DBDD200S65K1 [ETC]
IGBT Module ; IGBT模块\n
| 型号： | DBDD200S65K1 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | IGBT Module
|
| 文件： | 总5页 (文件大小：110K) |
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Technische Information / Technical Information
Dioden-Module
Diode-Modules
DD 200 S 65 K1
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj=125°C
6500
6300
5800
Periodische Spitzensperrspannung
Tvj=25°C
VCES
V
repetitive peak reverse voltage
Tvj=-40°C
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
200
400
26
A
A
Periodischer Spitzenstrom
tP = 1 ms
IFRM
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
I2t - value, Diode
I2t
k A2s
kV
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
VISOL
10,2
5,1
Teilentladungs Aussetzspannung
RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
partial discharge extinction voltage
VISOL
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
min. typ. max.
IF = 200A, Tvj = 25°C
Durchlaßspannung
VF
IR
3,0
3,8
3,9
0,1
10
4,6
4,7
-
V
V
forward voltage
IF = 200A, Tvj = 125°C
VR = 6300V, Tvj = 25°C
Sperrstrom
-
-
mA
mA
reverse current
VR = 6500V, Tvj = 125°C
-
IF = 200A, - diF/dt = 700A/µs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR = 3600V, Tvj = 25°C
IRM
-
-
270
330
-
-
A
A
VR = 3600V, Tvj = 125°C
IF = 200A, - diF/dt = 700A/µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR = 3600V, Tvj = 25°C
Qr
-
-
180
350
-
-
µC
µC
VR = 3600V, Tvj = 125°C
IF = 200A, - diF/dt = 700A/µs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
VR = 3600V, Tvj = 25°C
Erec
-
-
220
550
-
-
mJ
mJ
VR = 3600V, Tvj = 125°C
Modulinduktivität
LsCE
pro Zweig / per arm
stray inductance module
-
-
25
-
-
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
pro Zweig / per arm
RCC´+EE´
0,37
mΩ
module lead resistance, terminals - chip
prepared by: Dr. Oliver Schilling
date of publication: 2002-07-05
revision/Status: Series 1
approved by: Dr. Schütze 2002-07-05
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DD 200 S65 K1 (final 1).xls
Technische Information / Technical Information
Dioden-Module
Diode-Modules
DD 200 S 65 K1
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand
Diode/Diode, DC
RthJC
RthCK
Tvj, max
Tvj,op
Tstg
-
-
0,063
K/W
K/W
°C
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module
λPaste ≤ 1 W/m*K / λgrease ≤ 1 W/m*K
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
-
0,008
-
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
-
-
-
-
150
125
125
Betriebstemperatur Sperrschicht
junction operation temperature
Schaltvorgänge Diode(SOA)
switching operation Diode(SOA)
-40
-40
°C
Lagertemperatur
storage temperature
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
AlN
56
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
mm
mm
Luftstrecke
clearance
26
CTI
>600
comperative tracking index
Schraube /screw M6
M
5
Nm
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Anschlüsse / terminals M8
M
G
8 - 10
Nm
g
Gewicht
weight
1000
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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DD 200 S65 K1 (final 1).xls
Technische Information / Technical Information
Dioden-Module
Diode-Modules
DD 200 S 65 K1
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
I = f (VF)
F
450
400
25°C
125°C
350
300
250
200
150
100
50
0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
VF [V]
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
safe operation area Diode (SOA)
Pmax = 600kW ; Tvj= 125°C
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
VR [V] (at auxiliary terminals)
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DD 200 S65 K1 (final 1).xls
Technische Information / Technical Information
Dioden-Module
Diode-Modules
DD 200 S 65 K1
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
0,1
0,01
Zth:Diode
10
0,001
0,001
0,01
0,1
1
100
t [s]
1
2
3
4
i
ri [K/kW]
τi [s]
: Diode
: Diode
28,35
0,030
15,75
0,10
3,78
0,30
15,12
1,0
4
DD 200 S65 K1 (final 1).xls
Technische Information / Technical Information
Dioden-Module
Diode-Modules
DD 200 S 65 K1
Äußere Abmessungen /
extenal dimensions
Anschlüsse / Terminals
1
--
2
--
3
--
4,6
5,7
Anode / anode
Kathode / cathode
5
DD 200 S65 K1 (final 1).xls
相关型号：
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