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替代型号BB867-02V 概述
Silicon Tuning Diode 硅调谐二极管 变容二极管
BB867-02V 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-79 | 包装说明： | SC-79, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | CAPACITANCE MATCHED TO 5 %, LOW INDUCTANCE | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 8.05% | 最小二极管电容比： | 14 |
| 标称二极管电容： | 8.7 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 35 V |
| 子类别： | Varactors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
BB867-02V 数据手册
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PDF下载BB867...
Silicon Tuning Diode
For SAT - Indor units
High capacitance ratio C /C
(typ.15.8)
1V 25V
Low series inductance
Excellent uniformity and matching due to
"in-line" matching assembly procedure
BB867-02V
1
2
Type
BB867-02V*
Package
SC79
Configuration
single
L (nH) Marking
0.6
Y
* Preliminary
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified
A
Parameter
Symbol
Value
Unit
30
35
V
Diode reverse voltage
Peak reverse voltage-
(R 5k )
V
V
R
RM
20
mA
°C
Forward current
Operating temperature range
Storage temperature
I
F
T
-55 ... 150
-55 ... 150
op
T
stg
Nov-14-2002
1
BB867...
Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified
A
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ. max.
DC Characteristics
Reverse current
I
nA
R
V = 30 V
-
-
-
-
10
200
R
V = 30 V, T = 85 °C
R
A
AC Characteristics
pF
-
Diode capacitance
C
T
V = 1 V, f = 1 MHz
8
0.5
0.45
8.7
0.55
0.52
9.4
0.6
-
R
V = 25 V, f = 1 MHz
R
V = 28 V, f = 1 MHz
R
14
15.8
16.7
-
-
Capacitance ratio
C /C
T1 T25
V = 1 V, V = 25 V, f = 1 MHz
R
R
-
-
Capacitance ratio
V = 1 V, V = 28 V, f = 1 MHz
C /C
T1 T28
R
R
1)
-
5
-
%
Capacitance matching
V = 1 V, V = 28 V, f = 1 MHz
C /C
T T
R
R
Series resistance
r
-
2.8
S
V = 5 V, f = 470 MHz
R
1For details please refer to Application Note 047
Nov-14-2002
2
BB867...
Diode capacitance C = (V )
T
R
f = 1MHz
10
pF
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10 0
10 1
10 2
V
V
R
Nov-14-2002
3
BB867-02V 替代型号
| 型号 | 制造商 | 描述 | 替代类型 | 文档 |
| BB857 | INFINEON | Silicon Tuning Diode (For SAT-indoor-units High capacitance ratio Low series inductance) | 功能相似 |
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