D721S [EUPEC]
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode; Schnelle Gleichrichterdiode快速二极管
| 型号： | D721S |
| 厂家： | 
EUPEC GMBH |
| 描述： | Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode |
| 文件： | 总7页 (文件大小：87K) |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
D 721 S
C
±
ø3,5
A
0,1
-
48
75-0,2
Applikation: Freilaufdiode in Spannungszwischenkreisumrichter
bis V = 2000 V
D(DC)
VWK January
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 721 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
3500 V, 4000V
4500 V
repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C...125°C
tvj = +25°C...125°C
VRRM
Stoßspitzensperrspannung
3600 V, 4100V
4600 V
non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
IFRMSM
IFAVM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
1700 A
tC = 85°C
tC = 52°C
tvj = 25°C
tvj = 125°C
tvj = 25°C
tvj = 125°C
720 A
1080 A
1)
Stoßstrom-Grenzwert
IFSM
16000 A
15000 A
1)
surge forward current
6
Grenzlastintegral
I²t
1,3x10 A²s
6
I²t-value
1,13x10 A²s
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
critical repetitive rate of fall of on - state
tvj = 125°C, IFM = 2000 A, V = 3000 V
(-di/dt)
500 A/µs
R
com
C = 0,25 µF, R = 6W
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage
Durchlaßspannung / forward voltage
tc = -40°C ... +85°C
tvj = 125°C iFM = 2500 A
tvj = 125°C
VR(D)
VF
typ. 2000 V
3,5 V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Sperrstrom / reverse current
V(TO)
rT
1,7 V
tvj = 125°C
0,69 mW
ca. 75 mA
140 mA 1)
600 A
tvj = 125°C, v = 0,67 V
iR
R
RRM
tvj = 125°C, v = VRRM
R
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
iFM = 1000 A, -dFi/dt = 250 A/µs
IRM
tvj = 125 °C; v = 1000 V;
R
C = 0,25 µF; R = 6W
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
iFM = 1000 A, -dFi/dt = 250 A/µs
Qrr
1700 µAs
tvj = 125 °C; v = 1000 V;
R
C = 0,25 µF; R = 6W
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Anoden / anode
RthJC
thermal resistance, junction to case
0,018 K/W
0,033 K/W
0,04 K/W
Kathode / cathode
Übergangs-Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCK
thermal resistance, case to heatsink
0,005 K/W
0,01 K/W
Höchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
tvjmax
tc op
tstg
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Anpreßkraft /clamping force
Seite / page 1
15...36 kN
ca. 600 g
ca. 20 mm
30 mm
F
Gewicht / weight
G
Luftstrecke / air distance
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
DIN 40040
f = 50 Hz
C
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)
D 721 S
4000
4000
100%
90% 80% 70% 60%
50%
3500
PFAV
[W]
iF
[A]
3000
3000
40%
30%
2500
2000
1500
1000
500
2000
1000
0
20%
10%
5%
0
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
vF [V]
4,0
4,5
500
1000
1500
2000
IF [A]
2500
D 721 S_02
D 721 S_01
Fig. 1
On-state characteristic iF = f(VF)
Fig. 2
On-state losses (average values)
IF = f(PFAV
t
= 125°C
vj
)
Upper limit of scatter range
Lower limit of scatter range
tvj = 125 °C
0,06
0,05
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
1. ZthJC
2. ZthJC
3. ZthJC
t
t
t
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
ZthJC
[K/W]
1
2
3
4
5
S
0,00637 1,80000 0,02137 8,00000 0,02837 6,80000
0,00904 0,14000 0,00904 0,14000 0,00904 0,14000
0,00267 0,01410 0,00167 0,01410 0,00167 0,01410
0,00080 0,00265 0,00080 0,00265 0,00080 0,00265
0,00012 0,00067 0,00012 0,00067 0,00012 0,00067
3
2
0,04
0,00180
-
0,03300
-
0,04000
-
0,03
0,02
0,01
Analytical function:
n
max
ZthJC =
Rthn (1-EXP(-t/t n))
S
1
n = 1
2
3 4 6 8
2
3 4 6 8
2
3 4 6 8
2
3 4 6 8
2
3 4 6 8
0
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
100
D 721 S_03
Fig. 3
Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC
1 - Two-sided cooling
2 - Anode-sided cooling
3 - Cathode-sided cooling
D 721 S
0,008
0,007
100
f = 50Hz
f = 60Hz
8
6
5
D
rth
4
3
[K/W]
0,006
IFSM
[kA]
2
0,005
0,004
0,003
0,002
0,001
0
10
f = 100Hz
8
6
5
4
3
I
FSM
f = 200Hz
f = 500Hz
1
50
tp
4
T =
Hz
2
Sine half wave 50Hz
2
3
4
5 6
8
2
3
4
5 6
8
2
3
5 6
8
1
0,1
1
1
10
10
20
30
40
50
60
70
ED [%]
l [°el]
80
90 100
tp [ms]
D 721 S_05
D 721 S_04
Fig. 4
Fig. 5
Surge Current IFSM = f(tp)
D rth = f(ED, Frequency)
IFSM = f(Sine half wave)
Two-sided cooling
Current wave form: square wave
Parameter: frequency
tvj = 125°C
VR = 0
1000
1000
3000A
3000A
2000A
1000A
600A
9
7
9
7
2000A
1000A
600A
300A
100A
300A
100A
5
4
5
4
IRM
[A]
IRM
[A]
3
2
3
2
100
100
9
7
9
7
5
4
5
4
3
2
3
2
I
I
FM
-di/dt
FM
-di/dt
Q
rr
Q
rr
V
R
V
R
I
I
RM
RM
2
3
4
5
6
7 8 9
2
3
4
5 6 7 8 9
2
3
4
5
6
7 8 9
2
3
4
5 6 7 8 9
10
10
10
10
100
1000
100
1000
-di/dt [A/µs]
-di/dt [A/µs]
D 721 S_07
D 721 S_06
Fig. 6
Fig. 7
Reverse recovery current (upper-limit, ca. 98% values)
Reverse recovery current (lower-limit, ca. 2% values)
Application: GTO-freewheeling diode
Application: GTO-freewheeling diode
Parameter: I
Parameter: I
FM
£ 125°C; C ³ 4µF
FM
£ 125°C; C ³ 4µF, Diode D291S
t
t
vj
S
vj
S
R
S
= 0 W; V > 2000 V ... 3000 V
R = 0 W; V > 2000 V ... 3000 V
S R
R
D 721 S
1000
1000
9
7
9
7
I
FM
Q
rr
5
4
5
4
-di/dt
V
R
Qrr
[µAs]
I
RM
Qrr
[µAs]
I
= 3000A
2000A
1000A
600A
300A
100A
FM
3
2
3
2
I
= 3000A
2000A
1000A
600A
FM
300A
100A
100
100
9
7
9
7
5
4
5
4
3
2
3
2
I
FM
Q
rr
-di/dt
V
R
I
RM
2
3
4
5
6
7 8 9
2
3
4
5 6 7 8 9
2
3
4
5
6
7 8 9
2
3
4
5 6 7 8 9
10
10
10
10
100
1000
100
1000
-di/dt [A/µs]
-di/dt [A/µs]
D 721 S_08
D 721 S_09
Fig. 8
Fig. 9
Reverse recovery charge (upper limit, ca. 98% values)
Reverse recovery charge (lower limit, ca. 2% values)
Application: GTO-freewheeling diode
Application: GTO-freewheeling diode
Parameter: IFM
Parameter: IFM
t
£ 125°C; C ³ 4µF
t
£ 125°C; C ³ 4µF
vj S
vj
S
R
S
= 0 W; V > 2000 V ... 3000 V
R = 0 W; V > 2000 V ... 3000 V
S R
R
10
10
9
9
I
= 3000A
FM
3000A
1000A
600A
7
7
1000A
600A
5
4
5
4
Eoff
[Ws]
Eoff
[Ws]
300A
300A
3
2
3
2
100A
100A
1
1
9
7
9
7
5
4
5
4
3
2
3
2
I
I
FM
FM
Q
Q
rr
rr
V
-di/dt
I
V
-di/dt
I
R(Spr)
R(Spr)
V
RM
V
R
RM
R
2
3
4
5
6
7 8 9
2
3
4
5 6 7 8 9
2
3
4
5
6
7 8 9
2
3
4
5 6 7 8 9
0,1
10
0,1
10
100
1000
100
1000
-di/dt [A/µs]
-di/dt [A/µs]
D 721 S_11
D 721 S_13
Fig. 11
Fig. 10
Turn-off-losses Eoff = f(di/dt)
diodes with VFmax
Turn-off-losses Eoff = f(di/dt)
diodes with VFmax
Application: GTO-freewheeling diode
VR(Spr) = 3000 V
VR(Spr) = 2000 V
Application: GTO-freewheeling diode
Parameter:I ; Snubberdiode D 291 S
FM
Parameter:I ; Snubberdiode D 291 S
FM
VR(Spr) = 3000 V
VR(Spr) = 2000 V
t
= 125°C; C = 4 µF für v £ V
S R
t
= 125°C; C = 6 µF für v £ V
vj
RM
= 24 µF für v ³ V
RM
vj
S
R
RM
= 36 µF für v ³ V
RM
C
S
C
S
R
R
L = 0,2 µH
S
L
= 0,2 µH
S
D 721 S
60
50
10
I
=
FM
3000A
1000A
9
7
600A
5
4
300A
VFRM
[V]
Eoff
[Ws]
3
2
40
30
20
10
0
100A
1
9
7
5
4
3
2
I
FM
Q
rr
V
FRM
V
-di/dt
I
R(Spr)
V
RM
R
2
3
4
5
6
7
8
9
2
3
4
5
6
7 8 9
0,1
10
100
1000
100
200
300
400
500
600
700 800
di/dt [A/µs]
-di/dt [A/µs]
D 721 S_12
D 721 S_10
Fig. 12
Fig. 13
Turn-off-losses Eoff = f(di/dt)
diodes with VFmax
Application: GTO-freewheeling diode
Parameter:I ; Snubberdiode D 291 S
FM
Peak Forward Recovery Voltage
(typical values)
Parameter: t
vj
tvj = 125°C
tvj = 25°C
t
= 125°C; C = 4 µF für v £ V
S R
vj
RM
= 24 µF für v ³ V
RM
C
S
R
L
= 0,2 µH
S
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Beurteilung der Geeignetheit dieses Produkstefür die von Ihnen anvisierte Anwendunsgowie die Beurteilung der Vollständigkediet r
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相关型号：
SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
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