UNRF1A2 [ETC]

複合デバイス - 抵抗内蔵型トランジスタ ;
UNRF1A2
型号: UNRF1A2
厂家: ETC    ETC
描述:

複合デバイス - 抵抗内蔵型トランジスタ

文件: 总3页 (文件大小:167K)
中文:  中文翻译
下载:  下载PDF数据表文档文件
抵抗内蔵トランジスタ  
UNRF1A2  
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形  
Unit : mm  
デジタル回路用  
3
2
1
I 特ꢀ長  
超小形リードレスパッケージのため機器の小形化および高  
密度実装に最適  
+0.01  
0.39  
1.00 0.0ꢀ  
0.03  
パッケージサイズ(0.6 mm × 1.0 mm × 0.39 mm)  
0.2ꢀ 0.0ꢀ  
0.2ꢀ 0.0ꢀ  
1
I 絶対最大定格 Ta = 25°C  
2
3
0.6ꢀ 0.01  
0.0ꢀ 0.03  
項目  
記号  
定格  
50  
50  
80  
100  
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
V
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
コレクタ電流  
全許容損失  
IC  
mA  
mW  
PT  
ML3-N2 Package  
合温度  
Tj  
125  
°C  
形名表示記号 : 3S  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +125  
°C  
内部接続図  
C
B
R1  
R2  
E
I 電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
VCBO  
条件  
最小 標準 最大  
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時)  
IC = −10 µA, IE = 0  
IC = −2 mA, IB = 0  
VCB = −50 V, IE = 0  
VCE = −50 V, IB = 0  
VEB = −6 V, IC = 0  
VCE = −10 V, IC = −5 mA  
50  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
コレクース間遮断電流(E 開放時) ICBO  
50  
V
0.1  
0.5  
0.2  
µA  
µA  
mA  
コレクミッタ間遮断電流(B開放時)  
ICEO  
エミッース間遮断電流(C 開放時) IEBO  
流電流増幅率  
hFE  
60  
コレクミッタ間飽和電圧  
出力電圧ハイレベル  
出力電圧ローレベル  
入力抵抗  
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA  
0.25  
V
VOH  
VOL  
R1  
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ  
4.9  
V
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ  
0.2  
+30%  
1.2  
V
30%  
22  
1.0  
80  
kΩ  
抵抗比率  
R1 / R2  
fT  
0.8  
トランジション周 波数  
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
MHz  
) 測定方法は本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。  
発行年月 : 20041月  
SJH00090AJD  
1
UNRF1A2  
PT Ta  
IC VCE  
VCE(sat) IC  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
70  
10  
1  
Ta = 25°C  
IB = −1.0 mA  
60  
50  
40  
30  
20  
− 0.9 mA  
− 0.8 mA  
− 0.7 mA  
− 0.6 mA  
− 0.5 mA  
− 0.4 mA  
Ta = 85°C  
− 0.3 mA  
− 0.2 mA  
0.1  
25°C  
25°C  
10  
IC / IB = 10  
100  
− 0.1 mA  
0
0.01  
0
20 40 60 80 100 120 140  
0
2  
4  
6  
8  
10 12  
1  
10  
(
)
(
)
囲温度 Ta °C  
コレクタ電流 IC mA  
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)  
hFE IC  
Cob VCB  
IO VIN  
250  
200  
150  
100  
50  
10  
100  
10  
1  
f = 1 MHz  
Ta = 25°C  
Ta = 25°C  
Ta = 85°C  
VCE = −10 V  
25°C  
1
25°C  
0
1  
0.1  
0.1  
10  
100  
0
10  
20  
30  
40  
0
2  
4  
6  
8  
10 12  
(
)
(
)
V
コレクタ電流 IC mA  
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)  
入力電圧 VIN  
VIN IO  
100  
10  
1  
VO = − 0.2 V  
Ta = 25°C  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
(
)
出力電流 IO mA  
SJH00090AJD  
2
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項  
(1) 本資料に記載の製および技術で、外国為替及び外国貿易法該当するものを輸出する時ま  
たは外に持ち出す時は本政府の許可が必です。  
(2) 本資料に記載の技術情報は製の代表特性および応用回路例などを示したものであり社もし  
くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあり  
ません。  
(3) 上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合社はその責  
を負うものでは  
ありません。  
一般電子機器(事務機器機器測機器電  
(4) 本資料に記載されている製品  
など)に使用されることを意図しております。  
特別な性が求されの故障や誤動作が直接人命を脅かしたり体に危害を及ぼす  
特定用途(・宇 宙 用 通機器焼機器命維持装置全装置など)に  
ご使用をお考えのお様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお様は前  
弊社営業窓口までご相談願います。  
準用途  
恐れのある用途  
(5) 本資料に記載しております製品  
りますのでご了承くださいたがって終的な設計購入使用に際しましてはに最新  
の製規格書または仕様書をお求め願い確認ください。  
および製仕様は良などのために予告なく変更する場合があ  
(6) 設計に際してに最大定格作電源電圧範囲熱特性については保証範囲内でご使用いただ  
きますようお願い致します証値を超えてご使用された場合の後に発生した機器の欠陥につ  
いては弊社として責  
また証値内のご使用であっても導体製について通常予測される故障発生率障モード  
をご考慮の上社製の動作が因でご使用機器が人身事故災事故会的な損害などを生じ  
任を負いません。  
させない冗長設計焼対策設計動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう  
お願い致します。  
(7) 防湿包装を必とする製につきましては々の仕様書取り交わしの折り決めた条件 (保存  
期間封後の放置時間など)を守ってご使用ください。  
(8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに載または複製することを堅くお断り  
いたします。  
2002 JUL  

相关型号:

UNRF1A3

Composite Device - Transistors with built-in Resistor
ETC

UNRF1A4

Composite Device - Transistors with built-in Resistor
ETC

UNRF1A5

Composite Device - Transistors with built-in Resistor
ETC

UNRF1A6

複合デバイス - 抵抗内蔵型トランジスタ
ETC

UNRF1A7

Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.60 X 1 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, ULTRAMINIATURE, ML3-N2, 3 PIN
PANASONIC

UNRF1A9

Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.60 X 1 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, ULTRAMINIATURE, ML3-N2, 3 PIN
PANASONIC

UNRF1AA

Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 1 X 0.60 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA MINI, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN
PANASONIC

UNRF1AF

Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 1 X 0.60 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN
PANASONIC

UNRF1AH

Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 1 X 0.60 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA MINI, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN
PANASONIC

UNRF1AL

Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 1 X 0.60 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA MINI, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN
PANASONIC

UNRF1AM

Composite Device - Transistors with built-in Resistor
ETC

UNRF1AN

複合デバイス - 抵抗内蔵型トランジスタ
ETC