IQE065N10NM5
IQE65N10NM5 是英飞凌对创新性 源极底置 技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后,源极电位(而非漏极电位)即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势,如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外,更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置 概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题,包括 电机驱动、 电信、 SMPS 或 服务器。目前,有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术:源极底置标准栅极和源极底置置中栅极(并行优化)。
PC 电机 栅 驱动 服务器 电信 栅极
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可降低开关损耗,可高速开关。 SiC支持页面评估板, 文件 应用实例介绍罗姆制SiC元器件 何谓SiC功率元器件?电子小知识#banner-area a:link {text-decoration
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10W, Ultra wide input, isolated & regulated dual/ single output, DIP package, DC-DC converter
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16-Mbit, 2.5V Minimum SPI Serial Flash Memory with Dual-I/O and Quad-IO Support
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