltage terminals to case
VISO
> 2500 V
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Thermal resistance junction to case
RthC
< 2.0 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
10-32 UNF
M5
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
102
120
[%]
[A]
10
100
Tj = 125°C
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
IF
20
IFAV
0
270a-(12a-1.2v)
10-2
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
2
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
Valid per diode – Gültig pro Diode
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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