DD1200S33K2C [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-4;
| 型号： | DD1200S33K2C |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-4 |
| 文件： | 总6页 (文件大小：162K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = -25°C
3300
3300
Vçç¢
IŒ
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
1200
2400
500
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t« = 1 ms
IŒç¢
I²t
A
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 125°C
kA²s
kW
µs
Spitzenverlustleistung
maximum power dissipation
P笢
tÓÒ ÑÍÒ
2400
10,0
Mindesteinschaltdauer
minimum turn-on time
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 1200 A, V•Š = 0 V
IŒ = 1200 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2,80 3,50
2,80 3,50
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 6800 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1700
2000
A
A
Vç = 1800 V
V•Š = -15 V
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 6800 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
Vç = 1800 V
V•Š = -15 V
710
1300
µC
µC
TÝÎ = 125°C
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 1200 A, - diŒ/dt = 6800 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C
Vç = 1800 V
V•Š = -15 V
735
1550
mJ
mJ
TÝÎ = 125°C
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
17,0 K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
12,0
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Thomas Schütze
date of publication: 2009-01-20
revision: 3.0
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
insulation test voltage
Vš»¥¡
Vš»¥¡
V†Š ‡
6,0
2,6
kV
kV
V
Teilentladungs Aussetzspannung
RMS, f = 50 Hz, Q«‡ ú 10 pC (acc. to IEC 1287)
partial discharge extinction voltage
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
TÝÎ = 25°C, 100 fit
1800
AlSiC
AlN
DC stability
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
32,2
32,2
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
19,1
19,1
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min. typ. max.
6,00
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/kW
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
25
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
0,32
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note
M
M
G
4,25
-
5,75 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note
1,8
8,0
-
-
terminal connection torque
screw M4 - mounting according to valid application note
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M8 - mounting according to valid application note
10
Nm
g
Gewicht
weight
1000
Dauergleichstrom: chipbezogener Wert; Terminalwert pro Zweig: <1000A
DC forward current: chip related value; terminal value per arm: <1000A
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ1200R33KF2C Modul.
Dynamic data valid in conjunction with FZ1200R33KF2C module.
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approved by: Thomas Schütze
date of publication: 2009-01-20
revision: 3.0
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
R•ÓÒ = Â, V†Š = 1800 V
2400
2500
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
2000
1600
1200
800
400
0
2000
1500
1000
500
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VΠ[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0
300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400
IΠ[A]
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
IŒ = 1200 A, V†Š = 1800 V
2500
100
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : Diode
2000
1500
1000
500
0
10
1
i:
1
2
3
rÍ[K/kW]: 7,65 4,25 1,02 4,08
4
τÍ[s]:
0,03 0,1 0,3
1
0,1
0,001
0
1
2
3
4
5
6
R• [Â]
7
8
9
10 11 12
0,01
0,1
t [s]
1
10
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revision: 3.0
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)
save operation area diode-inverter (SOA)
Iç = f(Vç)
TÝÎ = 125°C
3000
Iç, Modul
2400
1800
1200
600
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
Vç [V]
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revision: 3.0
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
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revision: 3.0
6
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General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 3131, CHIP, 3131, ROHS AND REACH COMPLIANT
MURATA
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