首页 |元器件品牌

2SC4874 [ETC]

;
2SC4874
型号： 2SC4874
厂家： ETC    ETC
描述：

晶体 晶体管 放大器
文件： 总6页 (文件大小：40K)
中文：  中文翻译
下载：  下载PDF数据表文档文件
 查看货源
2SC4874  
Silicon NPN Bipolar Transistor  
Application  
TO-92  
VHF & UHF wide band amplifire  
Features  
• High gain bandwidth product  
f = 5.8 GHz typ  
T
• High gain, low noise figure  
PG = 10.0 dB typ,  
NF = 1.8 dB typ at f = 900 MHz  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
3
2
1
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Collector to base voltage  
V
20  
V
CBO  
———————————————————————————————————————————  
Collector to emitter voltage  
V
12  
V
CEO  
———————————————————————————————————————————  
Emitter to base voltage  
V
2
V
EBO  
———————————————————————————————————————————  
Collector current  
I
50  
mA  
C
———————————————————————————————————————————  
Collector power dissipation  
P
600  
mW  
C
———————————————————————————————————————————  
Junction temperature  
T
150  
°C  
j
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
2SC4874  
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test condition  
———————————————————————————————————————————  
Collector to base  
V
20  
—
—
V
I = 10 µA, I = 0  
(BR)CBO  
C E  
breakdown voltage  
———————————————————————————————————————————  
Collector cutoff current  
I
—
—
1
µA  
V
= 15 V,  
CBO  
CB  
I = 0  
E
———————————————————————————————  
I
—
—
1
mA  
V
= 12 V,  
CEO  
CE  
R
= ∞  
BE  
———————————————————————————————————————————  
Emitter cutoff current  
I
—
—
10  
µA  
V
= 2 V,  
EBO  
EB  
I
= 0  
C
———————————————————————————————————————————  
DC current transfer ratio  
h
50  
120  
250  
V
= 5 V,  
FE  
CE  
I
= 20 mA  
C
———————————————————————————————————————————  
Output capacitance  
Cob  
—
1.3  
1.8  
pF  
V
= 5 V,  
CB  
I = 0, f = 1 MHz  
E
———————————————————————————————————————————  
Gain bandwidth  
f
4.0  
5.8  
—
GHz  
V
= 5 V,  
T
CE  
product  
I
= 20 mA  
C
———————————————————————————————————————————  
Power gain  
PG  
7.5  
10.0  
—
dB  
V
= 5 V,  
CE  
I
= 20 mA,  
C
f = 900 MHz  
———————————————————————————————————————————  
Noise figure  
NF  
—
1.8  
3.0  
dB  
V
= 5 V,  
CE  
I
= 5 mA,  
C
f = 900 MHz  
———————————————————————————————————————————  
2SC4874  
DC current transfer ratio  
vs. collector current  
Maximum collector power dissipation curve  
800  
200  
160  
120  
80  
V
= 5V  
CE  
600  
400  
200  
40  
0
0.1 0.2 0.5  
1
2
5
10 20 50  
0
50  
100  
150  
200  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Collector Current I (mA)  
C
Collector output capacitance  
vs. collector to base voltage  
Gain bandwidth product vs. collector current  
10  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
I
= 0  
E
V
= 5 V  
CE  
f = 1 MHz  
8
6
4
2
0
1.2  
1.0  
1
2
5
10  
20  
50  
0.5  
1
2
5
10  
20  
Collector Current I (mA)  
Collector to Base Voltage V  
(V)  
CB  
C
2SC4874  
Power gain vs. collector curent  
Noise figure vs. collector current  
12  
10  
8
5
4
3
2
V
= 5V  
CE  
f = 900MHz  
6
4
1
0
2
0
V
= 5V  
CE  
f = 900 MHz  
1
2
5
10  
20 50  
1
2
5
10  
20  
50  
Collector Current I (mA)  
Collector Current I (mA)  
C
C
S21 parameter vs. collector current  
12  
10  
8
V
= 5V  
CE  
f = 1 GHz  
6
4
2
0
1
2
5
10  
20  
(mA)  
50  
Collector Current  
I
C
2SC4874  
S11 parameter vs. frequency  
S21 parameter vs. frequency  
Scale: 5 / div.  
1
.8  
90°  
1.5  
.6  
120°  
60°  
2
.4  
3
4
5
150°  
30°  
.2  
10  
.2  
.4 .6  
1
1.52  
10  
3
5
4
0
0°  
180°  
–10  
–5  
–.2  
–4  
–30°  
–150°  
–3  
–.4  
–2  
–.6  
–60°  
–1.5  
–120°  
–.8 –1  
–90°  
Ω
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
CE  
Ω
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
CE  
100 to 1000 MHz (100 MHz step)  
(I = 5 mA)  
100 to 1000 MHz (100 MHz step)  
(I = 5 mA)  
C
C
(I = 20 mA)  
C
(I = 20 mA)  
C
S12 parameter vs. frequency  
S22 parameter vs. frequency  
Scale: 0.04 / div.  
1
.8  
90°  
1.5  
.6  
120°  
60°  
2
.4  
3
4
150°  
30°  
.2  
5
10  
.4  
.8  
1.5  
10  
.2  
.6  
1
2
3
4
5
0
0°  
180°  
–10  
–5  
–.2  
–4  
–3  
–30°  
–150°  
–.4  
–2  
–.6  
–120°  
–60°  
–1.5  
–.8  
–1  
–90°  
Ω
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
CE  
Ω
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
CE  
100 to 1000 MHz (100 MHz step)  
100 to 1000 MHz (100 MHz step)  
(IC = 5 mA)  
(I = 5 mA)  
C
(I = 20 mA)  
C
C
(I = 20 mA)  
2SC4874  
Table 3 S Parameter (V = 5 V, I = 5 mA, Z = 50 Ω, Emitter common)  
CE  
C
O
S11  
S21  
S12  
S22  
———————  
———————  
———————  
———————  
f (MHz)  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
———————————————————————————————————————————  
100  
0.784  
–39.6  
12.03  
149.8  
0.0396  
71.3  
0.890  
–21.4  
———————————————————————————————————————————  
200  
0.614  
–69.7  
9.23  
127.0  
0.0651  
59.5  
0.718  
–35.3  
———————————————————————————————————————————  
300  
0.474  
–94.3  
7.06  
111.6  
0.0810  
55.0  
0.587  
–42.3  
———————————————————————————————————————————  
400  
0.378  
–116.3  
5.66  
100.6  
0.0926  
53.3  
0.499  
–45.3  
———————————————————————————————————————————  
500  
0.330  
–138.0  
4.68  
91.9  
0.104  
53.5  
0.435  
–48.1  
———————————————————————————————————————————  
600  
0.322  
–155.5  
4.03  
85.2  
0.116  
53.5  
0.387  
–52.5  
———————————————————————————————————————————  
700  
0.320  
–169.9  
3.52  
78.9  
0.127  
53.8  
0.360  
–58.2  
———————————————————————————————————————————  
800  
0.325  
–179.7  
3.13  
73.8  
0.140  
54.1  
0.353  
–63.5  
———————————————————————————————————————————  
900  
0.321  
168.8  
2.81  
68.5  
0.152  
54.4  
0.353  
–67.3  
———————————————————————————————————————————  
1000  
0.326  
161.1  
2.58  
63.8  
0.165  
54.6  
0.348  
–69.9  
———————————————————————————————————————————  
Table 4 S Parameter (V = 5 V, I = 20 mA, Z = 50 Ω, Emitter common)  
CE  
C
O
S11  
S21  
S12  
S22  
———————  
———————  
———————  
———————  
f (MHz)  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
———————————————————————————————————————————  
100  
0.477  
–68.2  
21.97  
130.0  
0.0297  
66.5  
0.686  
–35.2  
———————————————————————————————————————————  
200  
0.318  
–105.4  
13.32  
108.8  
0.0469  
65.3  
0.468  
–44.2  
———————————————————————————————————————————  
300  
0.240  
–133.3  
9.19  
97.1  
0.0633  
66.9  
0.372  
–44.8  
———————————————————————————————————————————  
400  
0.215  
–157.6  
7.05  
89.5  
0.0797  
67.6  
0.318  
–44.4  
———————————————————————————————————————————  
500  
0.224  
–177.3  
5.68  
83.8  
0.0968  
67.5  
0.276  
–45.4  
———————————————————————————————————————————  
600  
0.242  
170.0  
4.81  
78.6  
0.113  
67.2  
0.246  
–49.5  
———————————————————————————————————————————  
700  
0.263  
161.0  
4.15  
74.0  
0.130  
66.2  
0.230  
–56.8  
———————————————————————————————————————————  
800  
0.270  
154.9  
3.66  
69.7  
0.146  
65.1  
0.231  
–63.8  
———————————————————————————————————————————  
900  
0.273  
147.6  
3.27  
65.5  
0.163  
64.1  
0.238  
–68.4  
———————————————————————————————————————————  
1000  
0.291  
141.7  
2.99  
61.8  
0.180  
62.8  
0.237  
–71.5  
———————————————————————————————————————————  

相关型号：

2SC4874RR

 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92, TO-92, 3 PIN
HITACHI

2SC4874TZ

 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92
RENESAS

2SC4875
ETC

2SC4875RF

 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN
RENESAS

2SC4875RR

 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN
RENESAS

2SC4875TZ

 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
RENESAS

2SC4876

 Switching Power Transistor(30A NPN)
SHINDENGEN

2SC4877

 TV/character display horizontal deflection output
HITACHI

2SC4878

 Silicon NPN Power Transistors
SAVANTIC

2SC4878

 Silicon NPN Power Transistors
ISC

2SC4879

 Power Bipolar Transistors
ETC

2SC4880

 Silicon NPN Triple Diffused
HITACHI
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明