SB140S [DIOTEC]

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AC, DO-41, 2 PIN;


型号：	SB140S
厂家：	DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述：	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AC, DO-41, 2 PIN 二极管
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SB120S ... SB1100S

Version 2013-09-25

SB120S ... SB1100S

Schottky Barrier Rectifier Diodes

Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden

Nominal current

Nennstrom

1 A

Ø 2.6^-0.1

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

20...100 V

Plastic case

~DO-41

Kunststoffgehäuse

~DO-204AC

Weight approx.

Gewicht ca.

0.4 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 0.77^±0.07

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

Forward voltage

Durchlass-Spannung

V_F[V] ¹)

SB120S

SB130S

SB140S

SB150S

SB160S

SB190S

SB1100S

< 0.45

< 0.55

< 0.60

< 0.70

< 0.85

100

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 75°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FAV

1 A²)

10 A ²)

30 A

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

I_FSM

i²t

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

8 A²s

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

-50...+175°C

T_j

T_S

I_F= 1 A,T_j= 25°C

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

SB120S ... SB1100S

Characteristics

Kennwerte

Leakage current

Sperrstrom

T_j= 25°C

T_j= 100°C V_R= V_RRM

V_R= V_RRM

I_R

< 1 mA

< 10 mA

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 45 K/W ¹)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to leads

R_thL

< 15 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht

10²

[A]

120

[%]

100

SB120S...140S

SB150S...160S

SB190S...1100S

10^-1

I_F

I_FAV

T_j= 25°C

10^-2

0.4

0.6

1.0

V_F

[V]

T_A

100

150

[°C]

Rated forward current versus ambient temperature¹)

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.¹)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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