DBFS75R12KE330 [ETC]

IGBT Module ; IGBT模块\n


型号：	DBFS75R12KE330
厂家：	ETC
描述：	IGBT Module IGBT模块\n 双极性晶体管
文件：	总8页 (文件大小：174K)
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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS75R12KE3

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

collector emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1200

105

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_c= 80°C

T_c= 25°C

I_{C, nom}

I_C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_c= 80°C

I_CRM

150

350

+20

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

T_c= 25°C; Transistor

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

t_p= 1ms

I_FRM

150

1200

2,5

repetitive peak forward current

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min:

I²t

A²s

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

1,7

2,0

max.

2,15

I_C= 75A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter saturation voltage

I_C= 75A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 3,0mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

5,0

5,8

0,7

5,3

0,2

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

I_CES

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

I_GES

400

prepared by: MOD-D2; M. Münzer

approved: SM TM; Robert Severin

date of publication: 2002-09-03

revision: 3.0

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2002-09-03

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS75R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

max.

I_C= 75A, V_CC= 600V

V_GE= ±15V, R_G= 4,7Ω, T_vj= 25°C

_GE= ±15V, R_G= 4,7Ω, T_vj= 125°C

Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn on delay time (inductive load)

t_d,on

0,26

0,29

µs

I_C= 75A, V_CC= 600V

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

t_r

V_GE= ±15V, R_G= 4,7Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 4,7Ω, T_vj= 125°C

I_C= 75A, V_CC= 600V

0,03

0,05

µs

Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn off delay time (inductive load)

t_d,off

V_GE= ±15V, R_G= 4,7Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 4,7Ω, T_vj= 125°C

I_C= 75A, V_CC= 600V

0,42

0,52

µs

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

t_f

V_GE= ±15V, R_G= 4,7Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 4,7Ω, T_vj= 125°C

I_C= 75A, V_CC= 600V, L_σ= 70nH

0,07

0,09

µs

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn on energy loss per pulse

E_on

E_off

7,0

9,5

300

_GE= ±15V, R_G= 4,7Ω, T_vj= 125°C

I_C= 75A, V_CC= 600V, L_σ= 70nH

_GE= ±15V, R_G= 4,7Ω, T_vj= 125°C

_P≤ 10µs, V_GE≤ 15V, T_Vj≤ 125°C

V_CC= 900V, V_CEmax= V_CES- L_σCE·di/dt

Ausschaltverlustenergie pro Puls

turn off energy loss per pulse

Kurzschlussverhalten

SC data

I_SC

Modulinduktivität

stray inductance module

L_σCE

mΩ

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip

lead resistance, terminal-chip

T_c= 25°C

R_CC´/EE´

2,5

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter

I_F= 75A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

1,65

2,15

Durchlassspannung

forward voltage

V_F

I_F= 75A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F= 75A, -di_F/dt= 2200A/µs

Rückstromspitze

I_RM

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F= 75A, -di_F/dt= 2200A/µs

peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

µC

7,4

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F= 75A, -di_F/dt= 2200A/µs

13,5

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

E_rec

3,0

5,5

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS75R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

min.

typ.

max.

Nennwiderstand

rated resistance

T_c= 25°C

R₂₅

kΩ

Abweichung von R₁₀₀

deviation of R₁₀₀

T_c= 100°C, R₁₀₀= 493Ω

T_c= 25°C

-5

∆R/R

P₂₅

Verlustleistung

power dissipation

B-Wert

B-value

R₂= R₁exp[B(1/T₂- 1/T₁)]

B_25/50

3375

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Transistor Wechelr. / transistor inverter

Innerer Wärmewiderstand; DC

0,35

0,58

K/W

R_thJC

R_thCK

T_{vj max}

T_{vj op}

T_stg

thermal resistance, junction to case; DC

Diode Wechselrichter / diode inverter

pro Modul / per module

λ_Paste= 1W/m*K / λ_grease= 1W/m*K

Übergangs Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

0,02

K/W

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

maximum junction temperature

150

125

Betriebstemperatur

operation temperature

-40

°C

Lagertemperatur

storage temperature

°C

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation

Al₂O₃

10,0

7,5

internal insulation

Kriechstrecke

creepage distance

Luftstrecke

clearence distance

CTI

225

comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

Schraube / screw M5

mounting torque

Gewicht

weight

180

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften

zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with

the belonging technical notes.

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS75R12KE3

Ausgangskennlinie (typisch)

output characteristic (typical)

I_C= f(V_CE)

V_GE= 15V

150

125

100

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

V_CE[V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch)

output characteristic (typical)

I_C= f(V_CE)

T_vj= 125°C

150

VGE=19V

VGE=17V

VGE=15V

VGE=13V

125

100

VGE=11V

VGE=9V

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

V_CE[V]

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS75R12KE3

Übertragungscharakteristik (typisch)

transfer characteristic (typical)

I_C= f(V_GE)

V_CE= 20V

150

125

100

Tvj=25°C

Tvj=125°C

V_GE[V]

I_F= f(V_F)

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)

forward caracteristic of inverse diode (typical)

150

125

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

100

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

V_F[V]

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IGBT-Module

IGBT-Modules

FS75R12KE3

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f(I_C), E_off= f(I_C), E_rec= f(I_C)

V_GE=±15V, R_G=4,7Ω, V_CE=600V, T_vj=125°C

Eon

Eoff

Erec

100

125

150

I_C[A]

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f(R_G), E_off= f(R_G), E_rec= f(R_G)

V_GE=±15V, I_C=75A, V_CE=600V, T_vj=125°C

Eon

Eoff

Erec

R_G[Ω]

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS75R12KE3

Transienter Wärmewiderstand

Transient thermal impedance

Z_thJC= f (t)

0,1

Zth : IGBT

Zth : Diode

0,01

0,001

0,01

0,1

t [s]

r_i[K/W] : IGBT

3,949E-02

2,345E-03

5,906E-02

3,333E-03

6,139E-02

2,820E-01

3,815E-01

3,429E-02

1,580E-01

2,820E-02

1,099E-01

1,294E-01

8,884E-02

1,128E-01

3,480E-02

7,662E-01

τ [s] : IGBT

r_i[K/W] : Diode

τ [s] : Diode

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA)

V_GE=±15V, R_G=4,7Ω, T_vj=125°C

175

150

125

IC,Chip

IC,Modul

100

200

400

600

800

1000

1200

1400

V_CE[V]

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS75R12KE3

Gehäusemaße / Schaltbild

Package outline / Circuit diagram

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相关型号：