DD435N32K

更新时间:2024-10-29 19:09:11
品牌:INFINEON
描述:Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 573A, 3200V V(RRM), Silicon, MODULE-3

DD435N32K 概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 573A, 3200V V(RRM), Silicon, MODULE-3 整流二极管

DD435N32K 规格参数

生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:MODULE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.75
其他特性:UL RECOGNIZED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.71 VJESD-30 代码:R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流:12000 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:573 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压:3200 V最大反向电流:50000 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

DD435N32K 数据手册

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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD435N  
DD435N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
2800  
3600  
3200 V  
4000 V  
Tvj = -25°C... Tvj max  
Tvj = +25°C... Tvj max  
VRRM  
repetitive peak reverse voltages  
2900  
3700  
3300 V  
4100 V  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM  
non-repetitive peak reverse voltage  
900 A  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
maximum RMS on-state current  
IFRMSM  
IFAVM  
IFSM  
435 A  
573 A  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
TC = 100°C  
TC = 75°C  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
14.500 A  
12.000 A  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
1.050.000 A²s  
720.000 A²s  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
I²t  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
1,71 V  
0,84 V  
0,6 m  
50 mA  
max.  
Tvj = Tvj max , iF = 1200 A  
Tvj = Tvj max  
vF  
on-state voltage  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
V(TO)  
rT  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Tvj = Tvj max  
max.  
Sperrstrom  
reverse current  
Tvj = Tvj max , vR = VRRM  
iR  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
VISOL  
kV  
kV  
3,6  
3,0  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC  
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin  
pro Modul / per Module, DC  
max. 0,0390 °C/W  
max. 0,0780 °C/W  
max. 0,0373 °C/W  
max. 0,0745 °C/W  
pro Zweig / per arm, DC  
pro Modul / per Module  
pro Zweig / per arm  
max.  
max.  
0,01 °C/W  
0,02 °C/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCH  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
150  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
°C  
Betriebstemperatur  
operating temperature  
- 40...+150 °C  
- 40...+150 °C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
C. Drilling  
date of publication: 10.03.05  
prepared by:  
revision:  
2
approved by: M. Leifeld  
BIP AC/ 05-03-10, C. Drilling  
A04/05  
Rev. 2  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD435N  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see annex  
Seite 3  
page 3  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Innere Isolation  
AlN  
6
internal insulation  
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse  
mounting torque  
Toleranz ±15%  
M1  
M2  
G
Nm  
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse  
terminal connection torque  
Toleranz ±10%  
12 Nm  
Gewicht  
weight  
typ.  
1500  
g
Kriechstrecke  
19 mm  
50 m/s²  
creepage distance  
Schwingfestigkeit  
vibration resistance  
f = 50 Hz  
file-No.  
E 83336  
BIP AC/ 05-03-10, C. Drilling  
A04/05  
Rev. 2  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
1
2
3
.
DD  
.
.
.
BIP AC/ 05-03-10, C. Drilling  
A04/05  
Rev. 2  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC  
Pos. n  
1
2
3
4
5
0,0267  
3
6
7
Rthn [°C/W]  
0,00194  
0,000732  
0,00584  
0,00824  
0,01465  
0,108  
0,0254  
0,57  
τn [s]  
nmax  
τn  
=
ZthJC  
Rthn 1 - e– t  
Analytische Funktion / Analytical function:  
Σ
n=1  
Θ=  
0,10  
0,08  
0,06  
0,04  
0,02  
rec 60°  
rec120°  
rec180°  
sin180°  
DC  
0,00  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
BIP AC/ 05-03-10, C. Drilling  
A04/05  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD435N  
R,Tau_Glieder des Kühlers  
Natürliche Kühlung / Natural cooling  
1 Modul pro Kühler / 1 module per heatsink  
Kühler / Heatsink type: KM17 (160W)  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA  
Pos. n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
0,00672  
2,17  
0,0537  
22,4  
0,539  
1130  
τn [s]  
Verstärkte Kühlung / Forced cooling  
1 Modul pro Kühler / 1 module per heatsink  
Kühler / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA  
Pos. n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
0,0064  
4,1  
0,0566  
24,7  
0,168  
395  
τn [s]  
nmax  
τn  
=
ZthCA  
Rthn 1 - e – t  
Analytische Funktion / Analytical function:  
Σ
n=1  
BIP AC/ 05-03-10, C. Drilling  
A04/05  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
1400  
1200  
DC  
180 ° rec  
180 ° sin  
1000  
800  
600  
400  
200  
120 ° rec  
Θ= 60 ° rec  
0
0
200  
400  
600  
800  
IFAV [A]  
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV  
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ  
160  
140  
120  
100  
80  
60  
180 ° sin  
40  
DC  
Θ= 60 ° rec  
180 ° rec  
120 ° rec  
20  
0
200  
400  
600  
800  
IFAVM [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM  
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)  
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
BIP AC/ 05-03-10, C. Drilling  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
2500  
ID  
B2  
R thCA [°C/W]  
+
0,020  
0,025  
2000  
R-Last  
~
0,030  
0,040  
L-Last  
-
1500  
0,050  
0,060  
0,080  
0,100  
1000  
0,120  
0,150  
0,200  
0,300  
500  
0
0
200  
400  
600  
800  
1000  
0
20  
0,30  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
ID [A]  
T A [°C]  
0,30  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
4000  
3000  
ID  
B6  
0,020  
R thCA [°C/W]  
+
0,025  
0,030  
3~  
-
0,020  
0,020  
0,040  
0,050  
0,060  
2000  
0,080  
0,100  
0,100  
1000  
0,150  
0,200  
0,300  
0
0
200  
400  
600  
800  
D [A]  
1000  
1200  
0
20  
40  
60  
80  
T A [°C]  
100  
120  
140  
I
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
BIP AC/ 05-03-10, C. Drilling  
A04/05  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD435N  
10000  
iFM  
=
1600A  
800A  
400A  
200A  
100A  
50A  
1000  
-di/dt [A/µs]  
1
10  
100  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)  
Tvj = Tvjmax, vR 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM  
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM  
a
8.000  
6.000  
4.000  
2.000  
0
TA = 35 °C  
b
TA = 45 °C  
0,01  
0,1  
1
t [s]  
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM  
a: Leerlauf / No-load conditions  
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM  
Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)  
Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (160W)  
BIP AC/ 05-03-10, C. Drilling  
A04/05  
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Seite/page  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
5.000  
=
I FAV (vor)  
0 A  
50 A  
4.000  
3.000  
2.000  
1.000  
0
85 A  
110 A  
130 A  
140 A  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
1000  
10000  
t [s]  
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular  
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (160W) Natürliche Kühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C  
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)  
5.000  
I FAV (vor)  
0 A  
100 A  
160 A  
210 A  
250 A  
275 A  
=
4.000  
3.000  
2.000  
1.000  
0
0,01  
0,1  
1
10  
t [s]  
100  
1000  
10000  
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit 120° rectangular  
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C  
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)  
BIP AC/ 05-03-10, C. Drilling  
A04/05  
Rev. 2  
Seite/page  
9/10  
Nutzungsbedingungen  
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