DF400R07PE4R_B6 [INFINEON]
Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-20;
| 型号： | DF400R07PE4R_B6 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-20 局域网 栅 功率控制 晶体管 |
| 文件： | 总10页 (文件大小：794K) |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
EconoPACK™4ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀNTC
EconoPACK™4ꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀandꢀNTC
VCES = 650V
IC nom = 400A / ICRM = 800A
TypischeꢀAnwendungen
• Chopper-Anwendungen
• Motorantriebe
TypicalꢀApplications
• ChopperꢀApplications
• MotorꢀDrives
• SolarꢀAnwendungen
• USV-Systeme
• SolarꢀApplications
• UPSꢀSystems
ElektrischeꢀEigenschaften
ElectricalꢀFeatures
• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop
• TrenchꢀIGBTꢀ4
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient
MechanischeꢀEigenschaften
• 2,5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• HoheꢀmechanischeꢀRobustheit
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• IsolierteꢀBodenplatte
MechanicalꢀFeatures
• 2.5ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation
• Highꢀmechanicalꢀrobustness
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• IsolatedꢀBaseꢀPlate
• Standardgehäuse
• StandardꢀHousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
ꢀDigit
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀKY
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ3.0
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 50°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
400
450
A
A
GrenzeffektivstromꢀderꢀModulꢀKontakte
MaximumꢀRMSꢀmoduleꢀterminalꢀcurrent
TCt = 90°C
TCt = 50°C
240
300
ItRMS
ICRM
Ptot
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
800
1100
+/-20
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
VGES
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,55 1,95
1,70
1,75
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 4,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
5,1
5,8
4,30
1,0
18,5
0,55
ꢀ
6,4
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
0,02 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
400 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,105
0,115
0,12
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,085
0,094
0,096
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,46
0,49
0,495
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,061
0,081
0,085
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 4200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
5,90
8,95
10,0
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 2600 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
19,0
23,5
25,0
mJ
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ꢀ
ꢀ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
1500
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
ꢀ
0,135 K/W
preparedꢀby:ꢀKY
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ3.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthCH
Tvj op
ꢀ
0,071
K/W
°C
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
400
800
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
9200
8200
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 400 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
155
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
215
230
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 400 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
13,5
25,5
30,0
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 400 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
3,60
6,15
7,05
mJ
mJ
mJ
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
0,21 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,068
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
Diode,ꢀReversꢀ/ꢀDiode,ꢀReverse
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
50
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
330
300
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
VF
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1,20 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,125
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
preparedꢀby:ꢀKY
ꢀ
-40
ꢀ
150
°C
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ3.0
approvedꢀby:ꢀMK
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TC = 25°C
R25
∆R/R
P25
ꢀ
-5
ꢀ
5,00
ꢀ
ꢀ
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
DeviationꢀofꢀR100
5
%
Verlustleistung
TC = 25°C
ꢀ
20,0 mW
Powerꢀdissipation
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
ꢀ
3375
3411
3433
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
K
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
ꢀ
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
ꢀ
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
ꢀ
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
15,0
12,5
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm
ꢀ mm
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,0
7,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
ꢀ
CTI
> 200
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
ꢀ
LsCE
ꢀ
20
ꢀ
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
ꢀ
RCC'+EE'
ꢀ
1,40
ꢀ
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
M
-40
3,00
3,0
ꢀ
ꢀ
125
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
-
-
6,00 Nm
6,0 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
Gewicht
Weight
ꢀ
G
400
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀKY
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ3.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
800
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
700
600
500
400
300
200
100
700
600
500
400
300
200
100
0
0
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
2,4
2,8
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.6ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
800
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
700
600
500
400
300
200
100
Eoff, Tvj = 150°C
50
40
30
20
10
0
0
5
6
7
8
9
10
11
12
0
100 200 300 400 500 600 700 800
VGE [V]
IC [A]
preparedꢀby:ꢀKY
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ3.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
80
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
ZthJC : IGBT
70
60
50
40
30
20
10
0
0,1
i:
ri[K/W]: 0,01315 0,09373 0,02002 0,00732
τi[s]: 0,00059 0,02897 0,15167 4,01499
1
2
3
4
0,01
0,001
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückw.-Arbeitsber.ꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.6ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
900
800
IC, Modul
Tvj = 25°C
IC, Chip
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
800
700
600
500
400
300
200
100
0
700
600
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
700
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VCE [V]
VF [V]
preparedꢀby:ꢀKY
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ3.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ1.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
IFꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
10
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 150°C
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
IF [A]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
RG [Ω]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀReversꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀReverseꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
1
100
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
80
60
40
20
0
0,1
i:
ri[K/W]: 0,0211 0,04282 0,13328 0,01032
τi[s]: 0,0003 0,0094 0,04061 1,83639
1
2
3
4
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VF [V]
preparedꢀby:ꢀKY
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ3.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀReversꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀReverseꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
10
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
10000
1000
100
1
i:
ri[K/W]: 0,15257 0,20361 0,77096 0,04951
τi[s]: 0,00027 0,00536 0,03189 0,41698
1
2
3
4
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
TC [°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀKY
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ3.0
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
preparedꢀby:ꢀKY
approvedꢀby:ꢀMK
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11
revision:ꢀ3.0
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.
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revision:ꢀ3.0
10
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