D368S10 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 1000V V(RRM), Silicon,;
| 型号： | D368S10 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 465A, 1000V V(RRM), Silicon, 快速恢复二极管 |
| 文件： | 总5页 (文件大小：62K) |
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 368 S 10...14
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj = - 25°C...Tvj max
Tvj = + 25°C...Tvj max
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
VRRM
1000
1200
1400
V
V
V
Stoßspitzensperrspannung
VRSM
1100
1300
1500
V
V
V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
IFRMSM
IFAVM
IFSM
730
A
TC =100°C
TC =78°C
Dauergrenzstrom
368
465
A
A
mean forward current
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms
Tvj = 25°C, tp = 1 ms
Tvj = Tvj max, tp = 1 ms
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
6300
5200
A
A
A
A
13290
10970
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Tvj = 25°C, tp = 1ms
Tvj = Tvj max, tp = 1ms
Grenzlastintegral
I²t
198450 A²s
135200 A²s
88310 A²s
60170 A²s
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iF = 1400 A
Durchlaßspannung
forward voltage
vF
max.
2,25
1
V
Tvj = Tvj max
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
V
mW
V
Tvj = Tvj max
Ersatzwiderstand
rT
0,8
3,9
forward slope resistance
1)
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung
typical value of forward recovery voltage
IEC 747-2
VFRM
typ
typ
Tvj = Tvj max
diF/dt=50A/µs, vR=0V
1)
µs
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
IEC 747-2, Methode / method II
Tvj = Tvj max, iFM=1400A
tfr
4,1
diF/dt=50 A/µs, vR=0V
Tvj = 25°C, vR=VRRM
Sperrstrom
iR
max.
max.
10 mA
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
reverse current
100 mA
1)
A
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =465A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, vRM<=200 V
Rückstromspitze
IRM
75
peak reverse recovery current
1)
µAs
210
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =465 A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, vRM<=200 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
trr
1)
µs
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =465A,-diF/dt=50A/µs
vR=100 V; vRM<=200V
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
3,45
µs/A 2)
Tvj = Tvj max
Sanftheit
Softness
SR
iFM =A,-diF/dt=A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 368 S 10...14
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
beidseitig / two-sided, Q =180°sin
thermal resitance, junction to case
max.
0,08
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,075
max. 0,125
Anode / anode, Q =180°sin
Anode / anode, DC
max.
max. 0,205
max. 0,2
0,12
Kathode / cathode, Q =180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthCK
thermal resitance, case to heatsink
max. 0,015
max. 0,030
°C/W
°C/W
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
150
-40...+150
-40...+150
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Durchmesser/diameter 21mm
Anpreßkraft
F
3,2...7,6
kN
g
clamping force
Gewicht
weight
G
typ.
60
17
Kriechstrecke
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50Hz
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
5x9,81
m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 368 S 10...14
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 368 S10...14
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Kühlung
cooling
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
beidseitig
two-sided
0,00035 0,00965 0,0351
0,000089 0,0015 0,0542
0,0299
0,497
t [s]
n
Rthn [°C/W]
anodenseitig
anode-sided
0,00035 0,00965 0,0402
0,000089 0,00151 0,0593
0,0186 0,0512
1,729 4,299
t [s]
n
Rthn [°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
0,00031 0,00889 0,0369
0,000084 0,00134 0,0526
0,0755 0,0784
1,951 4,856
t [s]
n
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = = å Rthn ( 1 - EXP ( - t / tn ))
n=1
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 368 S 10...14
2.000
1.750
1.500
1.250
1.000
750
500
250
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF)
Tvj = T vj max
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