电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
TCTU0E156M8R  BD244B  TCTPL1V476M8R  TCTPL1V105M8R  TCTU0G475M8R  TCTU0G106M8R  TCTU0G685M8R  BD243C  TCTU0J105M8R  TCTU0J225M8R  
RFP3055LE 11A , 60V , 0.107欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET (11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs)
.型号:   RFP3055LE
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 11A , 60V , 0.107欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET
11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
文件大小 :   416 K    
页数 : 8 页
Logo:   
品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
  浏览型号RFP3055LE的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号RFP3055LE的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号RFP3055LE的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号RFP3055LE的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号RFP3055LE的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号RFP3055LE的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号RFP3055LE的Datasheet PDF文件第8页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE
数据表
2002年1月
11A , 60V , 0.107欧姆,逻辑电平,
N沟道功率MOSFET
这些N沟道增强模式功率MOSFET的
采用最新的制造工序制造
技术。该方法中,其中使用特征尺寸
接近LSI电路,给出了最佳利用
硅,保证了出色的性能。他们是
在应用中,如开关,设计用于
稳压器,开关转换器,电机驱动器和继电器
驱动程序。这些晶体管可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA49158 。
特点
• 11A , 60V
• r
DS ( ON)
= 0.107
•温度补偿PSPICE
®
模型
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS额定值曲线
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
RFD3055LE
RFD3055LESM
RFP3055LE
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
F3055L
G
F3055L
FP3055LE
S
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF网络连接X, 9A ,
获得TO- 252的变体,磁带和卷轴,如: RFD3055LESM9A 。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏极(法兰)
漏极(法兰)
JEDEC TO- 251AA
来源
JEDEC TO- 252AA
漏极(法兰)
来源
©2002仙童半导体公司
RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE版本B
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7