TT425N14KOF [ETC]
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module;
| 型号： | TT425N14KOF |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module 局域网 栅 栅极 |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
TT425N...
TD425N
DT425N
TD425N...-A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1000
1400
1200 V
1600 V
1800 V 1)
VDRM,VRRM
1000
1400
1200 V
1600 V
1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
1100
1500
1300 V
1700 V
1900 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
800 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
ITRMSM
ITAVM
425 A
510 A
TC = 85°C
TC = 74°C
14500 A
12500 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
1051000 A²s
781000 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 747-6
120 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
max.
1,5 V
0,9 V
Tvj = Tvj max , iT = 1500 A
Tvj = Tvj max
vT
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
V(TO)
rT
0,3 mΩ
250 mA
1,5 V
Tvj = Tvj max
max.
max.
Tvj = 25°C, vD = 6 V
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
max.
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
10 mA
5 mA
0,2 V
max.
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
max.
300 mA
IL
max. 1500 mA
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
80 mA
4 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
1) 1800V auf Anfrage/ 1800V on request
C.Drilling
date of publication: 19.12.02
prepared by:
revision:
1
approved by: J. Novotny
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT425N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
250 µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
kV
kV
3,0
3,6
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
max. 0,0390 °C/W
max. 0,0780 °C/W
max. 0,0373 °C/W
max. 0,0745 °C/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Zweig / per arm, DC
0,01
0,02
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
125
°C
Tvj max
Tc op
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
page 3
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
M2
6
Nm
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
12 Nm
A 2,8 x 0,8
typ. 1500
G
g
Kriechstrecke
19 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
1
2
3
1
2
3
1
2
3
4 5
7 6
4 5
7 6
TT
TD
DT
1
2
3
4 5
TD-A
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
0,0267
3
6
7
0,00194
0,000732
0,00584
0,00824
0,01465
0,108
0,0254
0,57
nmax
ꢀ
ꢀ
n
ZthJC
1 - e– t
ꢀ R
n=1
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
Luftselbstkühlung / Natural cooling
1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM 17 (120W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,00944
2,61
0,0576
28,1
0,568
1300
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,0064
4,1
0,0566
24,7
0,168
395
nmax
ꢀR
n=1
1 - e – t
ꢀ
n
ꢀ
ZthCA
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
0,100
Θ =
30°
60°
90°
120°
180°
0,080
0,060
0,040
0,020
0,000
0°
180°
0
t [s]
0,01
0,1
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Θ=
30°
0,100
0,080
0,060
0,040
0,020
0,000
60°
90°
120°
180°
DC
180°
0°
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
700
180°
120°
600
90°
0°
180°
0
500
400
300
200
100
0
60°
= 30°
ꢀ
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
0
100
200
300
400
500
600
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
1000
800
600
400
200
0
DC
180°
180°
0°
0
120°
90°
60°
ꢀ
= 30°
0
100
200
300
400
500
ITAV [A]
600
700
800
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
60°
90°
180°
= 30°
120°
ꢀ
20
0
100
200
300
400
500
600
ITAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
DC
ꢀ
120°
180°
60°
90°
= 30°
20
0
100
200
300
400
500
600
700
800
I
TAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
3000
ID
B2
0,015 0,01
RthCA [°C/W]
+
0,02
2500
2000
1500
1000
500
R-Last
R-load
~
0,03
0,04
L-Last
L-load
-
0,06
0,08
0,10
0,15
0,20
0,30
0
0
200
400
600
I D [A]
800
1000
1200
0
20
40
60
80
100
120
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
4000
3000
2000
1000
0
ID
B6
R thCA [°C/W]
0,015
0,02
0,01
+
3~
0,025
-
0,03
0,04
,
0,06
0,10
0,15
0,20
0,40
0
20
40
60
80
100
120
0
200
400
600
ID [A]
800
1000
1200
1400
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
1500
W1C
0,03
0,02 0,01
~
R thCA [°C/W]
IRMS
0,04
0,06
~
1000
500
0
0,08
0,10
0,15
0,20
0,30
0,40
0,60
0
200
400
600
800
1000
1200
0
20
40
60
A [°C]
80
100
120
T
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA
4000
3000
2000
1000
0
W3C
R thCA [°C/W]
~
~
~
~
~
0,015
0,02
0,01
IRMS
~
0,025
0,03
0,04
0,06
0,10
0,15
0,20
0,30
0,40
0
200
400
600
800
1000
1200
0
20
40
60
80
100
120
T
A [°C]
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
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N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
100
10
1
d
c
b
a
0,1
iG [mA]
10
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
c-100W/0,5ms d – 150 W/0,1ms
a - 40 W/10ms b - 80 W/1ms
1000
100
10
1
a
b
0,1
iGM [mA]
100
1000
10000
10/12
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
A 62/94
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
10000
iTM = 2000A
1000A
500A
200A
100A
50A
20A
1000
100
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
10.000
8.000
6.000
4.000
2.000
0
a
TA = 35 °C
b
TA = 45°C
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT425N
Phase Control Thyristor Module
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
I TAV (vor)
0 A
=
30 A
55 A
75 A
90 A
102 A
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM 17 (120W) Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
I TAV (vor)
0 A
85 A
140 A
190 A
220 A
240 A
=
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650N)
Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
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相关型号：
TT425N14KOFHPSA2
Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 Element, MODULE-7
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TT430N22KOFHPSA2
Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 2 Element, MODULE-7
INFINEON
TT46F08KDC
Silicon Controlled Rectifier, 120A I(T)RMS, 45000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element,
INFINEON
TT46F08KDL
Silicon Controlled Rectifier, 120A I(T)RMS, 45000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element,
INFINEON
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