DDB6U134N16RR_B11 [INFINEON]
eupec™ EconoBRIDGE™ - 1600V 二极管桥模块,采用制动斩波器、NTC 温度检测和 PressFIT 压接技术,实现更紧凑的转换器设计。;型号: | DDB6U134N16RR_B11 |
厂家: | Infineon |
描述: | eupec™ EconoBRIDGE™ - 1600V 二极管桥模块,采用制动斩波器、NTC 温度检测和 PressFIT 压接技术,实现更紧凑的转换器设计。 斩波器 二极管 转换器 |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
EconoPACK™2ꢀModulꢀmitꢀLowꢀLossꢀIGBT2ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EconoPACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀLowꢀLossꢀIGBT2ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
-
VCES = 1600V
IC nom = 134A / ICRM = 268A
TypischeꢀAnwendungen
• Hilfsumrichter
TypicalꢀApplications
• AuxiliaryꢀInverters
• AirꢀConditioning
• MotorꢀDrives
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
• ServoꢀDrives
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
• Al2O3ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance
Widerstand
• HoheꢀLeistungsdichte
• IsolierteꢀBodenplatte
• KompaktesꢀDesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• RoHSꢀkonform
• HighꢀPowerꢀDensity
• IsolatedꢀBaseꢀPlate
• Compactꢀdesign
• PressFITꢀContactꢀTechnology
• RoHSꢀcompliant
• Standardgehäuse
• StandardꢀHousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
Diode,ꢀGleichrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀRectifier
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFRMSM
IRMSM
IFSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1600
80
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
TC = 100°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
TC = 100°C
134
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
650
550
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
2100
1500
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 150 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
1,20
VF
VTO
rT
V
V
Schleusenspannung
Tvj = 150°C
0,75
5,50
1,00
Thresholdꢀvoltage
Ersatzwiderstand
Tvj = 150°C
mΩ
mA
Slopeꢀresistance
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Reverseꢀcurrent
IR
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
0,65 K/W
K/W
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
0,155
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 125°C
TC = 25°C, Tvj max = 125°C
IC nom
IC
75
125
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
ICRM
Ptot
150
400
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 125°C
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
VGES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2,10 2,60
2,40
V
V
VCE sat
VGEth
QG
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
4,5
5,5
0,80
5,0
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
5,10
0,33
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Cres
ICES
IGES
td on
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,09
0,10
µs
µs
RGon = 10 Ω
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,05
0,05
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,40
0,45
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,03
0,06
µs
µs
RGoff = 10 Ω
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 1700 A/µs
RGon = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
7,00
8,80
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 4600 V/µs
RGoff = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
5,50
8,60
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
540
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
Tvj op
0,25 K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,16
K/W
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
125
°C
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
35
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
70
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
I²tꢀ-ꢀvalue
310
ꢀ A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 35 A, VGE = 0 V
IF = 35 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1,85 2,30
1,75
V
V
VF
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 35 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
60,0
65,0
A
A
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
IRM
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 35 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
3,50
7,50
µC
µC
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Qr
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 35 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
1,30
2,80
mJ
mJ
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
0,80 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,42
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
125
°C
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
10,0
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
7,5
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 200
min. typ. max.
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule
RthCH
LsCE
0,02
50
K/W
nH
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
RAA'+CC'
0,80
mΩ
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
M
-40
125 °C
6,00 Nm
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
3,00
Gewicht
Weight
G
180
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ125°C
150
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VGE = 17
VGE = 15
VGE = 13
VGE = 11
VGE = 9
135
120
105
90
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
VGE = 7
75
60
45
30
15
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
150
27
Tvj = 25°C
Eon, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
135
120
105
90
24
21
18
15
12
9
75
60
45
6
30
3
15
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
VGE [V]
IC [A]
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ75ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
40
1
Eon, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
35
30
25
20
15
10
5
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,015 0,0825 0,08 0,0725
τi[s]:
0,01 0,02
0,05 0,1
0
0,001
0,001
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
RG [Ω]
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererꢀRückw.-Arbeitsber.ꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C
200
70
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
150
100
50
0
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,0
0,4
0,8
1,2
VF [V]
1,6
2,0
2,4
VCE [V]
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
IFꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
3,5
3,5
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
RG [Ω]
IF [A]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
1
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,048 0,264 0,256 0,232
τi[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
TC [°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀCM
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
-
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
Infineon
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approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DDB6U134N16RR_B11
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
gegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
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-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
theꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
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approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29
revision:ꢀ3.0
10
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INFINEON
DDB6U180N16RR_B37
eupec™EconoBRIDGE™ - 采用EconoPACK™2外壳的1600V 二极管桥接模块 ,采用 IGBT4 制动斩波器、特殊固定和 PressFIT 压接技术,实现更紧凑的转换器设计。也适用于热界面材料。
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