VDD181MNNA [ETC]
CMOS; CMOSAnaSem
Analog Semiconductor IC
VDD 系列
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测
CMOS 电压检测器(内置延迟电路)
Rev. C09-09
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
Rev. C09-09
产品规格书
AnaSem
安纳森半导体
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
概述
无卤素
RoHS
VDD系列乃用于低电压范围的低功耗,高检测精度的内置延迟电路电压
检测器. VDD系列达成的检测精度是以集成电路内以温度系数调整的高准
确率参考电压值来作基准。本集成电路采用最新的CMOS生产技术和激
光微调技术,与精锐的生产监控。因为内置有延迟电路,延迟检测时间
不需配合外围元件便可以原厂设定之延迟时间范围来选择。
符合标准
特点
z 检测电压范围 ····························································1.8V~6.0V (selectable with a step of 0.1V)
z 工作电压范围 ····························································0.7V~6.0V
z 高精度电压检测 ····················································· ±1% (VDET=1.8V~6.0V)
z 电压检测温度特征 ····················································Typ.±20ppm/°C (VDET=1.8V~6.0V)
z 延迟时间选择 ····························································S/10~50ms,M/50~200ms, L/80~400ms
z 输出类别 ···································································CMOSorN-channel open drain
z 低功耗 ·································································· Typ. 0.6µA (VIN=1.5V)
z 工作温度范围 ····························································–40°C ~ +85°C
z 小型封装 ···································································SOT-23(400mW), SON-4 (400mW)
应用范围
z 微型处理器的从设程序
z 各类系统的开动从设
z 电池充电检测
z 各类系统备用电源,电池开关控制
z 电池寿命检测
z 延迟电路设计
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低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
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VDD 系列
产品型号定义
VDD
设计版本
A : TOPR = –40°C ~ +85°C
IC封装类别
T : SOT-23
N : SON-4
输出形式
延迟时间
C : CMOS式输出
N : N-沟道式输出
S : 10msec~50msec
M : 50msec~200msec
L : 80msec~400msec
电压检测精度
检测电压
1 : ±1%
18 ~ 60 : 在1.8V ~ 6.0V检测电压范围内以
0.1V间隔设定检测电压
e.g.) 18 : 1.8V
30 : 3.0V
PIN脚排位 / IC封装记号 (SOT-23)
z Pin脚排位
VIN
3
位置.
记号
解说
1
2
3
VOUT
VSS
VIN
输出
接地
A B C D E
电压输入
F
F F F
z Marking Specification
2
1
位置
A
记号
C 或 N
18~60
解说
VOUT
VSS
输出模式
检测电压
(顶视图)
BC
D
S, M 或 L
A
延迟时间选择
版本
E
F
厂方设定
生产批号
AnaSem Inc.
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VDD 系列
PIN脚排位 / IC封装记号 (SON-4)
z Pin脚排位
VSS
4
NC
3
位置
记号
VOUT
VIN
解说
1
2
3
4
电压输出
电压输入
A B C D E
NC
不接 (开电路)
F
F F F
VSS
接地
z IC封装记号
2
1
位置
记号
C 或 N
18~60
解说
VOUT
VIN
A
BC
D
输出模式
检测电压
延迟时间选择
版本
(Top view)
S, M 或 L
A
E
厂方设定
F
生产批号
典型应用电路
z
CMOS式输出
z
N-沟道式输出
100KΩ
VOUT
VSS
VOUT
VIN
VIN
VSS
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IC电路图
z
CMOS式输出
z
N-沟道式输出
VIN
VIN
+
_
+
_
VOUT
VOUT
Delay
circuit
Voltage
Reference
Voltage
Reference
Delay circuit
Vss
Vss
绝对最大工作范围值
项目
电压输入范围
输出电流
符号
规格
单位
V
VIN
IOUT
VOUT
PD
–0.3 ~ +7.0
50
mA
V
电压输出范围
VSS –0.3 ~ VIN +0.3
400 (on PCB)
400 (on PCB)
–40 ~ +85
SOT-23
SON-4
mW
mW
°C
功率耗散 ※1)
PD
工作温度范围
TOPR
TSTG
储存温度范围
–55 ~ +125
°C
注:
※1) 功率耗散规格是依照IC已上PCB板的条件来定
PCB板的尺寸为 50mm×50mm×1.6mm.
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电子规格
(Ta=25°C 除非另有注明)
测试
项目
符号
VIN
条件
最低
一般
-
最高
单位
V
电路
工作电压范围
检测电压
VDET = 1.8V ~ 6.0V
0.7
6.0
1
VDET = 1.8V ~ 6.0V
Ta = –40°C ~ +85°C
VDET
×0.99
VDET
×1.01
VDET
VHYS
VDET
V
1
1
VDET
×0.02
VDET
×0.05
VDET
×0.08
滯後现象范围
V
VIN=0.7V
0.1
1.0
3.0
5.0
6.0
7.0
-
0.35
2.3
8.2
11.1
12.8
13.8
-9.5
9.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
VIN=1.0V
VIN=2.0V
VIN=3.0V
VIN=4.0V
VIN=5.0V
VIN=6.0V
VIN=6.0V
VIN=1.5V
VIN=2.0V
VIN=3.0V
VIN=4.0V
VIN=5.0V
-
N-ch
VDS=0.5V
3
-
输出电流
IOUT
-
-
CMOS P-ch
VDS=2.1V
-1.5
-
4
3
CMOS N-ch
VDS=2.1V
1.5
-
2.1
2.5
2.8
3.0
3.4
100
-
-
μA
电流功耗
ISS
2
-
μA
-
μA
-
μA
流失电流
ILEAK
VIN=6.0V VOUT=6.0V
VDET = 1.8V ~ 6.0V
-
nA
3
1
∆VDET
/
-
电压检测温度特征
±20
-
ppm/°C
ms
ms
ms
∆Ta•VDET Ta = –40°C ~ +85°C
10
50
80
50
200
400
延迟时间
VDR→VOUT inversion
TDLY
VIN = 0.7V ~ 6.0V
-
5
-
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测试电路
z 电路 (1) – 工作电压,检测电压,滯後现象范围,电压检测温度特征
100Kꢀ *1)
R
VIN
VIN
VOUT
V
VSS
V
注 1) :
在CMOS式输出的产品上电阻(100Kꢀ)可以省掉
z 电路 (3) – N-沟道驱动输出电流
z 电路 (2) – 电流功耗
A
VIN
VIN
VIN
VIN
VOUT
A
VOUT
VSS
VSS
VDS
z 电路 (4) – P-沟道驱动输出电流
z 电路 (5) – 延迟时间 (VDR→VOUT 反向)
100Kꢀ *1)
R
VIN
VIN
VDS
VIN
A
VOUT
VOUT
波形型号量度
VSS
VSS
注 1) :
在CMOS式输出的产品上电阻 (100Kꢀ) 可以省掉
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工作原理解说
z 一般运作 (CMOS式输出)
请产考以下CMOS式输出的VDD系列电路图 ;
VIN
+
_
Delay
Circuit
P-ch
N-ch
Voltage
Reference
VOUT
Vss
A. 当输入电压(VIN)高于释放电压(VREL), 输入电压(VIN)会由输出端提供,因此时电路内的N-沟道 三极管
为OFF的状态而P-沟道三极管会成ON的状态。此外, 如输入电压保持在高于设定的检测电压(VDET)时
输出电压会保持与输入电压(VIN)相等。
B. 当输入电压(VIN)下降至低于设定的检测电压
(VDET), 电路内的N-沟道三极管为ON状态,
而 P-沟道三极管会成为OFF。此外,此情况
下电压输出(VOUT)与地电压(VSS)相等。
[ 运作时间表 ]
输入电压 (VIN)
释放电压 (VREL)
检测电压 (VDET)
C. 当输入电压(VIN)下降至低于最低工作电压,
电压输出(VOUT)会成不稳定状况, 或当电压输
出被拉至输入电压时电压输出(VOUT)水平会
达至输入电压(VIN)水平。
最低工作电压
地电压 (VSS)
D. 当输入电压(VIN)上升至高于最低工作电压时,
虽然输入电压(VIN)升高于检测电压(VDET),
在不超于释放电压(VREL)的情况下,地电压
(VSS)会保持原来的水平。
输出电压 (VOUT)
释放电压 (VREL)
E. 随着延迟时间, 当输入电压(VIN)升至超于释
放电压(VREL)时,内置的N-沟道三极管会成
OFF状态,而P-沟道三极管会成ON状态。此
外, 在此情况下输出电压(VOUT)与输入电压
(VIN)相等. 此释放电压(VREL)与检测电压(VD
ET)的相差乃滯後现象范围(VHYS)。
Detection voltage (VDET)
滯後现象范围(VHYS)
延迟时间 (TDLY)
最低工作电压
地电压 (VSS)
A B
C
D E
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一般特征 – 供应电流 vs. 输入电压
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+85°C
3.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2.5
2.0
1.5
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=-40°C
Ta=+25°C
Ta=-40°C
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+85°C
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=-40°C
Ta=+25°C
Ta=-40°C
0.5
0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
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VDD 系列
一般特征 – 检测和释放电压 vs. 温度
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
1.92
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
2.66
2.64
Release Voltage
1.90
Release Voltage
2.62
2.60
2.58
2.56
2.54
2.52
1.88
1.86
1.84
1.82
Detect Voltage
Detect Voltage
1.80
1.78
2.50
2.48
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
Ambient Temperature : Ta (°C)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
4.80
3.75
3.70
3.65
3.60
Release Voltage
4.75
4.70
4.65
4.60
4.55
Release Voltage
3.55
3.50
3.45
Detect Voltage
Detect Voltage
4.50
4.45
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
Ambient Temperature : Ta (°C)
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VDD 系列
一般特征 – 输出电压 vs. 输入电压
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
Ta=25°C
2.5
3.0
VDET
VDET
VREL
VREL
2.5
2.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
Input Voltage : VIN (V)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
Ta=25°C
Ta=25°C
4.0
5.0
VDET
VREL
VDET
VREL
4.5
3.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
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低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
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VDD 系列
一般特征 – N-沟道驱动 vs. VDS
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
Ta=25°C
1.2
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
1.1
1.0
VIN=0.8V
VIN=0.8V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VIN=0.7V
VIN=0.7V
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
VDS (V)
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
VDS (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451MCTA (CMOS 4.5V)
Ta=25°C
Ta=25°C
1.2
1.1
1.0
1.2
1.1
1.0
VIN=0.8V
VIN=0.8V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VIN=0.7V
VIN=0.7V
0
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
VDS (V)
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
VDS (V)
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VDD 系列
一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. VDS (续)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
Ta=25°C
Ta=25°C
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
10.0
9.0
VIN=2.0V
VIN=1.5V
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
VIN=1.5V
8.0
6.0
4.0
2.0
0
VIN=1.0V
3.0
2.0
1.0
0
VIN=1.0V
1.0
0
0.5
1.5
2.0
2.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VDS (V)
VDS (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451MCTA (CMOS 4.5V)
Ta=25°C
Ta=25°C
40.0
35.0
30.0
25.0
20.0
15.0
60.0
50.0
40.0
30.0
VIN=4.0V
VIN=3.0V
VIN=2.0V
VIN=3.5V
VIN=2.5V
VIN=3.0V
VIN=2.5V
VIN=2.0V
VIN=1.5V
20.0
VIN=1.5V
10.0
5.0
0
10.0
0
VIN=1.0V
1.0
0
0.5
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
VDS (V)
VDS (V)
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VDD 系列
一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
12.0
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
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VDD 系列
一般特征 – P-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
Ta=25°C
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
VDS=2.1V
VDS=1.5V
VDS=1.0V
5.0
4.0
3.0
2.0
VDS=0.5V
1.0
0
0
1
2
2
2
3
4
5
5
5
6
7
7
7
8
Input Voltage : VIN (V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
VDS=2.1V
VDS=1.5V
VDS=1.0V
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
VDS=0.5V
0
1
3
4
6
8
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
Ta=25°C
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
VDS=2.1V
VDS=1.5V
VDS=1.0V
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
VDS=0.5V
0
1
3
4
6
8
Input Voltage : VIN (V)
AnaSem Inc.
14
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
一般特征 – 延迟时间选择 vs. 温度
z VDD221MCTA (CMOS 2.2V)
z VDD271MCTA (CMOS 2.7V)
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
200
180
160
140
120
200
180
160
140
120
100
80
100
80
60
60
VIN=6.0V
VIN=5.4V
VIN=6.0V
VIN=5.4V
40
40
20
20
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
Ambient Temperature : Ta (°C)
z VDD271SNTA (N-ch 2.7V)
z VDD301MCTA (CMOS 3.0V)
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
50
45
40
35
30
200
180
160
140
120
25
20
15
100
80
60
VIN=6.0V
VIN=5.4V
VIN=6.0V
VIN=5.4V
10
5
40
20
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
Ambient Temperature : Ta (°C)
AnaSem Inc.
15
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
一般特征 – 延迟时间选择 vs. 输入电压
z VDD221MCTA (CMOS 2.2V)
z VDD271MCTA (CMOS 2.7V)
VIN=2.36V~6.0V, Step=0.2V
180
VIN=2.88V~6.0V, Step=0.2V
180
160
140
120
100
80
160
140
120
100
80
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
60
40
60
40
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
z VDD271SNTA (N-ch 2.7V)
z VDD301MCTA (CMOS 3.0V)
VIN=2.88V~6.0V, Step=0.2V
VIN=3.2V~6.0V, Step=0.2V
50
180
160
140
120
100
80
45
40
35
30
25
20
15
10
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
60
40
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
AnaSem Inc.
16
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
IC封装尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
0~30°
2.9±0.2
0.4±0.1
(Marked Side)
0~0.1
0~10°
+0.11
–0.05
0.15
0.4±0.1
0.4±0.1
0.95
1.9±0.2
0.95
1.1±0.15
贴装尺寸建议
0.8
0.8
0.8
0.95
0.95
1.9
AnaSem Inc.
17
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
角膜贴装和IC装带规格 (SOT-23)
(单位 : mm)
4.0±0.1
+0.1
ø1.5 –0
0.2±0.05
2.0±0.05
Mark
Mark
1.65 max.
4.0±0.1
3.35±0.1
ø1.05±0.05
装带方向
装卷尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
90°
120°
2.0±0.5
9.0±0.5
(3,000 pcs / 卷)
AnaSem Inc.
18
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
IC封装尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
1.3
+0.10
-0.05
0.3
(Marked side)
0.6±0.05
0.35 +-00..0150
2.0±0.2
2.0±0.2
贴装尺寸建议
0.45
0.45
0.5
0.45
1.3
AnaSem Inc.
19
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
角膜贴装和IC装带规格 (SON-4)
(单位 : mm)
4.0±0.1
+0.1
ø1.5 –0
0.25±0.05
2.0±0.05
Mark
Mark
0.75±0.1
4.0±0.1
2.4±0.1
ø1.05±0.05
装带方向
装卷尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
90°
120°
2.0±0.5
9.0±0.5
(3,000 pcs / reel)
AnaSem Inc.
20
.......... Future of the analog world
AnaSem
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ANASEM INC.
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Low voltage, Low power, 1% High detect accuracy CMOS Voltage Detector with Delay circuit
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