D690S20 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1020A, 2000V V(RRM), Silicon,;
| 型号： | D690S20 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1020A, 2000V V(RRM), Silicon, 快速恢复二极管 |
| 文件： | 总5页 (文件大小：85K) |
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 690 S 20...26
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj = - 25°C...Tvj max
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
VRRM
2000
2200
2400
2600
V
V
V
Tvj = + 25°C...Tvj max
Stoßspitzensperrspannung
VRSM
2100
2300
2500
2700
V
V
non-repetitive peak reverse voltage
V
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
IFRMSM
IFAVM
IFSM
1600
TC =100°C
TC =60°C
Dauergrenzstrom
690
A
A
mean forward current
1020
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms
Tvj = 25°C, tp = 1 ms
Tvj = Tvj max, tp = 1 ms
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
14000
11500
33400
27500
A
A
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Tvj = 25°C, tp = 1ms
Tvj = Tvj max, tp = 1ms
Grenzlastintegral
I²t-value
I²t
980000 A²s
661250 A²s
557780 A²s
378125 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iF = 3000 A
Durchlaßspannung
forward voltage
vF
max.
2,7
1
V
Tvj = Tvj max
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
V
mW
V
Tvj = Tvj max
Ersatzwiderstand
rT
0,5
16,5
forward slope resistance
1)
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung
typical value of forward recovery voltage
IEC 747-2
VFRM
typ.
typ.
Tvj = Tvj max
diF/dt=50A/µs, vR=0V
1)
µs
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
IEC 747-2, Methode / method II
Tvj = Tvj max, iFM=3000A
tfr
6,2
diF/dt=50A/µs, vR=0V
Tvj = 25°C, vR=VRRM
Sperrstrom
iR
max.
max.
25 mA
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
reverse current
250 mA
1)
A
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =1020A,-diF/dt=50A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Rückstromspitze
IRM
155
peak reverse recovery current
1)
µAs
970
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =1020A,-diF/dt=50A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
trr
1)
µs
9
DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max
iFM =1020A,-diF/dt=50A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
µs/A 2)
Tvj = Tvj max
Sanftheit
Softness
SR
iFM =760A,-diF/dt=500A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 690 S 20...26
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
beidseitig / two-sided, Q =180°sin
thermal resitance, junction to case
max. 0,039 °C/W
max. 0,036 °C/W
max. 0,063 °C/W
max. 0,060 °C/W
max. 0,093 °C/W
max. 0,090 °C/W
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Q =180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Q =180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthCK
thermal resitance, case to heatsink
max. 0,005 °C/W
max. 0,010 °C/W
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
150 °C
-40...+150 °C
-40...+150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Durchmesser/diameter 38mm
Anpreßkraft
F
10...24 kN
clamping force
Gewicht
weight
G
typ.
300
g
Kriechstrecke
28 mm
C
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50Hz
humidity classification
Schwingfestigkeit
5x9,81
m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks: K0,05F ; K0,08F ; 2K0,024W
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 690 S 20...26
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 690 S 20...26
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Kühlung
cooling
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
beidseitig
two-sided
0,000044
0,000141
0,00331
0,00238
0,003256
0,0234
0,015
0,164
0,01439
1,14
t [s]
n
Rthn [°C/W]
anodenseitig
anode-sided
0,000052
0,000161
0,003458 0,00658
0,0156
0,261
0,03431
6,29
t [s]
n
0,00247
0,0433
Rthn [°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
0,000048
0,000151
0,0034
0,004162
0,0315
0,0145
0,17
0,0153
4,56
0,05259
8,86
t [s]
n
0,00243
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = = å Rthn ( 1 - EXP ( - t / tn ))
n=1
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
D 690 S 20...26
4.000
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF)
Tvj = T vj max
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