DF100R07W1H5FP_B53 [INFINEON]
PressFIT;
| 型号： | DF100R07W1H5FP_B53 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | PressFIT |
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DF100R07W1H5FP_B53
EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀ5ꢀH5ꢀundꢀCoolSiC™ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀbereitsꢀaufgetragenem
ThermalꢀInterfaceꢀMaterial
EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™ꢀ5ꢀH5ꢀandꢀCoolSiC™ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀpre-appliedꢀThermal
InterfaceꢀMaterial
J
VCES = 650V
IC nom = 50A / ICRM = 100A
TypischeꢀAnwendungen
TypicalꢀApplications
• SolarꢀAnwendungen
• Solarꢀapplications
ElektrischeꢀEigenschaften
ElectricalꢀFeatures
• CoolSiCꢀ(TM)ꢀSchottkyꢀDiodeꢀGenꢀ5
• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V
• NiederinduktivesꢀDesign
• CoolSiCꢀ(TM)ꢀSchottkyꢀdiodeꢀgenꢀ5
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀupꢀtoꢀ650V
• Lowꢀinductiveꢀdesign
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• Lowꢀswitchingꢀlosses
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
• Al2O3ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance
Widerstand
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
• Thermisches Interface Material bereits
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
aufgetragen
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.0
www.infineon.com
2017-04-06
DF100R07W1H5FP_B53
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TH = 100°C, Tvj max = 175°C
TH = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
25
40
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
VGES
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 25 A, VGE = 15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,35 1,55
1,40
1,45
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 400V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
3,25 4,00 4,75
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,235
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
2,80
0,013
0,04
nF
nF
mA
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
100 nA
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,009
0,01
0,012
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,0036
0,004
0,005
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,008
0,009
0,01
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,022
0,028
0,03
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 25 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 4200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
0,11
0,23
0,25
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 25 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 7500 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
0,15
0,17
0,21
mJ
mJ
mJ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 400 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C
250
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
RthJH
Tvj op
1,60 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.0
2017-04-06
DF100R07W1H5FP_B53
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
30
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
30
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
IFRM
I²t
60
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
90,0
82,0
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,60 2,00
1,55
1,50
V
V
V
VF
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
RthJH
Tvj op
2,44 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Diode,ꢀHochsetzstellerꢀ/ꢀDiode,ꢀBoost
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
30
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
60
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
40,5
ꢀ A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,45 1,85
1,60
1,65
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
10,5
10,0
10,0
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 30 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
0,012
0,0125
0,013
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
0,04
0,0405
0,041
mJ
mJ
mJ
VR = 400 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
RthJH
Tvj op
1,50 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
3
Vꢀ3.0
2017-04-06
DF100R07W1H5FP_B53
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
DeviationꢀofꢀR100
-5
5
%
Verlustleistung
TNTC = 25°C
20,0 mW
Powerꢀdissipation
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
ꢀ kV
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 200
min. typ. max.
15
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
Tstg
nH
°C
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
125
125
50
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
TBPmax
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
20
-
N
g
Gewicht
Weight
G
24
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet
4
Vꢀ3.0
2017-04-06
DF100R07W1H5FP_B53
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
50
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 7 V
VGE = 9 V
VGE = 11 V
VGE = 15 V
VGE = 17 V
VGE = 19 V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
50
0,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
VGE [V]
IC [A]
Datasheet
5
Vꢀ3.0
2017-04-06
DF100R07W1H5FP_B53
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
1,2
1000
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
tdon
tr
1,1
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
tdoff
tf
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
100
10
1
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
RG [Ω]
IC [A]
SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG) ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV,ꢀꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
1000
100
10
10
tdon
tr
tdoff
tf
ZthJH : IGBT
1
i:
ri[K/W]: 0,0896
τi[s]:
1
2
3
4
0,1054
0,3424 1,0626
0,000342 0,003454 0,018 0,09605
1
0,1
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
RG [Ω]
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Datasheet
6
Vꢀ3.0
2017-04-06
DF100R07W1H5FP_B53
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
capacityꢀcharcteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
Cꢀ=ꢀf(VCE)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ1MHz
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
120
100
IC, Modul
IC, Chip
Cies
Coes
Cres
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
1
0,1
0,01
0,001
0
100
200
300
400
500
600
700
0
5
10
15
VCE [V]
20
25
30
VCE [V]
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
15
60
VCC = 400 V
Tvj = 25 °C
Tvj = 125 °C
Tvj = 150 °C
12
9
50
40
30
20
10
0
6
3
0
-3
-6
-9
-12
-15
0
30
60
90
120 150 180 210 240
QG [nC]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
Datasheet
7
Vꢀ3.0
2017-04-06
DF100R07W1H5FP_B53
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJH=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBoostꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
10
60
ZthJH : Diode
Tvj = 25 °C
Tvj = 125 °C
Tvj = 150 °C
50
40
30
20
10
0
1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,2138
τi[s]:
0,6081
1,2543 0,3638
0,0004165 0,009878 0,07189 0,6098
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VF [V]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBoostꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBoostꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ5.1ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
IFꢀ=ꢀ30ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ400ꢀV
0,0600
0,0500
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,0500
0,0400
0,0300
0,0200
0,0100
0,0000
0,0400
0,0300
0,0200
0,0100
0,0000
0
10
20
30
IF [A]
40
50
60
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
RG [Ω]
Datasheet
8
Vꢀ3.0
2017-04-06
DF100R07W1H5FP_B53
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBoostꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
10
100000
ZthJH : Diode
Rtyp
10000
1000
100
1
i:
ri[K/W]: 0,1429
τi[s]:
1
2
3
4
0,265
0,366
0,7261
0,000433 0,002797 0,01671 0,1058
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
TNTC [°C]
100 120 140 160
Datasheet
9
Vꢀ3.0
2017-04-06
DF100R07W1H5FP_B53
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
10
Vꢀ3.0
2017-04-06
TrademarksꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG
µHVIC™,ꢀµIPM™,ꢀµPFC™,ꢀAU-ConvertIR™,ꢀAURIX™,ꢀC166™,ꢀCanPAK™,ꢀCIPOS™,ꢀCIPURSE™,ꢀCoolDP™,ꢀCoolGaN™,ꢀCOOLiR™,
CoolMOS™,ꢀCoolSET™,ꢀCoolSiC™,ꢀDAVE™,ꢀDI-POL™,ꢀDirectFET™,ꢀDrBlade™,ꢀEasyPIM™,ꢀEconoBRIDGE™,ꢀEconoDUAL™,
EconoPACK™,ꢀEconoPIM™,ꢀEiceDRIVER™,ꢀeupec™,ꢀFCOS™,ꢀGaNpowIR™,ꢀHEXFET™,ꢀHITFET™,ꢀHybridPACK™,ꢀiMOTION™,
IRAM™,ꢀISOFACE™,ꢀIsoPACK™,ꢀLEDrivIR™,ꢀLITIX™,ꢀMIPAQ™,ꢀModSTACK™,ꢀmy-d™,ꢀNovalithIC™,ꢀOPTIGA™,ꢀOptiMOS™,
ORIGA™,ꢀPowIRaudio™,ꢀPowIRStage™,ꢀPrimePACK™,ꢀPrimeSTACK™,ꢀPROFET™,ꢀPRO-SIL™,ꢀRASIC™,ꢀREAL3™,ꢀSmartLEWIS™,
SOLIDꢀFLASH™,ꢀSPOC™,ꢀStrongIRFET™,ꢀSupIRBuck™,ꢀTEMPFET™,ꢀTRENCHSTOP™,ꢀTriCore™,ꢀUHVIC™,ꢀXHP™,ꢀXMC™
ꢀ
TrademarksꢀupdatedꢀNovemberꢀ2015
ꢀ
OtherꢀTrademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2017-04-06
©ꢀ2017ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
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Publishedꢀby
InfineonꢀTechnologiesꢀAG
81726ꢀMünchen,ꢀGermany
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ꢀ
ꢀ
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DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
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ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
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benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
WARNHINWEIS
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ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
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theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
相关型号：
SI9130DB
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-
VISHAY
SI9135LG-T1
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-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
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-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
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SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
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