IMW120R045M1
1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装， 基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具可靠性与性能优势。与IGBT和MOSFET等基于传统硅（Si）的开关相比，碳化硅MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 半导体
INFINEON
S-85M1AB12-H6T6S
5.6 V INPUT, 200 mA, LOW EMI, SYNCHRONOUS STEP-DOWN SWITCHING REGULATOR WITH 260 nA QUIESCENT CURRENT
输入元件 开关
ABLIC
