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FZ800R33KL2C_B5 [EUPEC]

IGBT-modules; IGBT模块
FZ800R33KL2C_B5
型号： FZ800R33KL2C_B5
厂家： EUPEC GMBH    EUPEC GMBH
描述：

IGBT-modules
IGBT模块

晶体 晶体管 双极性晶体管 局域网
文件： 总8页 (文件大小：268K)
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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -25°C  
3300  
V†Š»  
3300  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
800  
1500  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms, T† = 80°C  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
1600  
9,80  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 800 A, V•Š = 15 V  
I† = 800 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,00 3,65  
3,70 4,45  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 80,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V, V†Š = 1800V  
TÝÎ = 25°C  
4,2  
5,1  
6,0  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
15,0  
0,75  
97,0  
5,40  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 3300 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 6,8 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,00  
1,00  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 6,8 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,40  
0,40  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 6,8 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,70  
3,90  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 6,8 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,25  
0,35  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 800 A, V†Š = 1800 V, dI/dt = 4200 A/µs TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1700  
2250  
mJ  
mJ  
V•Š = ±15 V, L» = 60 nH  
R•ÓÒ = 3,0 Â, C•Š = 220 nF  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 800 A, V†Š = 1800 V  
V•Š = ±15 V, L» = 60 nH  
R•ÓËË = 6,8 Â, C•Š = 220 nF  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
900  
1250  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎ = 125°C, V†† = 2500 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
3500  
12,0  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
13,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = -25°C  
3300  
Vçç¢  
3300  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
800  
1600  
230  
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
t« = 1 ms  
A
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 125°C  
kA²s  
kW  
µs  
Spitzenverlustleistung  
maximum power dissipation  
P笢  
tŒÓÒ ÑÍÒ  
1200  
10,0  
Mindesteinschaltdauer  
minimum turn-on time  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 800 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 800 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,60 t.b.d.  
2,55  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 800 A, - diŒ/dt = 4200 A/µs  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1050  
1200  
A
A
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 800 A, - diŒ/dt = 4200 A/µs  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
540  
960  
µC  
µC  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 800 A, - diŒ/dt = 4200 A/µs  
Vç = 1800 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
500  
1000  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
25,5 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
24,0  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
Vš»¥¡  
V†Š ‡  
10,2  
5,1  
kV  
kV  
V
Teilentladungs Aussetzspannung  
RMS, f = 50 Hz, Q«‡ typ 10 pC (acc. to IEC 1287)  
partial discharge extinction voltage  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
TÝÎ = 25°C, 100 fit  
2150  
AlSiC  
AlN  
DC stability  
Material Modulgrundplatte  
material of module baseplate  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
64,0  
56,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
40,0  
26,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 600  
min. typ. max.  
8,00  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/kW  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
20  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,18  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter / inverter  
Wechselrichter / inverter  
TÝÎ ÑÈà  
TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube / screw M6  
M
M
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube / screw M4  
terminal connection torque  
1,8  
8,0  
-
-
Schraube / screw M8  
10  
Nm  
Gewicht  
weight  
G
1050  
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine  
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.  
It is valid with the appropriate technical explanations.  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
V•Š = 15 V  
TÝÎ = 125°C  
1600  
1600  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 20V  
V•Š = 15V  
1400  
1400  
V•Š = 12V  
V•Š = 10V  
V•Š = 9V  
V•Š = 8V  
1200  
1000  
800  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
600  
400  
200  
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0  
V†Š [V]  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 3 Â, R•ÓËË = 6,8 Â, V†Š = 1800 V,  
C•Š = 220 nF  
1600  
6000  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
1400  
5000  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
4000  
3000  
2000  
1000  
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]  
10  
11  
12  
13  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
I† [A]  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 800 A, V†Š = 1800 V, C•Š = 220 nF  
12000  
100  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
10000  
8000  
6000  
4000  
2000  
0
10  
1
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 5,7375 3,1875 0,765 3,06  
4
τÍ[s]:  
0,03  
0,1  
0,3  
1
0,1  
0,001  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
R• [Â]  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 6,8 Â, TÝÎ = 125°C, C•Š = 220 nF  
2000  
1600  
1200  
800  
1600  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
400  
I†, Modul  
I†, Chip  
0
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
V†Š [V]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
VŒ [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
R•ÓÒ = 3 Â, V†Š = 1800 V  
IŒ = 800 A, V†Š = 1800 V  
1400  
1400  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
1200  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
IŒ [A]  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
R• [Â]  
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)  
save operation area diode-inverter (SOA)  
Iç = f(Vç)  
TÝÎ = 125°C  
100  
2000  
1600  
1200  
800  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
1
400  
i:  
1
2
3
rÍ[K/kW]: 11,475 6,375 1,53 6,12  
4
Iç, Modul  
τÍ[s]:  
0,03  
0,1  
0,3  
1
0,1  
0,001  
0
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
Vç [V]  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R33KL2C_B5  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: Karl-Heinz Hoppe  
approved by: Thomas Schütze  
date of publication: 2004-4-8  
revision: 2.0  
7
Nutzungsbedingungen  
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
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SI9135LG-T1-E3

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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SI9135_11

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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SI9136_11

 Multi-Output Power-Supply Controller

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SI9130CG-T1-E3

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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SI9130LG-T1-E3

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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SI9130_11

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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SI9137

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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SI9137DB

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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SI9137LG

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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SI9122E

 500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification Drivers

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