电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
1812L075  180-90-432-00-001  180-90-650-00-001  180-90-422-00-001  1812GXXX  18103  180-90-424-00-001  18224  18473  TYNX25  
HMC637 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的 (GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz)
.型号:   HMC637
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
文件大小 :   472 K    
页数 : 8 页
Logo:   
品牌   HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
购买 :   
  浏览型号HMC637的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号HMC637的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号HMC637的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号HMC637的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号HMC637的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号HMC637的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号HMC637的Datasheet PDF文件第8页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
HMC637
v03.0709
砷化镓MESFET MMIC 1瓦
功放, DC - 6 GHz的
特点
的P1dB输出功率: +29 dBm的
增益: 14分贝
输出IP3 : +41 dBm的
偏置电源: + 12V , + 6V , -1V
50欧姆匹配输入/输出
芯片尺寸: 2.98 X 2.48 X 0.1毫米
典型应用
该hmC637是理想的:
•电信基础设施
•微波无线电& VSAT
•军事&空间
•测试仪表
3
放大器 - 线性&力量 - 芯片
•光纤
工作原理图
概述
该hmC637是GaAs MMIC分布式MESFET
功率放大器死其DC之间运行
6 GHz的。该放大器提供的增益为14 dB时,
+41 dBm的输出IP3和+29 dBm的输出功率
1 dB增益压缩,同时要求400毫安
从+ 12V电源。增益平坦度非常出色,在± 0.5
分贝从DC到6GHz使hmC637理想
EW , ECM ,雷达和测试设备的应用程序。
该hmC637放大器的I / O内部匹配
50欧姆促进融入辑阵,削片
芯片模块(MCM ) 。所有数据是与芯片
通过两个0.025毫米( 1密耳)引线键合连接
最小长度0.31毫米(12密耳)。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VDD = + 12V , Vgg2 = + 6V ,国际长途= 400毫安*
参数
频带
收益
增益平坦度
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流( IDD)
11
分钟。
典型值。
DC - 6
14
±0.5
±2
13
18
29
30
41
5
400
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整-2V之间VGG1至0V,实现电流IDD = 400毫安典型。
3-1
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7