AN78M05NSP [ETC]
汎用リニアIC － 電源レギュレータ － 三端子レギュレータ ; 泛用リニアIC - 电源レギュレータ - 三端子レギュレータ\n
| 型号： | AN78M05NSP |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 汎用リニアIC － 電源レギュレータ － 三端子レギュレータ
|
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電源レギュレータ
AN78MxxNSP シリーズ
正出力3端子電源レギュレータ(500 mAタイプ)
I 概ꢀ要
Unit : mm
6.50 0.20
AN78MxxNSPシリーズは, 表面
実装パッケージ・固
5.30 0.ꢀ0
(4.35)
定正出力型のモノリシック3端子電源
レギュレータ
(3.00)
ꢀ.00 0.20
です。
最小の外付部
化された固定出力電圧が得られます。出力電圧は固
定で5 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 15 V, 18 Vの9
種類をそろえており, 電流容量500 mAまでの電源
品で, 非安定直流入力電圧から, 安定
回
路として幅広く使用できます。
2
ꢀ
3
0.75 0.ꢀ0
+0.ꢀ0
–0.05
2.30
4.60 0.ꢀ0
I 特ꢀ長
0.55
0.ꢀ0 0.ꢀ0
•
出力電圧は5 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 15 V,
18 V の 9 種類をそろえています
過電流制 限回路内蔵
•
•
•
熱保護回路内蔵
SP-3SU
ASO 保護回路内蔵
注) 本製品
のパッケージは，後記の鉛フリーパッ
ケージ(SP-3SUA)になる予定です。
I ブロック図
出力段�
定電流
�
過電流保護�
RSC
起
動
回
路
基
準
電
圧
R2
R1
過熱保護�
誤差増幅器�
1
2
3
FIN
Input
CI
CO
Output
CI ≥ 0.33 µF, CO ≥ 0.1 µF
I 端子説明
Pin No.
説明
1
2
3
Input
入力電圧端子
GND
接地端子(FIN)
Output
出力電圧端子
発行年月 : 2001年12月
SFF00012BJB
1
AN78MxxNSP シリーズ
I 絶対最大定格
項目
記号
定格
単位
2
電源
電圧 *
電流 *
VCC
35
V
3
4
電源
ICC
mA
mW
°C
許容損失 *
PD
1
動作周 囲温度 *
Topr
Tstg
−30 ∼ +85
−55 ∼ +150
1
保存温度 *
°C
注) 1. 1 : 動作周 囲温度および保存温度の項目以外はすべてTa = 25°Cとする。
*
2 : VCC = 35 V印加時, ASO保護回路により過電圧保護が働き, 出力がシャットダウンすることがあります。
3 : 電流制 限回路内蔵であり, 電流値が本規格を超えることはありません。
*
*
*
4 : T = 150°C (設計値)で内部 回路が出力を遮断します。また , ICの消費電力, 周 囲温度の関係はディレーティ
j
ングカーブに従うこと。
2. このICは自動車電装用には適していません。
I 電気的特性 Ta = 25°C
•
AN78M05NSP (5 Vタイプ)
Tj = 25°Cの指定は, おのおのの試験時間を短く(10 ms以内)し, チップの接
合部 の温度上昇分による特性
値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。
特に規定のない場合, VI = 10 V, IO = 350 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF
項目
記号
VO1
VO2
条件
最小 標準 最大 単位
出力電圧
Tj = 25°C
4.8
5
5.2
V
V
出力電圧許容範囲
VI = 7.5 V ∼ 20 V, IO = 5 mA ∼ 350 mA 4.75
Tj = 25°C
5.25
入力安定度 1
REGIN1 VI = 7.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGIN2 VI = 8 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGL1 IO = 5 mA ∼ 500 mA, Tj = 25°C
REGL2 IO = 5 mA ∼ 200 mA, Tj = 25°C
62
3
100
50
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
dB
入力安定度 2
1
負荷安定度 1
20
10
4
100
50
負荷安定度 2
バイアス電流
IBias
Tj = 25°C
6
バイアス電流入力変動
バイアス電流負荷変動
リップル除去率
∆IBias(IN) VI = 8 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
0.8
0.5
∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 350 mA, Tj = 25°C
RR
VI = 8 V ∼ 18 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz
•
設計参考資料
注) 下記特性は設計上の理 論値であり, 保証値ではありません。
項目
記号
条件
最小 標準 最大 単位
出力雑音電圧
VNO
f = 10 Hz ∼ 100 kHz
40
2
µV
V
最小入出力電圧差
出力短絡電流
VDIF(min) IO = 500 mA, Tj = 25°C
IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C
IO(Peak) Tj = 25°C
300
1000
− 0.5
150
mA
mA
mV/°C
°C
ピーク出力電流
出力電圧温度係数
過熱保護動作温度
∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C
Tj(TH)
IO = 5 mA
SFF00012BJB
2
AN78MxxNSP シリーズ
I 電気的特性(つづき) Ta = 25°C
•
AN78M06NSP (6 Vタイプ)
Tj = 25°Cの指定は, おのおのの試験時間を短く(10 ms以内)し, チップの接
合部 の温度上昇分による特性
値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。
特に規定のない場合, VI = 11 V, IO = 350 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF
項目
記号
VO1
VO2
条件
最小 標準 最大 単位
出力電圧
Tj = 25°C
5.75
6
6.25
6.3
V
V
出力電圧許容範囲
VI = 8.5 V ∼ 21 V, IO = 5 mA ∼ 350 mA 5.7
Tj = 25°C
入力安定度 1
REGIN1 VI = 8.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGIN2 VI = 9 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGL1 IO = 5 mA ∼ 500 mA, Tj = 25°C
REGL2 IO = 5 mA ∼ 200 mA, Tj = 25°C
59
5
1.5
20
10
4
100
50
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
dB
入力安定度 2
負荷安定度 1
120
60
負荷安定度 2
バイアス電流
IBias
Tj = 25°C
6
バイアス電流入力変動
バイアス電流負荷変動
リップル除去率
∆IBias(IN) VI = 9 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
0.8
0.5
∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 350 mA, Tj = 25°C
RR
VI = 9 V ∼ 19 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz
•
設計参考資料
注) 下記特性は設計上の理 論値であり, 保証値ではありません。
項目
記号
条件
最小 標準 最大 単位
出力雑音電圧
VNO
f = 10 Hz ∼ 100 kHz
45
2
µV
V
最小入出力電圧差
出力短絡電流
VDIF(min) IO = 500 mA, Tj = 25°C
IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C
IO(Peak) Tj = 25°C
300
1000
− 0.5
150
mA
mA
mV/°C
°C
ピーク出力電流
出力電圧温度係数
過熱保護動作温度
∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C
Tj(TH)
IO = 5 mA
SFF00012BJB
3
AN78MxxNSP シリーズ
I 電気的特性(つづき) Ta = 25°C
•
AN78M07NSP (7 Vタイプ)
Tj = 25°Cの指定は, おのおのの試験時間を短く(10 ms以内)し, チップの接
合部 の温度上昇分による特性
値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。
特に規定のない場合, VI = 12 V, IO = 350 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF
項目
記号
VO1
VO2
条件
最小 標準 最大 単位
出力電圧
Tj = 25°C
6.7
7
7.3
V
V
出力電圧許容範囲
VI = 9.5 V ∼ 22 V, IO = 5 mA ∼ 350 mA 6.65
Tj = 25°C
7.35
入力安定度 1
REGIN1 VI = 9.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGIN2 VI = 10 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGL1 IO = 5 mA ∼ 500 mA, Tj = 25°C
REGL2 IO = 5 mA ∼ 200 mA, Tj = 25°C
6
100
50
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
dB
入力安定度 2
2
負荷安定度 1
20
10
4
140
70
負荷安定度 2
バイアス電流
IBias
Tj = 25°C
6
バイアス電流入力変動
バイアス電流負荷変動
リップル除去率
∆IBias(IN) VI = 10 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 350 mA, Tj = 25°C
0.8
0.5
RR
VI = 10 V ∼ 20 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 57
•
設計参考資料
注) 下記特性は設計上の理 論値であり, 保証値ではありません。
項目
記号
条件
最小 標準 最大 単位
出力雑音電圧
VNO
f = 10 Hz ∼ 100 kHz
48
2
µV
V
最小入出力電圧差
出力短絡電流
VDIF(min) IO = 500 mA, Tj = 25°C
IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C
IO(Peak) Tj = 25°C
300
1000
− 0.5
150
mA
mA
mV/°C
°C
ピーク出力電流
出力電圧温度係数
過熱保護動作温度
∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C
Tj(TH)
IO = 5 mA
SFF00012BJB
4
AN78MxxNSP シリーズ
I 電気的特性(つづき) Ta = 25°C
•
AN78M08NSP (8 Vタイプ)
Tj = 25°Cの指定は, おのおのの試験時間を短く(10 ms以内)し, チップの接
合部 の温度上昇分による特性
値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。
特に規定のない場合, VI = 14 V, IO = 350 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF
項目
記号
VO1
VO2
条件
最小 標準 最大 単位
出力電圧
Tj = 25°C
7.7
7.6
8
8.3
8.4
V
V
出力電圧許容範囲
VI = 10.5 V ∼ 22 V, IO = 5 mA ∼ 350 mA
Tj = 25°C
入力安定度 1
REGIN1 VI = 10.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGIN2 VI = 11 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGL1 IO = 5 mA ∼ 500 mA, Tj = 25°C
REGL2 IO = 5 mA ∼ 200 mA, Tj = 25°C
6
2
100
50
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
dB
入力安定度 2
負荷安定度 1
25
10
4.1
160
80
負荷安定度 2
バイアス電流
IBias
Tj = 25°C
6
バイアス電流入力変動
バイアス電流負荷変動
リップル除去率
∆IBias(IN) VI = 10.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 350 mA, Tj = 25°C
0.8
0.5
RR
VI = 11.5 V ∼ 21.5 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 56
•
設計参考資料
注) 下記特性は設計上の理 論値であり, 保証値ではありません。
項目
記号
条件
最小 標準 最大 単位
出力雑音電圧
VNO
f = 10 Hz ∼ 100 kHz
48
2
µV
V
最小入出力電圧差
出力短絡電流
VDIF(min) IO = 500 mA, Tj = 25°C
IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C
IO(Peak) Tj = 25°C
300
1000
− 0.5
150
mA
mA
mV/°C
°C
ピーク出力電流
出力電圧温度係数
過熱保護動作温度
∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C
Tj(TH)
IO = 5 mA
SFF00012BJB
5
AN78MxxNSP シリーズ
I 電気的特性(つづき) Ta = 25°C
•
AN78M09NSP (9 Vタイプ)
Tj = 25°Cの指定は, おのおのの試験時間を短く(10 ms以内)し, チップの接
合部 の温度上昇分による特性
値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。
特に規定のない場合, VI = 15 V, IO = 350 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF
項目
記号
VO1
VO2
条件
最小 標準 最大 単位
出力電圧
Tj = 25°C
8.65
9
9.35
9.45
V
V
出力電圧許容範囲
VI = 11.5 V ∼ 24 V, IO = 5 mA ∼ 350 mA 8.55
Tj = 25°C
入力安定度 1
REGIN1 VI = 11.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGIN2 VI = 12 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGL1 IO = 5 mA ∼ 500 mA, Tj = 25°C
REGL2 IO = 5 mA ∼ 200 mA, Tj = 25°C
7
2
100
50
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
dB
入力安定度 2
負荷安定度 1
25
10
4.1
180
90
負荷安定度 2
バイアス電流
IBias
Tj = 25°C
6
バイアス電流入力変動
バイアス電流負荷変動
リップル除去率
∆IBias(IN) VI = 12 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 350 mA, Tj = 25°C
0.8
0.5
RR
VI = 12 V ∼ 22 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 56
•
設計参考資料
注) 下記特性は設計上の理 論値であり, 保証値ではありません。
項目
記号
条件
最小 標準 最大 単位
出力雑音電圧
VNO
f = 10 Hz ∼ 100 kHz
60
2
µV
V
最小入出力電圧差
出力短絡電流
VDIF(min) IO = 500 mA, Tj = 25°C
IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C
IO(Peak) Tj = 25°C
300
1000
− 0.5
150
mA
mA
mV/°C
°C
ピーク出力電流
出力電圧温度係数
過熱保護動作温度
∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C
Tj(TH)
IO = 5 mA
SFF00012BJB
6
AN78MxxNSP シリーズ
I 電気的特性(つづき) Ta = 25°C
•
AN78M10NSP (10 Vタイプ)
Tj = 25°Cの指定は, おのおのの試験時間を短く(10 ms以内)し, チップの接
合部 の温度上昇分による特性
値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。
特に規定のない場合, VI = 16 V, IO = 350 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF
項目
記号
VO1
VO2
条件
最小 標準 最大 単位
出力電圧
Tj = 25°C
9.6
9.5
10
10.4
10.5
V
V
出力電圧許容範囲
VI = 12.5 V ∼ 25 V, IO = 5 mA ∼ 350 mA
Tj = 25°C
入力安定度 1
REGIN1 VI = 12.5 V ∼ 30 V, Tj = 25°C
REGIN2 VI = 13 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
REGL1 IO = 5 mA ∼ 500 mA, Tj = 25°C
REGL2 IO = 5 mA ∼ 200 mA, Tj = 25°C
7
2
100
50
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
dB
入力安定度 2
負荷安定度 1
25
10
4.1
200
100
6
負荷安定度 2
バイアス電流
IBias
Tj = 25°C
バイアス電流入力変動
バイアス電流負荷変動
リップル除去率
∆IBias(IN) VI = 13 V ∼ 25 V, Tj = 25°C
∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 350 mA, Tj = 25°C
0.8
0.5
RR
VI = 13 V ∼ 23 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 56
•
設計参考資料
注) 下記特性は設計上の理 論値であり, 保証値ではありません。
項目
記号
条件
最小 標準 最大 単位
出力雑音電圧
VNO
f = 10 Hz ∼ 100 kHz
65
2
µV
V
最小入出力電圧差
出力短絡電流
VDIF(min) IO = 500 mA, Tj = 25°C
IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C
IO(Peak) Tj = 25°C
300
1000
− 0.5
150
mA
mA
mV/°C
°C
ピーク出力電流
出力電圧温度係数
過熱保護動作温度
∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C
Tj(TH)
IO = 5 mA
SFF00012BJB
7
AN78MxxNSP シリーズ
I 電気的特性(つづき) Ta = 25°C
•
AN78M12NSP (12 Vタイプ)
Tj = 25°Cの指定は, おのおのの試験時間を短く(10 ms以内)し, チップの接
合部 の温度上昇分による特性
値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。
特に規定のない場合, VI = 19 V, IO = 350 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF
項目
記号
VO1
VO2
条件
最小 標準 最大 単位
出力電圧
Tj = 25°C
11.5
12
12.5
12.6
V
V
出力電圧許容範囲
VI = 14.5 V ∼ 27 V, IO = 5 mA ∼ 350 mA 11.4
Tj = 25°C
入力安定度 1
REGIN1 VI = 14.5 V ∼ 30 V, Tj = 25°C
REGIN2 VI = 16 V ∼ 30 V, Tj = 25°C
REGL1 IO = 5 mA ∼ 500 mA, Tj = 25°C
REGL2 IO = 5 mA ∼ 200 mA, Tj = 25°C
8
2
100
50
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
dB
入力安定度 2
負荷安定度 1
25
10
4.3
240
120
6
負荷安定度 2
バイアス電流
IBias
Tj = 25°C
バイアス電流入力変動
バイアス電流負荷変動
リップル除去率
∆IBias(IN) VI = 14.5 V ∼ 30 V, Tj = 25°C
∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 350 mA, Tj = 25°C
0.8
0.5
RR
VI = 15 V ∼ 25 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 55
•
設計参考資料
注) 下記特性は設計上の理 論値であり, 保証値ではありません。
項目
記号
条件
最小 標準 最大 単位
出力雑音電圧
VNO
f = 10 Hz ∼ 100 kHz
75
2
µV
V
最小入出力電圧差
出力短絡電流
VDIF(min) IO = 500 mA, Tj = 25°C
IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C
IO(Peak) Tj = 25°C
300
1000
− 0.5
150
mA
A
ピーク出力電流
出力電圧温度係数
過熱保護動作温度
∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C
mV/°C
°C
Tj(TH)
IO = 5 mA
SFF00012BJB
8
AN78MxxNSP シリーズ
I 電気的特性(つづき) Ta = 25°C
•
AN78M15NSP (15 Vタイプ)
Tj = 25°Cの指定は, おのおのの試験時間を短く(10 ms以内)し, チップの接
合部 の温度上昇分による特性
値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。
特に規定のない場合, VI = 23 V, IO = 350 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF
項目
記号
VO1
VO2
条件
最小 標準 最大 単位
出力電圧
Tj = 25°C
14.4
15
15.6
V
V
出力電圧許容範囲
VI = 17.5 V ∼ 30 V, IO = 5 mA ∼ 350 mA 14.25
Tj = 25°C
15.75
入力安定度 1
REGIN1 VI = 17.5 V ∼ 30 V, Tj = 25°C
REGIN2 VI = 20 V ∼ 30 V, Tj = 25°C
REGL1 IO = 5 mA ∼ 500 mA, Tj = 25°C
REGL2 IO = 5 mA ∼ 200 mA, Tj = 25°C
10
3
100
50
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
dB
入力安定度 2
負荷安定度 1
25
10
4.3
300
150
6
負荷安定度 2
バイアス電流
IBias
Tj = 25°C
バイアス電流入力変動
バイアス電流負荷変動
リップル除去率
∆IBias(IN) VI = 17.5 V ∼ 30 V, Tj = 25°C
∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 350 mA, Tj = 25°C
0.8
0.5
RR
VI = 18.5 V ∼ 28.5 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 54
•
設計参考資料
注) 下記特性は設計上の理 論値であり, 保証値ではありません。
項目
記号
条件
最小 標準 最大 単位
出力雑音電圧
VNO
f = 10 Hz ∼ 100 kHz
90
2
µV
V
最小入出力電圧差
出力短絡電流
VDIF(min) IO = 500 mA, Tj = 25°C
IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C
IO(Peak) Tj = 25°C
300
1000
− 0.5
150
mA
,A
ピーク出力電流
出力電圧温度係数
過熱保護動作温度
∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C
mV/°C
°C
Tj(TH)
IO = 5 mA
SFF00012BJB
9
AN78MxxNSP シリーズ
I 電気的特性(つづき) Ta = 25°C
•
AN78M18NSP (18 Vタイプ)
Tj = 25°Cの指定は, おのおのの試験時間を短く(10 ms以内)し, チップの接
合部 の温度上昇分による特性
値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。
特に規定のない場合, VI = 27 V, IO = 350 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF
項目
記号
VO1
VO2
条件
最小 標準 最大 単位
出力電圧
Tj = 25°C
17.3
18
18.7
18.9
V
V
出力電圧許容範囲
VI = 21 V ∼ 33 V, IO = 5 mA ∼ 350 mA 17.1
Tj = 25°C
入力安定度 1
REGIN1 VI = 21 V ∼ 33 V, Tj = 25°C
REGIN2 VI = 22 V ∼ 33 V, Tj = 25°C
REGL1 IO = 5 mA ∼ 500 mA, Tj = 25°C
REGL2 IO = 5 mA ∼ 200 mA, Tj = 25°C
10
5
100
50
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
dB
入力安定度 2
負荷安定度 1
30
10
4.4
360
180
6
負荷安定度 2
バイアス電流
IBias
Tj = 25°C
バイアス電流入力変動
バイアス電流負荷変動
リップル除去率
∆IBias(IN) VI = 21 V ∼ 33 V, Tj = 25°C
∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 350 mA, Tj = 25°C
0.8
0.5
RR
VI = 22 V ∼ 32 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 53
•
設計参考資料
注) 下記特性は設計上の理 論値であり, 保証値ではありません。
項目
記号
条件
最小 標準 最大 単位
出力雑音電圧
VNO
f = 10 Hz ∼ 100 kHz
100
2
µV
V
最小入出力電圧差
出力短絡電流
VDIF(min) IO = 500 mA, Tj = 25°C
IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C
IO(Peak) Tj = 25°C
300
1000
− 0.5
150
mA
mA
mV/°C
°C
ピーク出力電流
出力電圧温度係数
過熱保護動作温度
∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C
Tj(TH)
IO = 5 mA
SFF00012BJB
10
AN78MxxNSP シリーズ
I アプリケーションノート
1. SP-3SU パッケージの許容損失
PD Ta
6.00
5.00
4.00
3.00
2.00
Al基板実装時�
(50 × 50 × t2.0 mm3)
Rth(j-a) = 25.0°C/W
ガラエポ基板実装時 2
(50 × 50 × t1.5 mm3)
Rth(j-a) = 89.3°C/W
ガラエポ基板実装時 1
(20 × 20 × t1.7 mm3)
Rth(j-a) = 147.0°C/W
1.40
1.00
0.85
0.70
パッケージ単体�
Rth( j-a) = 178.0°C/W
0
0
25
50
75
100
125
150
周
囲温度 Ta (°C)
2. 主要
特性
出力電圧温度特性
最小入出力電圧差負荷電流特性
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VIN = 10 V
IO = 5 mA
Tj = 25°C
0
− 0.5
−1
−1.5
−100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
−50 −25
0
25
50
75
100 125 150
IO (A)
Ta (°C)
電流制 限特性
リップル除去率周 波数特性
6
0
−10
−20
−30
−40
−50
−60
−70
−80
VIN = 10 V
IO = 100 mA
Tj = 25°C
5
4
3
2
1
0
VI = 30 V
VI = 20 V
VI = 10 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
100
1k
10k
100k
1M
IO (A)
周
波数 f (Hz)
SFF00012BJB
11
AN78MxxNSP シリーズ
I 新外形図(単位 : mm)
•
SP-3SUA (鉛フリー)
6.50 0.10
5.40 0.10
(4.35)
(0.50)
(3.00)
2
1.00 0.20
0.23
1
3
0.75
+0.10
2.30
4.60 0.10
0.10 0.10
+0.10
-
0.05
M
0.50
-
0.05
SFF00012BJB
12
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資料に記載の製品および技術で、「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
—
一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電
(3) 本資料に記載されている製品
は、標準用途
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品
質、信
頼性が要
求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前
弊社営業窓口までご相談願います。
—
恐れのある用途
に
(4) 本資料に記載しております製品
りますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合があ
(5) 設計に際して、特に最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責
また、保証値内のご使用であっても、弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
任を負いません。
(6) 防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(7) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断り
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本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項
A. 本資料は、お客
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、予告なく常に更新しておりますので、ご検討
にあたっては、早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。
様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
B. 本資料は正確を期し、慎重 に制作したものですが、記載ミス等の可能性があります。したがって、弊
社は資料中の記述誤り等から生じる損害には責任を負わないものとさせて頂きます。
C. 本資料は、お客様ご自身でのご利用を意図しております。したがって、弊社の文書による許可なく、
インターネットや他のあらゆる手段によって複製、販売および第三者に提供するなどの行為を禁止
いたします。
2001 MAR
相关型号：
SI9130DB
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VISHAY
SI9135LG-T1
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SI9135LG-T1-E3
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SI9135_11
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VISHAY
SI9136_11
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VISHAY
SI9130CG-T1-E3
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SI9130LG-T1-E3
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SI9130_11
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SI9137
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SI9137DB
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SI9137LG
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VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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