D8019N06 [INFINEON]

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8740A, 600V V(RRM), Silicon,;
D8019N06
型号: D8019N06
厂家: Infineon    Infineon
描述:

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8740A, 600V V(RRM), Silicon,

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European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
GmbH + Co. KG  
Marketing Information  
D 8019 N  
ø 65  
Cathode  
Anode  
ø 65  
+0,1  
ø 3,5  
x 3,5 deep  
on both sides  
May 1998  
D 8019 N  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical properties  
Höchstzuäl ssige Werte  
Maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
tvj = -25°C... Tvj max  
tvj = +25°C... Tvj max  
VRRM  
200, 400  
V
600  
Stoßspitzensperrspannung  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
Dauergrenzstrom  
non-repetitive peak reverse voltage  
RMS forward current  
VRSM  
IFRMSM  
IFAVM  
250 450 650 V  
13,3 kA  
mean forward current  
Tc = 56°C  
8,02 kA  
Tc = 46°C  
8,74 kA  
Stoßstrom-Grenzwert  
Grenzlastintegral  
surge forward current  
I2 t-value  
Tvj = 25°C, tp = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms  
Tvj = 25°C, tp = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms  
IFSM  
I2 t  
kA  
103  
95 kA  
53 · 106  
45 · 106  
A2s  
A2s  
Charakteristische Werte  
Durchlaßspannung  
Schleusenspannung  
Ersatzwiderstand  
Sperrstrom  
Characteristic values  
on-state voltage  
Tvj = Tvj max, iF = 10 kA  
Tvj = Tvj max  
VF  
max.  
max.  
0,98 V  
0,70 V  
mW  
threshold voltage  
slope resistance  
reverse current  
VT(TO)  
rT  
Tvj = Tvj max  
0,027  
100 mA  
Tvj = Tvj max, VR = VRRM  
iR  
Thermische Eigenschaften  
Thermal properties  
thermal resistance, junction  
to case  
beidseitig / two-sided, Q =180° sin  
Innerer Widerstand  
RthJC  
max. 0,0125 °C/W  
0,0117  
beidseitig / two sided, DC  
max.  
°C/W  
Anode / anode, Q =180° sin  
max. 0,0232 °C/W  
0,0225  
0,0250  
0,0245  
Anode / anode, DC  
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Kathode / cathode, Q =180° sin  
Kathode / cathode, DC  
beidseitig / two-sided  
einseitig / single-sided  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance,case to heatsink  
RthCK  
0,003 °C/W  
Höchstzul.Sperrschichttemperatur  
Betriebstemperatur  
max. junction temperature  
operating temperature  
storage temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
180 °C  
-40...+180 °C  
-40...+150 °C  
Lagertemperatur  
Mechanische Eigenschaften  
Anpreßkraft  
Mechanical properties  
clamping force  
F
40...80 kN  
900 g  
Gewicht  
weight  
G
typ.  
Kriechstrecke  
creepage distance  
vibration resistance  
mm  
m/s2  
Schwingfestigkeit  
f = 50 Hz  
50  
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung  
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.  
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in  
combination with the corresponding technical notes.  
D 8019 N  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
i
F
[kA]  
0
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
v
[V]  
D 8019 N / 1  
F
Bild / Fig. 1  
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic,  
iF = f(vF),  
t
t
= 180 °C  
= 180 °C  
vj  
vj  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
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