XN0611FH(XN611FH) [ETC]
複合デバイス － 複合トランジスタ ;
| 型号： | XN0611FH(XN611FH) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 文件： | 总5页 (文件大小：212K) |
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複合トランジスタ
XN0611FH (XN611FH)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
+0.20
–0.05
1.9 0.1
(0.95) (0.95)
2.90
+0.10
スイッチング用 / デジタル回路用
0.16
–0.06
4
5
6
■ 特ꢀ長
•
•
1パッケージに2素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)
積とアセンブリコストの半減が可能
実装面
3
2
1
+0.10
–0.05
0.30
+0.10
–0.05
0.50
■ 基
本品
種
10˚
•
UNR211F (UN211F) + UNR211H (UN211H)
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
記号
定格
単位
1 : Collector (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Collector (Tr2)
EIAJ : SC-74
4 : Base (Tr2)
5 : Emitter (Tr2)
6 : Emitter (Tr1)
Tr1
コレクタ・ベース間電圧
(E 開放時)
VCBO
−50
V
Mini6-G1 Package
コレクタ・エミッタ間
VCEO
−50
V
電圧(B 開放時)
形名表示記号 : 4S
コレクタ電流
IC
100
mA
V
−
内部接続図
Tr2
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
−50
(E 開放時)
4
5
2
6
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
VCEO
−50
V
Tr1
1
コレクタ電流
全許容損失
IC
−100
mA
Tr2
3
総合
PT
300
mW
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
注) 形名の( )内は，従来品
番です
発行年月 : 2003年7月
SJJ00099BJD
1
XN0611FH
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C
•
Tr1部
項目
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
記号
条件
IC = −10 µA, IE = 0
最小 標準 最大
単位
V
VCBO
−50
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO
IC = −2 mA, IB = 0
−50
V
VCB = −50 V, IE = 0
VCE = −50 V, IB = 0
VEB = −6 V, IC = 0
VCE = −10 V, IC = −5 mA
− 0.1
− 0.5
−1.0
µA
µA
mA
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)
ICEO
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) IEBO
直
流電流増幅率
hFE
30
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
出力電圧ハイレベル
出力電圧ローレベル
入力抵抗
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
− 0.25
V
VOH
VOL
R1
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
−4.9
−30%
V
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
− 0.2
V
4.7
0.47
80
+30%
kΩ
抵抗比率
R1 / R2
fT
トランジション周 波数
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
MHz
注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
•
Tr2部
項目
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
記号
条件
IC = −10 µA, IE = 0
最小 標準 最大
単位
V
VCBO
−50
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO
IC = −2 mA, IB = 0
−50
V
VCB = −50 V, IE = 0
VCE = −50 V, IB = 0
VEB = −6 V, IC = 0
VCE = −10 V, IC = −5 mA
− 0.1
− 0.5
− 0.5
µA
µA
mA
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)
ICEO
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) IEBO
直
流電流増幅率
hFE
30
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
出力電圧ハイレベル
出力電圧ローレベル
入力抵抗
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
− 0.25
V
VOH
VOL
R1
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
−4.9
V
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
− 0.2
+30%
0.27
V
−30%
2.2
0.22
80
kΩ
抵抗比率
R1 / R2
fT
0.17
トランジション周 波数
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
MHz
注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
SJJ00099BJD
2
XN0611FH
共通特性図
PT Ta
500
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
(
)
周
囲温度 Ta °C
Tr1部特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−1
−240
160
120
80
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
Ta = 75°C
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
−200
−160
−120
−80
−40
0
25°C
−25°C
Ta = 75°C
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
−0.2 mA
25°C
−0.1
40
−25°C
−0.1 mA
−
0.01
−0.1
0
−1
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8 −10 −12
−10
−100
−1000
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
5
4
3
2
1
0
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8 −1.0 −1.2 −1.4
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
SJJ00099BJD
3
XN0611FH
Tr2部特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
240
200
160
120
80
−120
−100
−80
−60
−40
−20
0
−100
−10
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
IB = −0.5 mA
−0.4 mA
Ta = 75°C
25°C
−1
Ta = 75°C
25°C
−0.3 mA
−25°C
−0.2 mA
−0.1 mA
−0.1
−0.01
40
−25°C
0
−0.1
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1000
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
VIN IO
6
5
4
3
2
1
0
−100
−10
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
出力電流 IO (mA)
SJJ00099BJD
4
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
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を負うものでは
ありません。
—
一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電
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製品など)に使用されることを意図しております。
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は、標準用途
—
恐れのある用途
に
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りますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新
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および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合があ
(6) 設計に際して、特に最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責
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任を負いません。
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お願い致します。
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期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断り
いたします。
2002 JUL
相关型号：
XN06213G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI6-G3, 6 PIN
PANASONIC
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