D291S [ETC]

SCR / Diode Presspacks ; SCR /二极管Presspacks\n


型号：	D291S
厂家：	ETC
描述：	SCR / Diode Presspacks SCR /二极管Presspacks\n 二极管
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European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

Marketing Information

D 291 S

+0,

ø3,5

±0,2

deepth = 4

on both

Applikation: Beschaltungsdiode zu GTO - Vorrichtungen

Application: Snubberdiode at GTO - Inverter

VWK January

Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 291 S

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

3500V, 4000V

4500 V

3600V, 4100

repetitive peak reverse voltage

t_vj= -40°C...140°C

t_vj= +25°C...140°C

V_RRM

Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

I_FRMSM

I_FAVM

4600 V

700 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current

Dauergrenzstrom / mean forward current

t_C= 85°C

290 A

t_C= 51°C

445 A

Stoßstrom-Grenzwert

t_vj= 25°C

I_FSM

5200 A

4500 A

surge forward current

t_vj= 125°C

Grenzlastintegral

t_vj= 25°C

I²t

135000

I²t-value

t_vj= 125°C

100000 A²s

700 A/µs

Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit

critical repetitive rate of fall of on - state

t_vj= 125°C, I_FM= 3000 A, V_RM= 1600 V

C = 0,125 µF, R = 6W

(-di/dt)

com

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung / forward voltage

t_vj= 125°C i_FM= 1200 A

t_vj= 125°c

V_F

V_(TO)

r_T

4,15 V

1,9 V

Schleusenspannung / threshold voltage

Ersatzwiderstand / forward slope resistance

Sperrstrom / reverse current

t_vj= 125°C

1,76 mW

ca. 30 mA

50 mA

t_vj= 125°C, v = 0,67 V

i_R

RRM

t_vj= 125°C, v = V_RRM

Rückstromspitze / peak reverse recovery current

i_FM= 1000 A, -d_Fi/dt = 250 A/µs

t_vj= 125°C; v_R(Spr)= 1000 V;

C = 0,125 µF; R = 6W

I_RM

500 A

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

i_FM= 1000 A, -d_Fi/dt = 250 A/µs

t_vj= 125°C; v_R(Spr)= 1000 V;

C = 0,125 µF; R = 6W

Q_rr

950 µAs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

R_thJC

thermal resistance, junction to case

0,04 K/W

0,08 K/W

einseitig / single-sided

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCK

thermal resistance, case to heatsink

0,006 K/W

0,012 K/W

einseitig / single-sided

Höchstzulässige Sperrschichttemp. / max. junction temperat.

Betriebstemperatur / operating temperature

t_vjmax

t_cop

t_stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Lagertemperatur / storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix

Anpreßkraft /clamping force

Seite / page 1

9...13 kN

ca. 250 g

20 mm

30 mm

Gewicht / weight

Luftstrecke / air distance

Kriechstrecke / creepage distance

Feuchteklasse / humidity classification

Schwingfestigkeit / vibration resistance

DIN 40040

f = 50 Hz

50 m/s²

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt

in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the

belonging technical notes.

D 291 S

0,100

0,075

2000

i_F

[A]

1500

1000

500

Z_(th)JC

Z_(th)p

[K/W]

0,050

0,025

FAY

60°

120°

FAY

180°

3 4 6 8

180°

3 4 6 8

2 3 4 6 8

0,001

0,01

0,1

t [s]

100

v_F[V]

D 291 S_02

D 291 S_01

Fig. 2

Fig. 1

Transient thermal impedance DC and impuls current

(f = 50 Hz)

Parameter: Current wave form

On-state characteristics i_F= f(V_F)

= 125°C

Upper limit of scatter range

Lower limit of scatter range

1. single-sided cooling

2. both-sided cooling

0,030

0,025

300

f = 50 Hz

f = 60 Hz

V_FRM

[V]

rth

[K/W]

0,020

0,015

0,010

0,005

200

f = 100 Hz

100

f = 200 Hz

f = 500 Hz

FRM

500

1000

1500

2000

2500

90 100

ED [%]

-di/dt [A/µs]

l [°el]

D 291 S_03

D 291 S_08

Fig. 3

Fig. 4

D _rth= f(ED, frequency)

Peak forward recovery voltage (typical values)

Both-sided and one-sided cooling

Current wave form:: squarewave

Parameter: frequency

t_vj= 125°C

t_vj= 25°C

D 291 S

1000

= 3000A

1000A

600A

300A

= 3000A

1000A

600A

300A

I_RM

[A]

I_RM

[A]

100A

100

-di/dt

R(Spr)

7 8 9

R(Spr)

7 8 9

5 6 7 8 9

7 8 9

100

1000

100

1000

-di/dt [A/µs]

D 291 S_05

D 291 S_04

Fig. 5

Fig. 6

Reverse recovery current (upper limit ca. 98% value)

I_RM= f(di/dt)

Reverse recovery current (lower limit ca. 2% value)

I_RM= f(di/dt)

Parameter: I

£ 125°C; C = 0,125 µF

= 6 W; V

R(Spr)

= 1000 V

= 6 W; V

= 1000 V

R(Spr)

1000

700

= 3000A

2000A

1000

Q_rr

1000A

600A

= 3000A

2000A

[µAs]

700

1000A

600A

Q_rr

[µAs]

300A

100A

500

400

300

300A

100A

300

200

-di/dt

R(Spr)

7 8 9

R(Spr)

7 8 9

5 6 7 8 9

7 8 9

100

1000

100

1000

-di/dt [A/µs]

D 291 S_06

D 291 S_07

Fig. 8

Fig. 7

Reverse recovery charge (lower limit ca. 2% value)

Q_rr= f(di/dt)

Reverse recovery charge (upper limit ca. 98% value)

Q_rr= f(di/dt)

Parameter: I

£ 125°C; C = 0,1 µF

= 6 W; V

= 1000 V

R(Spr)

= 6 W; V

R(Spr)

= 1000 V

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