MMFTN123-Q [DIOTEC]
Small Signal Field-Effect Transistor,;
| 型号： | MMFTN123-Q |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Small Signal Field-Effect Transistor, |
| 文件： | 总2页 (文件大小：139K) |
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MMFTN123
VDS = 100 V
Ptot = 360 mW
MMFTN123
ID
= 170 mA
RDS(on)1 < 6 Ω
Tjmax
N-Channel Enhancement Mode FET
N-Kanal FET – Anreicherungstyp
= 150°C
Version 2018-12-20
Typical Applications
Signal processing, Drivers,
Logic level converter
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Treiberstufen,
Logikpegelwandler
SOT-23
(TO-236)
Commercial grade
Standardausführung
+0.1
-0.2
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)
2.9±0.1
1.1
0.4+-00..015
3
Features
Besonderheiten
Schnelle Schaltzeiten
Fast switching times
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Type
Code
R
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
V
1
2
Mechanical Data 1)
1.9±0.1
Taped and reeled
3000 / 7“
0.01 g
Weight approx.
Gewicht ca.
1 = G
2 = S
3 = D
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Type Code = SA
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
MMFTN123/-Q
100 V
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
VDS
D open
DC
VGSO
Ptot
ID
± 20 V
360 mW 3)
Drain current – Drainstrom
170 mA
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
IDM
680 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
+150°C
-55…+150°C
Characteristics
Kennwerte
Tj = 25°C
V(BR)DSS
Min.
Typ.
Max.
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung
ID = 250 µA
100 V
–
–
Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom
VDS = 100 V
VDS = 20 V
1 µA
10 nA
IDSS
–
–
Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom
VGS = ± 20 V
IGSS
–
–
–
± 50 nA
2 V
Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung
VGS = VDS, ID = 1 mA
VGS(th)
0.8 V
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm
2
3
Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MMFTN123
Characteristics
Kennwerte
Max.
Tj = 25°C
Min.
Typ.
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
VGS = 10 V, ID = 170 mA
VGS = 4.5 V, ID = 170 mA
6 Ω
10 Ω
RDS(on)
–
–
Input Capacitance – Eingangskapazität
VDS = 25 V, f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
–
–
–
–
73 pF
7 pF
3.4 pF
–
–
–
Output Capacitance – Ausgangskapazität
VDS = 10 V, f = 1 MHz
Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität
VDS = 10 V, f = 1 MHz
–
Turn-On Delay Time – Einschaltverzögerung
VDD = 30 V, ID = 280 mA, VGS = 10 V, RG = 6 Ω
Turn-On Rise Time – Anstiegszeit
3.4 ns
18 ns
31 ns
5 ns
VDD = 30 V, ID = 280 mA, VGS = 10 V, RG = 6 Ω
Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung
VDD = 30 V, ID = 280 mA, VGS = 10 V, RG = 6 Ω
Turn-Off Fall Time – Abfallzeit
td(off)
–
–
–
VDD = 30 V, ID = 280 mA, VGS = 10 V, RG = 6 Ω
tf
–
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
500 K/W 1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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