GMA1298 [GSME]

PNP Low Frequency Amplifier Transistor;


型号：	GMA1298
厂家：	GUILIN STRONG MICRO-ELECTRONICS CO., LTD.
描述：	PNP Low Frequency Amplifier Transistor
文件：	总2页 (文件大小：205K)
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桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GMA1298

■FEATURES 特點

PNP Low Frequency Amplifier Transistor

■MAXIMUM RATINGS (T =25℃) 最大額定值

Characteristic

特性參數

Symbol

符號

Rating

額定值

Unit

單位

Collector-Base Voltage

集電極-基極電壓

V_CBO

-35

-30

-5

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_EBO

集電極-發射極電壓

Emitter-Base Voltage

發射極-基極電壓

Collector Current-Continuous

集電極電流-連續

-800

225

150

℃

Collector Power Dissipation

集電極耗散功率

P_C

Junction Temperature

結溫

T_j

Storage Temperature Range

儲存溫度

T_stg

-55〜150

℃

■DEVICE MARKING 打標

GMA1298

MARK

H_FE1

I O

I Y

100~200

160~320

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GMA1298

■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性

(T_A=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)

Symbol Test Condition Min

Typ

Max

最小值典型值最大值單位

Unit

Characteristic

特性參數

符號

測試條件

V_CB=-35V,

I_E=0

Collector Cutoff Current

集電極截止電流

—

I_CBO

—

-0.1

—

μA

V_EB=-5V,

I_C=0

Emitter Cutoff Current

發射極截止電流

I_EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

集電極-基極擊穿電壓

V_(BR)CBOI_C=-100μA

-35

Collector-Emitter Breakdown Voltage

—

V_(BR)CEO

I_C=-1.0mA

-30

-5

集電極-發射極擊穿電壓

Emitter-Base Breakdown Votlage

發射極-基極擊穿電壓

V_(BR)EBOI_E=-100μA

DC Current Gain

直流電流增益

V_CE=-1V,

H_FE1

100

320

—

I_C=-100mA

DC Current Gain

直流電流增益

V_CE=-1V,

H_FE2

—

I_C=-800mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

集電極-發射極飽和壓降

I_C=-500mA,

V_CE(sat)

-0.4

-1.2

-0.8

—

I_B=-20mA

Base-Emitter Saturation Voltage

基極-發射極飽和壓降

I_C=-800mA,

V_BE(sat)

—

I_B=-80mA

Base-Emitter Saturation

基極-發射極電壓

V_CE=-1V,

V_BE

-0.5

—

I_C=-10mA

Transition Frequency

特徵頻率

V_CE=-5V,

I_C=-10mA

f_T

120

MHz

V_CB=-10V,

I_E=0,

f=1MHz

Collector Output Capacitance

輸出電容

C_ob

—

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