P2000A [DIOTEC]

Silicon Rectifier Diodes; 硅整流二极管


型号：	P2000A
厂家：	DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述：	Silicon Rectifier Diodes 硅整流二极管整流二极管
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P2000A ... P2000M

Version 2013-01-24

P2000A ... P2000M

Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

Nominal current

Nennstrom

20 A

50...1000 V

Ø 8 x 7.5 [mm]

2.0 g

Ø 8^±0.1

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Type

Weight approx.

Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 1.2^±0.05

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

P2000A

P2000B

P2000D

P2000G

P2000J

P2000K

P2000M

100

200

400

600

800

1000

100

200

400

600

800

1000

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 50°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FAV

20 A ¹)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

I_FSM

i²t

100 A ¹)

500/550 A

1250 A²s

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+175°C

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

P2000A ... P2000M

Characteristics

Kennwerte

Forward voltage – Durchlass-Spannung

T_j= 25°C I_F= 5 A

T_j= 25°C I_F= 20 A

V_F

< 0.87 V

< 1.10 V

Leakage current – Sperrstrom

T_j= 25°C V_R= V_RRM

I_R

< 10 µA

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 4 K/W ¹)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to leads

R_thL

< 2.0 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht

10³

120

[%]

[A]

10²

100

T_j=125°C

T =25°C

I_F

I_FAV

400a-(5a-0.9v)

10^-1

0.4

V_F

0.8

1.0

1.2

1.4

[V] 1.8

T_A

100

150

[°C]

Rated forward current versus ambient temperature¹)

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.¹)

10³

[A]

10²

î_F

10²

[n]

10³

Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz

Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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