DF400R12KE3 [INFINEON]
Insulated Gate Bipolar Transistor, 580A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5;
| 型号： | DF400R12KE3 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor, 580A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 局域网 栅 晶体管 |
| 文件： | 总9页 (文件大小：266K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R12KE3
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I† ÒÓÑ
I†
400
580
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
800
2000
+/-20
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 400 A, V•Š = 15 V
I† = 400 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,70 2,15
2,00
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 16,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
5,0
5,8
3,70
1,9
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
28,0
1,10
nF
nF
mA
nA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
I†Š»
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
5,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
I•Š»
tÁ ÓÒ
400
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 400 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,25
0,30
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 400 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,09
0,10
µs
µs
tØ
tÁ ÓËË
tË
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 400 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 1,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,55
0,65
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 400 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 1,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,13
0,18
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 400 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V, L» = 80 nH
R•ÓÒ = 1,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
mJ
mJ
EÓÒ
25,0
62,0
1600
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 400 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V, L» = 80 nH
R•ÓËË = 1,8 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
mJ
mJ
EÓËË
Kurzschlussverhalten
SC data
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V
TÝÎ = 125°C, V†† = 900 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT
per IGBT
RÚÌœ†
0,062 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
0,03
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Martin Knecht
date of publication: 2004-11-19
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R12KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
400
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
800
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
34000
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,65 2,15
1,65
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
400
480
A
A
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
44,0
80,0
µC
µC
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
20,0
37,0
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,11 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,06
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Martin Knecht
date of publication: 2004-11-19
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R12KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
400
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
tÔ = 1 ms
800
A
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
34000
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V
IŒ = 400 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,65 2,15
1,65
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
400
480
A
A
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
44,0
80,0
µC
µC
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 400 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
20,0
37,0
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,11 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
0,06
prepared by: Martin Knecht
date of publication: 2004-11-19
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R12KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
20,0
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
11,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 425
min. typ. max.
0,01
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
20
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
0,70
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M6
Schraube / screw M6
M
M
G
3,00
2,5
-
-
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
340
prepared by: Martin Knecht
date of publication: 2004-11-19
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R12KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 125°C
V•Š = 15 V
800
800
700
600
500
400
300
200
100
0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
700
600
500
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5 2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1,8 Â, R•ÓËË = 1,8 Â, V†Š = 600 V
800
120
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
700
100
600
500
400
300
200
100
0
80
60
40
20
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
100 200 300 400 500 600 700 800
I† [A]
prepared by: Martin Knecht
date of publication: 2004-11-19
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R12KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 400 A, V†Š = 600 V
160
0,1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
140
120
100
80
60
40
20
0
0,01
i:
rÍ[K/W]: 0,00118
0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499
1
2
3
4
0,00353 0,03123 0,02606
τÍ[s]:
0,001
0,001
0
2
4
6
8 10
R• [Â]
12
14
16
18
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1,8 Â, TÝÎ = 125°C
900
800
700
600
500
400
300
800
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
700
600
500
400
300
200
100
0
200
I†, Modul
I†, Chip
100
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VΠ[V]
prepared by: Martin Knecht
date of publication: 2004-11-19
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R12KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 1,8 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 400 A, V†Š = 600 V
50
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
45
40
35
30
25
20
15
10
5
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
0
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
IΠ[A]
0
2
4
6
8 10
R• [Â]
12
14
16
18
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
1
ZÚÌœ† : Diode
0,1
0,01
i:
rÍ[K/W]: 0,00208
1
2
3
0,00625 0,05548 0,04619
4
τÍ[s]:
0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
prepared by: Martin Knecht
date of publication: 2004-11-19
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R12KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
prepared by: Martin Knecht
date of publication: 2004-11-19
revision: 2.0
approved by: Wilhelm Rusche
8
Nutzungsbedingungen
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SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
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SI9137DB
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SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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