FB15R06KL4 [ETC]
IGBT Module ; IGBT模块\n
| 型号： | FB15R06KL4 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | IGBT Module
|
| 文件： | 总11页 (文件大小：193K) |
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
T
vj =25°C
VRRM
800
58
V
A
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
TC =80°C
IFRMSM
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
T
C =80°C
IRMSmax
IFSM
96
A
tP = 10 ms, Tvj
tP = 10 ms, Tvj = 150°C
=
25°C
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t - value
448
358
1000
642
A
A
I2t
A2s
A2s
t
t
P = 10 ms, Tvj
P = 10 ms, Tvj = 150°C
=
25°C
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
VCES
600
V
TC = 65°C
TC = 25 °C
IC,nom.
IC
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
15
19
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
t
P = 1 ms,
TC =80°C
ICRM
Ptot
30
60
A
W
V
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
VGES
+/- 20V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
15
30
25
A
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P = 1 ms
IFRM
Grenzlastintegral
I2t - value
I2t
A2s
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
prepared by: Thomas Passe
approved by: Ingo Graf
date of publication: 2002-02-13
revision: 4
1(11)
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Vorläufig
Preliminary
Modul Isolation/ Module Isolation
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
NTC connected to Baseplate
VISOL
2,5
kV
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
min. typ. max.
Durchlaßspannung
T
vj = 150°C,
vj = 150°C
vj = 150°C
vj = 150°C,
C = 25°C
I F
=
VF
V(TO)
rT
15 A
-
-
-
0,8
0,61
11
-
-
-
V
V
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
T
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
mꢀ
Sperrstrom
reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
T
V R
=
IR
800 V
-
-
5
4
-
-
mA
T
RAA'+CC'
mꢀ
min. typ. max.
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
VGE = 15V, Tvj
=
25°C, IC
=
=
VCE sat
15 A
15 A
-
-
1,95
2,2
2,55
-
V
V
V
GE = 15V, Tvj = 125°C, IC
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
V
CE = VGE Tvj = 25°C, IC
,
=
VGE(TO)
Cies
0,4mA
4,5
5,5
0,8
5,0
-
6,5
V
f = 1MHz, Tvj = 25°C
VCE = 25 V, VGE = 0 V
Eingangskapazität
input capacitance
-
-
-
-
-
nF
mA
nA
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
VGE = 0V, Tvj =125°C, VCE
=
ICES
600V
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25°C
IGES
400
IC = INenn
,
V CC =
300 V
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
V
V
GE = ±15V, Tvj
GE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
=
25°C, RG
=
=
td,on
68 Ohm
68 Ohm
300 V
-
-
37
34
-
-
ns
ns
I
C = INenn
,
V CC =
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
V
V
GE = ±15V, Tvj
GE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
=
25°C, RG
=
=
tr
68 Ohm
68 Ohm
300 V
-
-
37
37
-
-
ns
ns
I
C = INenn
,
V CC =
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
V
V
GE = ±15V, Tvj
GE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
=
25°C, RG
=
=
td,off
68 Ohm
68 Ohm
300 V
-
-
216
223
-
-
ns
ns
I
C = INenn
,
V CC =
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
V
GE = ±15V, Tvj
=
25°C, RG
=
=
=
tf
68 Ohm
68 Ohm
300 V
-
-
17
26
-
-
ns
ns
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
C = INenn V CC
GE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
I
,
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
V
=
Eon
Eoff
ISC
68 Ohm
=
80 nH
-
-
-
0,6
0,4
60
-
-
-
mWs
mWs
A
L
S
I
V
C = INenn
GE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
L
,
V CC =
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
300 V
68 Ohm
80 nH
68 Ohm
360 V
=
=
S
tP ? 10µs, VGE ? 15V, RG
Tvj?125°C, VCC
=
=
Kurzschlußverhalten
SC Data
2(11)
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Vorläufig
Preliminary
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
min. typ. max.
Modulinduktivität
stray inductance module
L
-
-
40
nH
ꢀCE
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
TC = 25°C
RCC'+EE'
-
13
-
mꢀ
min. typ. max.
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VGE = 0V, Tvj
VGE = 0V, Tvj = 125°C,
IF=INenn
GE = -10V, Tvj
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR
IF=INenn
GE = -10V, Tvj
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR
IF=INenn
GE = -10V, Tvj
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR
=
25°C,
IF
IF
=
=
VF
15 A
15 A
600 A/us
300 V
300 V
600 A/us
300 V
300 V
600 A/us
300 V
300 V
-
-
1,75
1,8
2,15
-
V
V
,
- diF/dt =
25°C, VR
V
=
=
=
IRM
-
-
13
14
-
-
A
A
,
- diF/dt =
25°C, VR
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
V
=
=
=
Qr
-
-
0,7
1,2
-
-
µAs
µAs
,
- diF/dt =
25°C, VR
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
V
=
=
=
Erec
-
-
0,14
0,24
-
-
mWs
mWs
min. typ. max.
NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor
Nennwiderstand
TC = 25°C
R25
-
5
-
kꢀ
Abweichung von R100
TC = 100°C, R100 = 493 ꢀ
ꢁR/R
-5
5
%
deviation of R
100
Verlustleistung
T
C = 25°C
P25
20
mW
K
power dissipation
B-Wert
B-value
R
2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)]
B25/50
3375
3(11)
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Vorläufig
Preliminary
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min. typ. max.
RthJH
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
ꢂ
ꢂ
Paste=1W/m*K
grease=1W/m*K
-
-
-
1,1
2,4
4,0
-
-
-
K/W
K/W
K/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to heatsink
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
-
-
-
-
-
1
2
K/W
K/W
K/W
2,9
RthCH
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
ꢂ
ꢂ
Paste=1W/m*K
grease=1W/m*K
-
-
-
0,2
0,6
1,4
-
-
-
K/W
K/W
K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj
Top
Tstg
-
-
-
-
150
125
125
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
-40
-40
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
CTI
225
40...80
36
comperative tracking index
Anpreßkraft f. mech. Befestigung pro Feder
mounting force per clamp
F
N
Gewicht
weight
G
g
Kontakt - Kühlkörper
Kriechstrecke
terminal to heatsink
creeping distance
13,5
12
mm
Luftstrecke
clearance
mm
Terminal - Terminal
Kriechstrecke
7,5
7,5
mm
mm
terminal to terminal
creeping distance
Luftstrecke
clearance
4(11)
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Vorläufig
Preliminary
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
Output characteristic Inverter (typical)
IC = f (VCE)
VGE = 15 V
30
25
20
15
10
5
Tj = 25°C
Tj = 125°C
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
3,50
4,00
4,50
5,00
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
Output characteristic Inverter (typical)
IC = f (VCE)
Tvj = 125°C
30
25
20
15
10
5
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
Vge=12V
Vge=15V
Vge=20V
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
3,50
4,00
4,50
5,00
VCE [V]
5(11)
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Vorläufig
Preliminary
Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)
Transfer characteristic Inverter (typical)
IC = f (VGE
VCE = 20 V
)
30
25
20
15
10
5
Tj = 25°C
Tj = 125°C
0
5,00
6,00
7,00
8,00
9,00
10,00
11,00
12,00
13,00
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of FWD Inverter (typical)
30
25
20
15
10
5
Tj = 25°C
Tj = 125°C
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
VF [V]
6(11)
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Vorläufig
Preliminary
Schaltverluste Wechselr. (typisch)
Switching losses Inverter (typical)
Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) VCC =
300 V
Tj = 125°C,
VGE = ±15 V,
RGon = RGoff
=
68 Ohm
3
2,5
2
Eon
Eoff
Erec
1,5
1
0,5
0
0
5
10
15
20
25
30
IC [A]
Schaltverluste Wechselr. (typisch)
Switching losses Inverter (typical)
Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG)
Tj = 125°C, VGE = +-15 V , Ic = Inenn
,
VCC =
300 V
3
Eon
Eoff
Erec
2,5
2
1,5
1
0,5
0
60
80
100
120
140
160
180
200
220
RG [ꢀ]
7(11)
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Vorläufig
Preliminary
Transienter Wärmewiderstand Wechselr.
Transient thermal impedance Inverter
ZthJH = f (t)
10,000
1,000
0,100
Zth-IGBT
Zth-FWD
i
1
2
3
4
IGBT: ri [K/W]: 156,8e-3
616,5e-3
784,7e-3
842e-3
ꢀ [s]:
3e-6
10,16e-3
1,31
78,7e-3
78,72e-3
1,03
10,2e-3
225,6e-3
1,4
225,6e-3
i
FWD: ri [K/W]: 261,3e-3
ꢀ [s]:
i
3e-6
0,1
0,001
0,01
1
10
t [s]
Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA)
IC = f (VCE)
Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA)Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG
=
68 Ohm
35
30
25
20
15
10
5
IC,Modul
IC,Chip
0
0
100
200
300
400
500
600
700
VCE [V]
8(11)
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Vorläufig
Preliminary
Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch)
Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)
IF = f (VF)
30
25
20
15
10
5
Tj = 25°C
Tj = 150°C
0
0,00
0,20
0,40
0,60
0,80
1,00
1,20
VF [V]
NTC- Temperaturkennlinie (typisch)
R = f (T)
NTC- temperature characteristic (typical)
100000
10000
1000
Rtyp
100
0
20
40
60
80
100
120
140
TC [°C]
9(11)
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Vorläufig
Preliminary
Schaltplan/ Circuit diagram
ꢀ
Gehäuseabmessungen/ Package outlines
Bohrplan /
drilling layout
10(11)
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4
Gehäuseabmessungen Forts. / Package outlines contd.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Diese gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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