2SD1457Q [ETC]
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 150V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR ; 晶体管| BJT |达林顿| NPN | 150V V（ BR ） CEO | 6A I（C ） | TO- 247VAR\n
| 型号： | 2SD1457Q |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 150V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR
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トランジスタ
2SD1458
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
低周 波増幅用
Unit : mm
2.5 0.1
6.9 0.1
(1.5)
(1.0)
(1.5)
■ 特ꢀ長
•
•
•
直
流電流増幅率hFE が高い
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)が低い
M型パッケージで自動挿入，手挿入が容易，P板に自立固
R 0.9
定で
R 0.7
きる
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
(0.85)
0.45 0.05
項目
記号
定格
20
単位
V
0.55 0.1
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) VEBO
20
V
15
V
3
2
1
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
(2.5) (2.5)
コレクタ電流
IC
ICP
PC
0.7
1.5
1
A
尖頭コレクタ電流
A
M-A1 Package
*
コレクタ損失
W
接
合温度
保存温度
注)
Tj
150
−55 ∼ +150
積1 cm2以上，厚 み1.7 mm
°C
Tstg
°C
:
プリント基板のコレクタ部分の銅泊面
*
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C
項目
記号
条件
IC = 10µA, IE = 0
最小 標準 最大
単位
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時)
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VCBO
VCEO
VEBO
20
20
15
1
IC = 1 mA, IB = 0
V
IE = 10 µA, IC = 0
VCB = 15 V, IE = 0
VCE = 15 V, IB = 0
VCE = 10 V, IC = 150 mA
V
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO
µA
µA
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)
ICEO
hFE
10
*
直
流電流増幅率
1000
2500
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
トランジション周 波数
VCE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA
0.4
V
fT
VCB = 20 V, IE = −20 mA, f = 200 MHz
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
55
11
MHz
pF
コレクタ出力容量(入力開放時)
Cob
15
注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. : パルス設定
*
発行年月 : 2002年11月
SJC00223BJD
1
2SD1458
PC Ta
IC VCE
IC VBE
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
240
200
160
120
80
VCE = 10 V
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness
T
a
= 25°C
IB = 100 µA
90 µA
25°C
80 µA
70 µA
60 µA
Ta = 75°C
−25°C
50 µA
40 µA
30 µA
20 µA
10 µA
40
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
20 40 60 80 100 120 140 160
0
2
4
6
8
10
(
V
)
ベース・エミッタ間電圧 VBE
(
)
(
V
)
周
囲温度 Ta °C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IE
100
10
3000
2500
2000
1500
1000
500
300
250
200
150
100
50
IC / IB = 10
VCE = 10 V
VCB = 10 V
Ta = 25°C
Ta = 75°C
25°C
−25°C
1
Ta = 75°C
25°C
−25°C
0.1
0.01
0
0.01
0
−1
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
−10
−100
−1000
(
A
)
( )
コレクタ電流 IC A
コレクタ電流 IC
(
)
エミッタ電流 IE mA
Cob VCB
24
IE = 0
f = 1 MHz
Ta = 25°C
20
16
12
8
4
0
1
10
100
( )
V
コレクタ・ベース間電圧 VCB
SJC00223BJD
2
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資料に記載の製品および技術で「、外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社もし
くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあり
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(3) 上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責
を負うものでは
ありません。
—
一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電
(4) 本資料に記載されている製品
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす
特定用途(航 空・宇 宙 用 、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前
弊社営業窓口までご相談願います。
は、標準用途
—
恐れのある用途
に
(5) 本資料に記載しております製品
りますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新
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および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合があ
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きますようお願い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モード
をご考慮の上、弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じ
任を負いません。
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お願い致します。
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(8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断り
いたします。
2002 JUL
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