D1131SH65T [INFINEON]

The D1131SH IGCT-Diode discs are assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings with a dia of 120mm and a height of 26mm.;


型号：	D1131SH65T
厂家：	Infineon
描述：	The D1131SH IGCT-Diode discs are assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings with a dia of 120mm and a height of 26mm. 二极管
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Technische Information /

technical information

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

Key Parameters

enndaten

V_RRM

I_FAVM

I_FSM

V_T0

6500 V

1100 A (T_C=85 °C)

22000 A

2,19 V

r_T

1,364 mΩ

7,5 K/kW

36 … 52 kN

121 mm

R_thJC

Clamping Force

Max. Diameter

Contact Diameter

Height

86 mm

26 mm

For type designation please refer to actual

short form catalog

http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale

Features



Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten

Temperaturbereich



Full blocking capability 50/60Hz over a wide

temperature range



Hohe DC Sperrstabilität



High DC blocking stability

Hohe Stoßstrombelastbarkeit

Hoher Gehäusebruchstrom

High surge current capability

High case non-rupture current

Sanftes Ausschaltverhalten bei hohen

Stromsteilheiten

Soft turn-off behavior at high turn-off di/dt

Typische Anwendungen

Typical Applications



Mittelspannungsumrichter



Medium voltage converters

Freilaufdiode für IGCT - Applikationen

Freilaufdiode für IGBT - Applikationen

Pulsed Power - Applikationen

Freewheeling Diode for IGCT - applications

Freewheeling Diode for IGBT - applications

Pulsed power applications

content of customer DMX code

DMX code

digit

DMX code

digit quantity

serial number

1..7

8..16

SP material number

datecode (production day)

datecode (production year)

datecode (production month)

vT class (optional)

17..18

19..20

21..22

23..26

27..30

www.ifbip.com

QR class (optional)

support@infineon-bip.com

Date of Publication: 2014-06-01

Revision: 8.0

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Technische Information /

technical information

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung

Elektrische Eigenschaften

T_vj= 0°C... T_{vj max}

V_RRM

6500 V

repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

T_c= 85°C

I_FRMSM

1730 A

1100 A

T_C= 85°C, f=50Hz

I_FAVM

average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

I_FSM

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

Max. Ausschaltverluste

max. turn-off losses

T_vj= T_vjmax

P_RQ

5 MW

I_FM= 2500A, V_CL= 2800V

clamp circuit L_S≤ 0,25µH

R_CL= 68, C_CL= 3µF

D_CL= 34DSH65

Charakteristische Werte / Characteristic values

Gleichsperrspannung

continuous direct reverse voltage

failure rate  < 100

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2500A

T_vj= T_{vj max}

V_R(D)

v_F

V_(TO)

estimate 3200 V

value

Durchlaßspannung

on-state voltage

typ.

max.

5,2 V

5,6 V

Schleusenspannung

threshold voltage

typ. 1,98 V

max. 2,19 V

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

r_T

typ. 1,288 mΩ

max. 1,364 mΩ

T_vj= T_{vj max}

typ.

0,702

Durchlaßkennlinie

200A  i_F 3000A

on-state characteristic

0,000211

-0,0784

0,0917

0,7

v_F A B i_F C Ln (i_F 1)  D i_F

max.

0,000279

-0,044

0,0913

Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung

peak value of forward recovery voltage

T_vj= T_vjmax, d_iF/dt = 5000A/µs

I_FM= 4000A

V_FRM

i_R

typ.

360 V

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

max.

150 mA

reverse current

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

max. 3500 mAs

max. 1300 A

T_vj= T_vjmax

I_FM= 2500A, V_CL= 2800V,

-di/dt = 1000A/µs

Rückstromspitze

I_RM

peak reverse recovery current

clamp circuit L_S≤ 0,25µH,

R_CL= 68Ω, C_CL= 3µF,

Ausschaltverlust Energie

turn-off energy

W_RQ

F_RRS

max.

typ.

8 Ws

D_CL= 34DSH65,

Abklingsanftheit

T_vj= T_vjmax

1,6

reverse recovery softness factor

I_FM= 2500A, V_R= 2800 V,

-di_rr/dt_(i=0)= 1000A/s, Δt_rf= 200ns

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2014-06-01

8.0

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Technische Information /

technical information

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Thermische Eigenschaften

max.

8,55 K/kW

7,5 K/kW

13,3 K/kW

17,2 K/kW

R_thJC

Anode / anode, DC

Mechanische Eigenschaften

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

K/kW

max.

2,5

5,0

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

140 °C

Betriebstemperatur

operating temperature

0...+140 °C

Lagertemperatur

-40...+150 °C

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Seite 3

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft

36...52 kN

clamping force

Gewicht

weight

typ.

1350 g

Kriechstrecke

creepage distance

33 mm

17 mm

Luftstrecke

air distance

Feuchteklasse

humidity classification

DIN 40040

f = 50 Hz

Schwingfestigkeit

50 m/s²

vibration resistance

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Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

Maßbild

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

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Technische Information /

technical information

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJC

R,t – Werte

Pos. n

R,T-Werte

2,95

0,78

8,04

5,11

12,1

4,97

1,54

0,98

0,03

R_thn[°C/W]

beidseitig

two-sided

0,131

0,81

0,359

0,4

0,0217

2,39

0,00514

1,6

0,00104

0,46

τ_n[s]

R_thn[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

0,0962

2,44

0,012

1,55

0,00332

0,71

τ_n[s]

R_thn[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

0,489

0,121

0,0153

0,00427

τ_n[s]

n_max

-t

_n

Analytische Funktion / Analytical function:





Z_thJC

R_thn1 e



n=1

0,001

0,01

0,1

100

t[s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance Z _thJC= f(t) for DC

a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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technical information

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

3500

Diagramme

Durchlasskennlinie

3000

2500

max.

typ.

2000

i_F[A]

1500

1000

500

v_F[V]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i_F= f(v_F)

T_vj= T_{vj max}

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Technische Information /

technical information

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

4000

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

Tc beidseitig

I_FM=2500A

I_FM=1000A

I_FM=500A

I_FM=250A

200

400

600

800

1000

1200

1400

-di/dt [A/µs]

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, clamp circuit L_S≤ 0,25µH,R_CL= 68Ω

C_CL= 3µF, D_CL= 34DSH65

Date of Publication: 2014-06-01

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Technische Information /

technical information

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

1600

1400

1200

1000

800

I_FM=2500A

I_FM=1000A

I_FM=500A

I_FM=250A

600

400

200

400

600

800

1000

1200

1400

-di/dt [A/µs]

Rückstromspitze / peak reverse recovery current I_RM= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, clamp circuit L_S≤ 0,25µH,R_CL= 68Ω

C_CL= 3µF, D_CL= 34DSH65

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Technische Information /

technical information

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

I_FM=2500A

I_FM=1000A

I_FM=500A

I_FM=250A

200

400

600

-di/dt [A/µs]

800

1000

1200

1400

Ausschaltverlust Energie / turn-off energy E_off= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, clamp circuit L_S≤ 0,25µH,R_CL= 68Ω

C_CL= 3µF, D_CL= 34DSH65

Date of Publication: 2014-06-01

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Technische Information /

technical information

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

400

350

300

250

typ.

V_FRM[V]

200

150

100

1000

2000

3000

4000

5000

6000

di_F/dt [A/µs]

Spitzenwert-Durchlassverzögerungsspannung / peak value forward recovery voltage V_FRM= f(di_F/dt)

T_vj=T_vjmax, I_FM= 4000A

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technical information

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D1131SH

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der

Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und

insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei

Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

Terms & Conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical

departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product

data with respect to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is

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Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific

application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that

are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please

contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please

notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

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相关型号：

SI9130DB

SI9135LG-T1

SI9135LG-T1-E3

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