DDB6U134N16RR_B11 [INFINEON]

eupec™ EconoBRIDGE™ - 1600V 二极管桥模块,采用制动斩波器、NTC 温度检测和 PressFIT 压接技术,实现更紧凑的转换器设计。;
DDB6U134N16RR_B11
型号: DDB6U134N16RR_B11
厂家: Infineon    Infineon
描述:

eupec™ EconoBRIDGE™ - 1600V 二极管桥模块,采用制动斩波器、NTC 温度检测和 PressFIT 压接技术,实现更紧凑的转换器设计。

斩波器 二极管 转换器
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
DDB6U134N16RR_B11  
EconoPACK™2ꢀModulꢀmitꢀLowꢀLossꢀIGBT2ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
EconoPACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀLowꢀLossꢀIGBT2ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
-
VCES = 1600V  
IC nom = 134A / ICRM = 268A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Hilfsumrichter  
TypicalꢀApplications  
• AuxiliaryꢀInverters  
• AirꢀConditioning  
• MotorꢀDrives  
• Klimaanlagen  
• Motorantriebe  
• Servoumrichter  
• ServoꢀDrives  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen  
• Al2O3ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance  
Widerstand  
• HoheꢀLeistungsdichte  
• IsolierteꢀBodenplatte  
• KompaktesꢀDesign  
• PressFITꢀVerbindungstechnik  
• RoHSꢀkonform  
• HighꢀPowerꢀDensity  
• IsolatedꢀBaseꢀPlate  
• Compactꢀdesign  
• PressFITꢀContactꢀTechnology  
• RoHSꢀcompliant  
• Standardgehäuse  
• StandardꢀHousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀCM  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29  
revision:ꢀ3.0  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
DDB6U134N16RR_B11  
Diode,ꢀGleichrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀRectifier  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IFRMSM  
IRMSM  
IFSM  
1600  
80  
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip  
TC = 100°C  
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip  
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom  
TC = 100°C  
134  
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput  
StoßstromꢀGrenzwert  
Surgeꢀforwardꢀcurrent  
tp = 10 ms, Tvj = 25°C  
tp = 10 ms, Tvj = 150°C  
650  
550  
A
A
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
tp = 10 ms, Tvj = 25°C  
tp = 10 ms, Tvj = 150°C  
2100  
1500  
A²s  
A²s  
I²t  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
Durchlassspannung  
Tvj = 150°C, IF = 150 A  
Forwardꢀvoltage  
min. typ. max.  
1,20  
VF  
VTO  
rT  
V
V
Schleusenspannung  
Tvj = 150°C  
0,75  
5,50  
1,00  
Thresholdꢀvoltage  
Ersatzwiderstand  
Tvj = 150°C  
mΩ  
mA  
Slopeꢀresistance  
Sperrstrom  
Tvj = 150°C, VR = 1600 V  
Reverseꢀcurrent  
IR  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
0,65 K/W  
K/W  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
0,155  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
preparedꢀby:ꢀCM  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29  
revision:ꢀ3.0  
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
DDB6U134N16RR_B11  
IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
TC = 80°C, Tvj max = 125°C  
TC = 25°C, Tvj max = 125°C  
IC nom  
IC  
75  
125  
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
tP = 1 ms  
ICRM  
Ptot  
150  
400  
A
Gesamt-Verlustleistung  
Totalꢀpowerꢀdissipation  
TC = 25°C, Tvj max = 125°C  
W  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
VGES  
+/-20  
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 75 A, VGE = 15 V  
IC = 75 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2,10 2,60  
2,40  
V
V
VCE sat  
VGEth  
QG  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
4,5  
5,5  
0,80  
5,0  
6,5  
V
µC  
Gateladung  
Gateꢀcharge  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
5,10  
0,33  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
1,0 mA  
100 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 75 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,09  
0,10  
µs  
µs  
RGon = 10 Ω  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 75 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 10 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,05  
0,05  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 75 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 10 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,40  
0,45  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 75 A, VCE = 600 V  
VGE = ±15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
0,03  
0,06  
µs  
µs  
RGoff = 10 Ω  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 1700 A/µs  
RGon = 10 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
7,00  
8,80  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH  
VGE = ±15 V, du/dt = 4600 V/µs  
RGoff = 10 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
5,50  
8,60  
mJ  
mJ  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE 15 V, VCC = 900 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP 10 µs, Tvj = 125°C  
540  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
0,25 K/W  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
0,16  
K/W  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
125  
°C  
preparedꢀby:ꢀCM  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29  
revision:ꢀ3.0  
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
DDB6U134N16RR_B11  
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
1200  
35  
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
70  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
I²tꢀ-ꢀvalue  
310  
A²s  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 35 A, VGE = 0 V  
IF = 35 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
1,85 2,30  
1,75  
V
V
VF  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 35 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
60,0  
65,0  
A
A
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
IRM  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 35 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
3,50  
7,50  
µC  
µC  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Qr  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 35 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
1,30  
2,80  
mJ  
mJ  
VR = 600 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
0,80 K/W  
K/W  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
0,42  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
125  
°C  
preparedꢀby:ꢀCM  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29  
revision:ꢀ3.0  
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
DDB6U134N16RR_B11  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
2,5  
Cu  
kV  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
Al2O3  
10,0  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
mm  
mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
7,5  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 200  
min. typ. max.  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule  
RthCH  
LsCE  
0,02  
50  
K/W  
nH  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
RAA'+CC'  
0,80  
mΩ  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
125 °C  
6,00 Nm  
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
3,00  
Gewicht  
Weight  
G
180  
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
5,00  
Nennwiderstand  
Ratedꢀresistance  
TC = 25°C  
R25  
R/R  
P25  
kΩ  
AbweichungꢀvonꢀR100  
DeviationꢀofꢀR100  
TC = 100°C, R100 = 493 Ω  
-5  
5
%
Verlustleistung  
Powerꢀdissipation  
TC = 25°C  
20,0 mW  
B-Wert  
B-value  
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
B25/50  
B25/80  
B25/100  
3375  
3411  
3433  
K
K
K
B-Wert  
B-value  
B-Wert  
B-value  
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.  
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.  
preparedꢀby:ꢀCM  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29  
revision:ꢀ3.0  
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
DDB6U134N16RR_B11  
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ125°C  
150  
150  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
VGE = 17  
VGE = 15  
VGE = 13  
VGE = 11  
VGE = 9  
135  
120  
105  
90  
135  
120  
105  
90  
75  
60  
45  
30  
15  
0
VGE = 7  
75  
60  
45  
30  
15  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ10ꢀ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ10ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
150  
27  
Tvj = 25°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
135  
120  
105  
90  
24  
21  
18  
15  
12  
9
75  
60  
45  
6
30  
3
15  
0
5
0
6
7
8
9
10  
11  
12  
0
15 30 45 60 75 90 105 120 135 150  
VGE [V]  
IC [A]  
preparedꢀby:ꢀCM  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29  
revision:ꢀ3.0  
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
DDB6U134N16RR_B11  
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ75ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
40  
1
Eon, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
Eoff, Tvj = 125°C  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
0,1  
0,01  
i:  
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,015 0,0825 0,08 0,0725  
τi[s]:  
0,01 0,02  
0,05 0,1  
0
0,001  
0,001  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
RG []  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
SichererꢀRückw.-Arbeitsber.ꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper  
(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ10ꢀ,ꢀTvjꢀ=ꢀ125°C  
200  
70  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
150  
100  
50  
0
0
0
200  
400  
600  
800  
1000 1200 1400  
0,0  
0,4  
0,8  
1,2  
VF [V]  
1,6  
2,0  
2,4  
VCE [V]  
preparedꢀby:ꢀCM  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29  
revision:ꢀ3.0  
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
DDB6U134N16RR_B11  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ10ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
IFꢀ=ꢀ35ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
3,5  
3,5  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 125°C  
3,0  
2,5  
2,0  
1,5  
1,0  
0,5  
0,0  
3,0  
2,5  
2,0  
1,5  
1,0  
0,5  
0,0  
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
RG []  
IF [A]  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)  
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)  
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)  
1
100000  
ZthJC : Diode  
Rtyp  
10000  
1000  
100  
0,1  
i:  
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,048 0,264 0,256 0,232  
τi[s]:  
0,01 0,02 0,05 0,1  
0,01  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
20  
40  
60  
80  
TC [°C]  
100 120 140 160  
preparedꢀby:ꢀCM  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29  
revision:ꢀ3.0  
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
DDB6U134N16RR_B11  
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline  
-
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines  
Infineon  
preparedꢀby:ꢀCM  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29  
revision:ꢀ3.0  
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
DDB6U134N16RR_B11  
Nutzungsbedingungen  
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung  
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese  
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.  
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine  
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien  
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund  
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine  
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin  
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin  
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.  
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden  
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;  
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund  
gegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.  
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.  
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.  
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage  
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application.  
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted  
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits  
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.  
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof  
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically  
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe  
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.  
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease  
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-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;  
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theꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.  
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.  
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.  
preparedꢀby:ꢀCM  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-08-29  
revision:ꢀ3.0  
10  

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