HM2832D [HMSEMI]

High-precision non-isolated step-down LED constant current driver chip;


型号：	HM2832D
厂家：	H&M Semiconductor
描述：	High-precision non-isolated step-down LED constant current driver chip
文件：	总8页 (文件大小：537K)
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HM2832

高精度非隔离降压型 LED 恒流驱动芯片

概述:

HM2832是一款高精度的非隔离降压型LED控制器，适用于85V～265V全电压范围的小功率非隔离

降压型LED照明应用。

HM2832内置了高精度的采样、补偿电路，使得电路能够达到±3%以内的恒流精度，并且能够实

现输出电流对电感与输出电压的自适应，从而取得优异的线型调整率和负载调整率。

HM2832内部集成了500V功率MOSFET，无需次级反馈电路，也无需补偿电路，加之精准稳定的自

适应技术，使得系统外围结构十分简单，可在外围器件数量少，参数范围宽松的条件下实现高精度恒流

控制，极大地节约了系统成本和体积，并且能够确保在批量生产时LED灯具参数的一致性。

HM2832具有丰富的保护功能：输出开短路保护、采样电阻开短路保护、欠压保护、输出过压保

护、过温自适应调节等。

特性:

· 内部集成500V 功率管

· ±3%以内的系统恒流精度

· 芯片超低工作电流

· 无需辅助供电电路

· 电感电流临界连续模式

· 宽输入电压

· 输出短路保护

· 采样电阻开短路保护

· 输出过压保护

· 欠压保护

· 过温自适应调节功能

· 简洁的系统拓补，外围器件极少

典型应用图

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高精度非隔离降压型

HM2832

D 恒流驱动芯片

推荐工作范围

项目

符号

参数范围

225@V_OUT=80V

330@V_OUT=36V

>15

单位

输入电压220V±20%

最小负载电压

I_LED

V_MIN

订购信息

定购型号

封装

包装形式

编带

打印

HM2832A

HM2832D

SOP-8

3,000pcs/盘

9553

YMXXXX

条管

DIP-8

50pcs/条

SIC9553

YMXXXX

引脚图

“SI”

深爱公司产品标记

产品版本号

“9XXX V”

9XXX：产品型号

V：

“YMxxx”

YM：产品生产年月

XXXX: 产品批码

引脚说明：

引脚号

符号

功能

GND

RADJ

电源地

设置开路保护电压，外接电阻

空脚

VDD

工作电源

DRN

内部 MOSFET 的漏端

电流采样，外接电阻到地

DRN

ISEN

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高精度非隔离降压型

HM2832

D 恒流驱动芯片

极限参数

项目

符号

VDD

参数范围

-0.3-20

-0.3-500

-0.3-6

单位

电源电压

漏极电压

VDRN

VISEN

IDDMAX

VRADJ

P_tot

电流采样端电压

最大工作电流

开路保护电压调节端

最大耗散功率(Ta=25^oC)

-0.3-6

0.45

145@SOP-8

80@DIP-8

-40-150

-55-150

2,000

热阻结-环境

Rthj-a

℃/W

工作结温范围

存储温度范围

ESD

℃

TSTG

注：超过极限参数范围，本产品的性能及可靠性将得不到保障，实际使用中不得超过极限参数范围

电气特性

Table 3：电气特性（VDD=15V，TC = 25℃）

项目

VDD钳位电压

符号

V^DD_CLP

I^DD

测试条件

0.8mA

范围

15.8～17.2

≦135

12.8～14.2

≦195

8.1～9.1

392～408

198

单位

工作电流

F^SYS=65KHz

VDD上升

μA

启动电压

VST

启动电流

IST

VDD=VST - 1V

VDD下降

μA

欠压保护迟滞

采样基准电压

短路时电流检测阈值

动作消隐时间

内部MOS关断延迟

MOSFET的击穿电压

MOSFET导通阻抗

MOSFET漏电流

RADJ引脚电压

VUVLO

VISEN

VISEN_SHT

TLEB

输出短路

500

TDELAY

BV_DSS

R_DS(ON)

I_DSS

150

VGS=0V/ IDS=250uA

VGS=15V/ IDS=0.5A

VGS=0V/ VDS=5000V

500

<10

0.5

VRADJ

TON_MAX

TOFF_MAX

TOFF_MIN

TREG

0.55

最大导通时间

最大退磁时间

最小退磁时间

过热温度调节点

℃

255

155

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高精度非隔离降压型

HM2832

D 恒流驱动芯片

功能框图

应用说明

功能说明：

HM2832是一款专用于 LED 照明的恒流驱动芯片，芯片内部集成500V 高压 MOSFET，工作在 CRM 模

式，适合全电压范围工作，具有良好的线性调整率、负载调整率以及优异的恒流特性，只需很少的外围

元器件就能实现低成本高效率的 LED 恒流控制器。

启动：

HM2832启动电流很低，当系统上电后，启动电阻对 V^DD电容进行充电，当 V^DD达到开启阈值时，

电路即开始工作。HM2832正常工作时，内部电路的工作电流可以低至135μA 以下，并且内部具有独特

的供电机制，因此无需辅助绕组供电。

采样电阻与恒流控制：

HM2832是工作在 CRM 模式中，其内部具有一个400mV 的基准电压，这个基准电压与系统中电

感原边峰值电流进行比较计算，通过采样电阻的调节来实现 LED 驱动电流的大小：

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HM2832

D 恒流驱动芯片

400

I_LED

2R_ISEN

其中：I_LED是 LED 的驱动电流，

_ISEN是采样电阻

电感设计计算：

HM2832工作在 CRM 模式，当电路上电后输出控制脉冲，内部 MOSFET 将不断工作在导通/关闭

状态，内部 MOS 管打开时，电感也将导通，开始蓄能，直到达到电流峰值时内部 MOS 管关闭，此间的

电感的导通时间为：

400

L× I_P

I_P=

mA；T_ON=

R_ISEN

V_IN−V_LED

其中：I_P为电感电流峰值；

L 为电感值；

_IN为交流输入整流后的直流值；

_LED为 LED 负载的正向压降。

当内部 MOS 管关闭后，电感电流将从峰值逐渐降低，直到降低为0时，内部 MOS 管将再次开启，此

间的电感关闭时间为：

L× I_P

T_OFF

V_LED

V_LED×(V_IN−V_LED)

V_IN× I_P× F

由上可知，电感可计算为： L =

其中 F 为系统工作频率，在设计系统时，首先确定 I^LED，I^LED确定后 R^ISEN、I^P等也就相应确定了，

此时由上式可知，系统频率与输入电压成正比、与选择之电感 L 成反比：当输入电压最低（或）电感取

值较大时，系统频率较低，当输入电压最高（或）电感取值较小时，系统频率较高，因此，在系统输入

电压范围确定时，电感的取值直接影响到系统频率的范围以及恒流特性。考虑到系统频率不可过低（例

如进入音频范围），也不宜过高（导致功率管损耗过大以及 EMI 影响），同时HM2832设定了最小/大退磁

时间以及最小/大励磁时间，因此在设计时，建议系统频率设定在50KHZ～100KHz 之间。

开路过压保护电阻设置

在系统中，当 LED 开路时，由于无负载连接，输出电压会逐渐上升，进而导致退磁时间也会逐渐

变短，因此通过 RADJ 外接电阻来控制相应的退磁时间，就能得到需要的开路保护电压。根据内部电路计

算，可得出 R_ADJ与 V_OVP的关系公式：

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D 恒流驱动芯片

V_ISEN× L×15

R_ISEN×V_OVP

R_ADJ

≈

×10⁶(Kohm)

其中， V_ISEN是 ISEN 关断阈值（400mV）；

L 是电感量；

_ISEN是采样电阻；

_OVP是需要设定的过压保护点

保护功能：

HM2832设定了多种保护功能，如LED开短路保护、ISEN电阻开短路保护、V^DD过压/欠压、电路

过温自适应调节等。

HM2832在工作时，自动监测着各种工作状态，如果负载开路时，则电路将立刻进入过压保护状

态，关断内部MOS管，同时进入间隔检测状态，当故障恢复后，电路也将自动回复到正常工作状态；若

负载短路，系统将工作在5KHz左右的低频状态，功耗很低，同时不断监测系统，若负载恢复正常，则电

路也将恢复正常工作；若当ISEN电阻短路，或者电感饱和等其他故障发生，电路内部快速保护机制也将

立即停止MOS的开关动作，停止运行，此时，电路工作电源也将下降，当触发UVLO电路时，系统将会

重启，如此，可以实现保护功能的触发、重启工作机制。

若工作过程中，HM2832监测到电路结温度超过过温调节阈值（155℃）时，电路将进入过温调节

控制状态，减小输出电流，以控制输出功率和温升，使得系统能够保持一个稳定的工作温度范围。

PCB 设计注意事项:

V^DD的旁路电容十分关键，PCB 板 layout 时需要尽量靠近 V^DD及 GND 引脚。

电感的充放电回路要尽量短，母线电容、续流二极管、输出电容等功率环路面积要尽量小，芯

片距离功率器件也尽量远，从而减小 EMI 以及保证电路安全稳定工作。

电路地线及其他小信号的地线须与采样电阻地线分开布线，尽量缩短与电容的距离。

RADJ 外接电阻需要尽量靠近 RADJ 引脚，并且就近接地。

NC 引脚建议连接到芯片地（PIN1），有条件时可用地线将 RADJ 电阻环绕。

DRN 引脚（PIN5、PIN6）的敷铜面积尽量大，以提高芯片散热。

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SOP8 封装机械尺寸

SOP8 MECHANICAL DATA

单位:毫米/UNIT：mm

符号

最小值

典型值

最大值

符号

最小值

典型值

最大值

SYMBOL

min

nom

max

SYMBOL

min

nom

max

4.80

0.37

5.00

0.47

1.30

0.55

0.05

0.19

1.50

0.75

0.65

0.20

0.23

1.27 TYP

0.41 TYP

5.80

3.80

6.20

4.00

0.20TYP

1.05TYP

5.0TYP

0.40

0.62

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高精度非隔离降压型

HM2832

D 恒流驱动芯片

DIP-8 封装机械尺寸

DIP-8 MECHANICAL DATA

单位:毫米/UNIT：mm

符号

最小值

典型值

最大值

符号

最小值

典型值

最大值

SYMBOL

min

nom

max

SYMBOL

min

nom

max

9.00

1.474

0.41

9.20

1.574

0.51

0.50TYP

3.20

1.47

8.20

0.244

7.62

3.40

1.57

8.80

0.264

7.87

2.44

2.64

0.51TYP

0.99TYP

Θ1

Θ2

Θ3

6.10

3.20

7.10

6.30

3.40

7.30

17°TYP4

10°TYP4

8°TYP

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