3DG7091 [ETC]
3DG7091硅NPN型高频高压小功率晶体管 ;![3DG7091](http://pdffile.icpdf.com/pdf1/p00018/img/icpdf/3DG70_87250_icpdf.jpg)
型号: | 3DG7091 |
厂家: | ![]() |
描述: | 3DG7091硅NPN型高频高压小功率晶体管 晶体 晶体管 高压 |
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晶分立器件
3DG7091
高 放大 境 定双极型晶体管
1 概述与特点
3DG7091 硅 NPN 型高频高压小功率晶体管 主要用于无绳电话机及一般放大电路 其特点如
下
击穿电压高
饱和压降低
电流容量大
封装形式 TO-92
2 电特性
5. 3max
4. 2max
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
标志
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
额定值
300
单位
V
300
V
0. 45
7
V
0. 45
0.5
A
耗散功率(Ta=25
结温
)
Ptot
0.625
150
W
2. 54
C
B E
Tj
贮存温度
Tstg
-55 150
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
规 范 值
参 数 名 称
符 号
测 试 条 件
单位
最小 典型 最大
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
ICB0
IEB0
VCB=300V , IE=0
VEB=7V, IC=0
10
1
A
A
R
O
Y
40
80
120
240
400
0.5
共发射极正向电流传输比
的静态值
VCE=10V
IC=30mA
hFE
200
集电极-发射极饱和电压
VCEsat IC=20mA , IB=2mA
V
VCE=20V , IC=10mA
f=10MHz
特征频率
fT
50
MHz
VCB=20V, IE=0
f=1MHz
共基极输出电容
Cob
6.5
pF
无 锡 华 晶 微 电 子 股 份 有 限 公 司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299
传真 0510 5800360
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华晶分立器件
IB=1mA
3DG7091
3 特性曲线
Ptot – Tamb 关系曲线
IC-VCE 关系曲线
I
C( mA)
P
tot (W)
0.60
0.45
Tamb=25
350 A
40
20
0
0.30
0.15
100
IB=50 A
10
20 VCE (V)
0
5
15
0
90
T(
)
30
120
60
VCEsat - IC 关系曲线
hFE - IC 关系曲线
hFE
VCEsat (V)
Tamb=25
VCE=10V
Tamb=25
IC/IB=10
1
100
10
0.1
0.001
0.01
0.1
IC (A)
0.1 IC (A)
0.01
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