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STB06-I-6

 STD and STB Markers
暂无信息
TE

NT6TL128M32AQ-G2

 Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

STB06-B-1

 STD and STB Markers
暂无信息
TE

NT6TL64M16B5-G1

 Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

MP1612-AZ-RX

 AC INPUT LIMIT ALARM
输入元件
MSYSTEM

PTVS14VS1UR

 400 W Transient Voltage SuppressorProduction
局域网 光电二极管
NEXPERIA

NT6TL8M32AI-G0

 Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

NT6TL8M32BI-G0

 Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

MLS-D0-F/Q

 Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
暂无信息
MSYSTEM

SBR50-00G

 Glass Passivated 3 Phase Bridge Rectifiers
暂无信息
HY

MP1610-A3-RY

 AC INPUT LIMIT ALARM
输入元件
MSYSTEM

GQM1875C2E5R1BB12#

 民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗 医疗器械
MURATA

ALV-A112-C

 Limit Alarms (rotary switch adj.) AL-UNIT
暂无信息
MSYSTEM

ECQE1A274KBZ

 ECQE(B) [AC额定]
暂无信息
PANASONIC

ECQE1A823KBB

 ECQE(B) [AC额定]
暂无信息
PANASONIC

NT6TL32M32A5-G0

 Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

10VF2-D5W0-R

 High-density Signal Conditioners 10-RACK
暂无信息
MSYSTEM

MP1613-AB-RR

 AC INPUT LIMIT ALARM
输入元件
MSYSTEM

10PA-140-R

 High-density Signal Conditioners 10-RACK
暂无信息
MSYSTEM

NT6TL256M16AI-G0

 Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

IPW60R070P6

 英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计，填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。
暂无信息
INFINEON

GJM1555C1H120JB01#

 民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗 医疗器械
MURATA

ALV-A123-R/Q

 Limit Alarms (rotary switch adj.) AL-UNIT
暂无信息
MSYSTEM

10VF2-ED0-R

 High-density Signal Conditioners 10-RACK
暂无信息
MSYSTEM

BSS5130A

 BSS5130A是采用SOT-23封装的晶体管，适用于低频放大。
晶体管
ROHM

STB06-M-2

 STD and STB Markers
暂无信息
TE

M032SE6AE

 Arm® Cortex®-M 32-bit Microcontroller
微控制器
NUVOTON

GRM1552C1E330GA01#

 民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗 医疗器械
MURATA

FVS-FWF-L

 Space-saving Plug-in Signal Conditioners F-UNIT
暂无信息
MSYSTEM

ALV-A143-C/Q

 Limit Alarms (rotary switch adj.) AL-UNIT
暂无信息
MSYSTEM
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