UF600M [DIOTEC]
Ultrafast Switching Si-Rectifiers - Ultraschnelle Si-Gleichrichter; 超快开关思整流器 - Ultraschnelle思Gleichrichter
| 型号： | UF600M |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Ultrafast Switching Si-Rectifiers - Ultraschnelle Si-Gleichrichter |
| 文件： | 总2页 (文件大小：62K) |
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UF600A ... UF600M
UF600A ... UF600M
Ultrafast Switching Si-Rectifiers – Ultraschnelle Si-Gleichrichter
Version 2006-04-26
Nominal current
Nennstrom
6 A
Ø 8±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
Type
Weight approx.
Gewicht ca.
1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RRM [V]
V
RSM [V]
UF600A
UF600B
UF600D
UF600G
UF600J
UF600K
UF600M
50
50
100
200
400
600
800
100
200
400
600
800
1000
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
6 A 1)
60 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
270/300 A
370 A2s
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
UF600A ... UF600M
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
trr [ns]1)
VF [V]
< 1.0
< 1.25
< 1.7
at / bei IF = [A]
UF600A ... UF600D
UF600G
< 75
5
5
5
< 75
UF600J ... UF600M
< 100
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
IR
< 25 µA
< 14 K/W 1)
< 4 K/W
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
RthL
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
102
[A]
120
[%]
100
UF600A...D
10
UF600G
UF600J...M
80
1
60
40
10-1
IF
20
IFAV
0
Tj = 25°C
10-2
VF
[V]
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
1
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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