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RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE
数据表
2002年1月
11A , 60V , 0.107欧姆,逻辑电平,
N沟道功率MOSFET
这些N沟道增强模式功率MOSFET的
采用最新的制造工序制造
技术。该方法中,其中使用特征尺寸
接近LSI电路,给出了最佳利用
硅,保证了出色的性能。他们是
在应用中,如开关,设计用于
稳压器,开关转换器,电机驱动器和继电器
驱动程序。这些晶体管可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA49158 。
特点
• 11A , 60V
• r
DS ( ON)
= 0.107
•温度补偿PSPICE
®
模型
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS额定值曲线
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
RFD3055LE
RFD3055LESM
RFP3055LE
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
F3055L
G
F3055L
FP3055LE
S
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF网络连接X, 9A ,
获得TO- 252的变体,磁带和卷轴,如: RFD3055LESM9A 。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏极(法兰)
漏极(法兰)
JEDEC TO- 251AA
来源
JEDEC TO- 252AA
漏极(法兰)
来源
©2002仙童半导体公司
RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE版本B
RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
RFD3055LE , RFD3055LESM ,
RFP3055LE
60
60
±
16
11
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
38
0.25
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20k
) (注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
r
DS ( ON)
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
Q
G( TOT )
Q
g(5)
Q
G( TH )
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
TO-220AB
TO- 251AA ,TO- 252AA
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
(图14)
V
DD
= 30V ,我
D
= 8A,
I
G( REF )
= 1.0毫安
(图20,21 )
测试条件
I
D
= 250
µ
A,V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
µ
A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ,T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±
16V
I
D
= 8A ,V
GS
= 5V (图11)
V
DD
30V ,我
D
= 8A,
V
GS
= 4.5V ,R
GS
= 32
(图10 ,18, 19)的
60
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
8
105
22
39
-
9.4
5.2
0.36
350
105
23
-
-
-
最大
-
3
1
250
±
100
0.107
170
-
-
-
-
92
11.3
6.2
0.43
-
-
-
3.94
62
100
单位
V
V
µ
A
µ
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻(注2 )
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项:
2.脉冲测试:脉冲宽度
300毫秒,占空比
2%.
3.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线(图3)和峰值电流
性能曲线(图5) 。
©2002仙童半导体公司
RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE版本B
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 8A
测试条件
典型值
-
-
最大
1.25
66
单位
V
ns
I
SD
= 8A ,二
SD
/ DT = 100A /
µ
s
RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
0
125
50
75
100
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
175
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度(
o
C)
I
D
,漏电流( A)
V
GS
= 10V
10
V
GS
= 4.5V
除非另有规定编
15
5
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨,矩形脉冲持续时间( S)
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化瞬态热阻抗
100
200
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前,如下所示:
I = I
25
175 - T
C
150
I
D
,漏电流( A)
I
DM
峰值电流( A)
100
10
100µs
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
单脉冲
T
J
=最大额定牛逼
C
= 25
o
C
1ms
10ms
V
GS
= 5V
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.1
1
10
V
DS
,漏源极电压( V)
100
200
10
10
-5
T,脉冲宽度( S)
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
©2002仙童半导体公司
RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE版本B
RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE
典型性能曲线
100
I
AS
,雪崩电流( A)
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
除非另有规定编
(续)
15
V
GS
= 10V
I
D
,漏电流( A)
12
V
GS
= 5V
V
GS
= 4V
9
V
GS
= 3.5V
6
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
3
T
C
= 25
o
C
0
1
2
3
V
DS
,漏源极电压( V)
V
GS
= 3V
4
1
0.001
0.01
0.1
1
10
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
0
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
15
r
DS ( ON)
,漏极到源极
ON电阻(mΩ )
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DD
= 15V
150
I
D
= 3A
I
D
= 11A
I
D
= 5A
120
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
12
I
D,
漏电流( A)
9
6
T
J
= 25
o
C
90
3
T
J
= 175
o
C
0
2
3
T
J
= -55
o
C
60
4
5
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
V
GS
,门源电压( V)
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
150
t
r
100
归一漏极至源极
抗性
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 30V ,我
D
= 8A
切换时间(纳秒)
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
2.0
1.5
t
f
50
t
D(关闭)
t
D(上)
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
,门源电阻( Ω )
1.0
V
GS
= 10V ,我
D
= 11A
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
图10.开关时间与栅极电阻
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
©2002仙童半导体公司
RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE版本B
RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
归一化门
阈值电压
除非另有规定编
(续)
1.2
I
D
= 250µA
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
,结温(
o
C)
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图13.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
1000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C,电容(pF )
10
V
GS
,门源电压( V)
V
DD
= 30V
8
100
C
OSS
C
DS
+ C
GD
6
4
2
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
10
0.1
C
RSS
=
C
GD
60
任意波形
降序排列:
I
D
= 11A
I
D
= 5A
I
D
= 3A
0
2
4
6
Q
g
,栅极电荷( NC)
8
10
0
1
10
V
DS
,漏源极电压( V)
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图14.电容VS漏源极电压
图15.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01Ω
0
t
AV
图16.松开能源利用检测电路
图17.松开能源波形
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RFD3055LE , RFD3055LESM , RFP3055LE版本B
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RFP3055RLE

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20 ETC

RFP-30A50TP

RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm
0 ANAREN

RFP-30A50TPR

RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm
0 ANAREN

RFP30N06LE

30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
暂无信息
75 FAIRCHILD

RFP30N06LE

30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
暂无信息
66 HARRIS