KBPC2502IP [DIOTEC]

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 200V V(RRM), Silicon, 28.50 X 28.50 MM, 10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4;


型号：	KBPC2502IP
厂家：	DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述：	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 200V V(RRM), Silicon, 28.50 X 28.50 MM, 10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4 局域网二极管
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KBPC2500IP ... KBPC2510IP

Silicon-Bridge-Rectifiers

Silizium-Brückengleichrichter

Version 2007-11-05

Nominal current

Nennstrom

25 A

10^±0.2

28.5^±0.2

Ø 5.2

Alternating input voltage

Eingangswechselspannung

35...700 V

Plastic case – Plastikgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

28.5 x 28.5 x 10 [mm]

17 g

1.2

2.0^±0.5

Compound has classification UL94V-0

Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging bulk

Standard Lieferform lose im Karton

Dimensions - Maße [mm]

Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067

Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Max. alternating input voltage

Max. Eingangswechselspannung

V_VRMS[V]

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V] ¹)

KBPC2500IP

KBPC2501IP

KBPC2502IP

KBPC2504IP

KBPC2506IP

KBPC2508IP

KBPC2510IP

100

200

400

600

800

1000

140

280

420

560

700

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FRM

I_FSM

i²t

60 A ²)

270 A

Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle

300 A

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

375 A²s

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+150°C

Valid per diode – Gültig pro Diode

Valid, if the temperature of the case is kept to T_C= 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf T_C= 120°C gehalten wird

http://www.diotec.com/

KBPC2500IP ... KBPC2510IP

Characteristics

Kennwerte

Max. current with cooling fin 300 cm²

T_A= 50°C

R-load

C-load

I_FAV

25 A

20 A

Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm²

Forward voltage – Durchlass-Spannung

Leakage current – Sperrstrom

T_j= 25°C

I_F= 12.5 A

V_R= V_RRM

V_F

< 1.2 V ²)

I_R

< 25 µA

Isolation voltage terminals to case

V_ISO

> 2500 V

Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse

Thermal resistance junction to case

R_thC

< 2.0 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse

Admissible torque for mounting

Zulässiges Anzugsdrehmoment

10-32 UNF

18 ± 10% lb.in.

2 ± 10% Nm

10²

120

[%]

[A]

100

T_j= 125°C

T_j= 25°C

10^-1

I_F

I_FAV

270a-(12a-1.2v)

10^-2

0.4

1.0

1.4

V_F0.8

1.2

[V] 1.8

T_A

100

150

[°C]

Rated forward current versus ambient temperature¹)

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.¹)

Valid, if the temperature of the case is kept to T_C= 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf T_C= 120°C gehalten wird

Valid per diode – Gültig pro Diode

http://www.diotec.com/

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