FP10R12YT3_B4 [EUPEC]
IGBT-modules; IGBT模块
| 型号： | FP10R12YT3_B4 |
| 厂家： | 
EUPEC GMBH |
| 描述： | IGBT-modules |
| 文件： | 总11页 (文件大小：362K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I† ÒÓÑ
I†
10
16
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
20
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
69,5
+/-20
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 10 A, V•Š = 15 V
I† = 10 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,90 2,45
2,15
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 0,30 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
5,0
5,8
0,10
0,0
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
0,70
0,026
nF
nF
mA
nA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
I†Š»
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
I•Š»
tÁ ÓÒ
400
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,045
0,045
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,02
0,025
µs
µs
tØ
tÁ ÓËË
tË
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,29
0,39
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,09
0,15
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V, L» = 50 nH
R•ÓÒ = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,95
1,35
mJ
mJ
EÓÒ
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V, L» = 50 nH
R•ÓËË = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,67
1,05
mJ
mJ
EÓËË
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C
35
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT
per IGBT
RÚÌœ†
RÚ̆™
1,60 1,80 K/W
0,55 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2005-6-15
revision: 2.0
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
10
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
20
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
20,0
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,65 2,10
1,65
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 650 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
16,0
16,0
A
A
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 650 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,00
1,80
µC
µC
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 650 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,33
0,63
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
1,95 2,20 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,65
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒç¢»¢
I碻¢
IŒ»¢
1600
25
V
A
A
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.
T† = 80°C
forward current RMS maximum per diode
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
T† = 80°C
25
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C
300
230
A
A
Grenzlastintegral
I²t - value
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C
450
265
A²s
A²s
I²t
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlassspannung
TÝÎ = 150°C, IŒ = 10 A
forward voltage
min. typ. max.
0,85
VŒ
VÅ¥
rÅ
V
V
Schleusenspannung
TÝÎ = 150°C
0,71
15,0
2,00
threshold voltage
Ersatzwiderstand
TÝÎ = 150°C
mÂ
mA
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
TÝÎ = 150°C, Vç = 1600 V
Iç
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
1,25 1,40 K/W
0,55 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2005-6-15
revision: 2.0
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I†ÒÓÑ
I†
10
16
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
20
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
69,5
+/-20
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 10 A, V•Š = 15 V
I† = 10 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,90 2,45
2,15
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 0,30 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
5,0
5,8
0,10
0,00
0,70
0,026
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
nF
nF
mA
nA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
I†Š»
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
I•Š»
400
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,045
0,045
µs
µs
tÁ ÓÒ
tØ
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,02
0,025
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,28
0,39
µs
µs
tÁ ÓËË
tË
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,09
0,15
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,85
1,15
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 10 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 82 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,67
1,05
mJ
mJ
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š · di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C
35
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT
per IGBT
RÚÌœ†
RÚ̆™
1,60 1,80 K/W
0,55 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2005-6-15
revision: 2.0
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
10
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
tÔ = 1 ms
20
A
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
11,0
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,85 2,30
1,90
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 650 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
12,0
12,0
A
A
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 650 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,80
1,50
µC
µC
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 650 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,30
0,55
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
2,50 2,80 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
0,75
K/W
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
K
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
3375
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revision: 2.0
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
kV
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
13,5
7,5
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
12,0
7,5
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 225
min. typ. max.
40
Modulinduktivität
stray inductance module
LÙ†Š
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
R††óôŠŠó
Rƒƒóô††ó
10,0
7,00
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
N
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
-40
-40
40
125
125
80
Lagertemperatur
storage temperature
TÙÚÃ
F
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
weight
G
36
g
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revision: 2.0
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 125°C
V•Š = 15 V
20
20
18
16
14
12
10
8
18
16
14
12
10
8
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
6
6
4
4
2
2
0
0
0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2 3,6 4,0
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 82 Â, R•ÓËË = 82 Â, V†Š = 600 V
20
4,0
18
16
14
12
10
8
3,6
3,2
2,8
2,4
2,0
1,6
1,2
0,8
0,4
0,0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
6
4
2
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
I† [A]
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2005-6-15
revision: 2.0
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 10 A, V†Š = 600 V
4,0
10
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ™ : IGBT
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
1
i:
rÍ[K/W]: 0,133
τÍ[s]:
1
2
0,45
3
1,188
0,000352 0,0064823 0,1106875 0,1535065
4
0,379
0,1
0,001
50
100
150
200
R• [Â]
250
300
350
400
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 82 Â, TÝÎ = 125°C
22
20
18
16
14
12
10
8
20
18
16
14
12
10
8
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
6
6
4
4
I†, Modul
I†, Chip
2
2
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
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revision: 2.0
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 82 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 10 A, V†Š = 600 V
1,0
1,0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
0,8
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0,6
0,4
0,2
0,0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
IΠ[A]
50
100
150
200
250
300
350
400
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical)
IŒ = f (VŒ)
10
20
18
16
14
12
10
8
ZÚÌœ™ : Diode
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 150°C
1
6
4
i:
rÍ[K/W]: 0,15
1
2
0,5
3
1,5
4
0,45
τÍ[s]:
0,0002952 0,0044276 0,1053625 0,1391219
2
0,1
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,2
0,4
0,6
VΠ[V]
0,8
1,0
1,2
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revision: 2.0
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Copper (typisch)
output characteristic IGBT-brake-chopper (typical)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch)
forward characteristic of diode-brake-chopper (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = 15 V
20
20
18
16
14
12
10
8
18
16
14
12
10
8
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
6
6
4
4
2
2
0
0
0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2 3,6 4,0
V†Š [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
100000
RÚáÔ
10000
1000
100
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
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revision: 2.0
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP10R12YT3_B4
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
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zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application
Notes bereit.
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zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen
einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
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departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
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Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For
those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for
any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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11
相关型号：
FP11000G
Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 100ohm, 500V, 2% +/-Tol, 150ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED
VISHAY
FP11002K
RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 1W, 10%, 150ppm, 10000ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
VISHAY
FP11003K
RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 1 W, 10 %, 150 ppm, 100000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
VISHAY
FP11004F
RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 1 W, 1 %, 150 ppm, 1000000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
VISHAY
FP11004G
RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 1W, 2%, 150ppm, 1000000ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
VISHAY
FP1100KF
RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 1 W, 1 %, 150 ppm, 100000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
VISHAY
FP1100RJ
RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 1 W, 5 %, 150 ppm, 100 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
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FP11050F
RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 1 W, 1 %, 150 ppm, 105 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
VISHAY
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