DT71F10KEM [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, MODULE-5;
| 型号： | DT71F10KEM |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, MODULE-5 |
| 文件： | 总7页 (文件大小：257K) |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
TT 71 F
screwing depth
max. 12
fillister head screw
M6x15 Z4-1
plug
A 2,8 x 0,8
III
II
I
14
G2
K2
K1
G1
15
25
25
13,3 5
80
94
AK
K
A
K1 G1
K2 G2
VWK Febr. 1997
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM 800 1000 1100 1200
V
Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state tvj = -40°C...tvj max
1300 1400
VDSM = VDRM
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM = VRRM
ITRMSM
+ 100
180
V
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
RMS on-state current
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
71
A
tc = 50°C
115
A
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
ITSM
2400
2100
28800
22000
A
A
òi2dt-value
òi2dt
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of on-state current vD £ 67%, VDRM, fo = 50 Hz
IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
160 A/µs
1)
2)
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, VD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe/6th letter B
50
500
50 V/µs
500 V/µs
50 V/µs
500 V/µs
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
500
6.Kennbuchstabe/6th letter M
1000
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Characteristic values
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 350 A
tvj = tvj max
vT
max. 2,6
V
V
threshold voltage
slope resistance
VT(TO)
rT
1,3
3,1
tvj = tvj max
mW
mA
V
Zündstrom
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max. 150
max. 2
Zündspannung
tvj = 25 °C, vD = 6 V
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
tvj = tvj max, vD = 6 V
max. 10
max. 0,25
max. 250
max. 1
mA
V
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10 W
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20 W
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 10 µs
mA
A
Einraststrom
latching current
IL
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD=VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj=25°C, IGM=0,6 A,diG/dt =0,6 A/µs
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
tgd
tq
max. 1,4
µs
µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
S: max. 18
E: max. 20
F: max. 25
3
µs
µs
kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Innerer Wärmewiderstand
Q =180° el,sinus: pro Modul/per module RthJC
max. 0,15 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,03 °C/W
max. 0,142 °C/W
max. 0,284 °C/W
max. 0,03 °C/W
DC:
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
RthCK
pro Zweig/per arm
max. junction temperature
max. 0,06 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
tvj max
tc op
tstg
125
-40...+125
-40...+130
°C
°C
°C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
Anzugsdrehmomente für mechanische mounting torque
internal insulation
AIN
6
Toleranz/tolerance ± 15%
M1
M2
Nm
Nm
Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
6
Anschlüsse
Gewicht
weight
G
typ. 430
14
g
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
creepage distance
vibration resistance
outline
mm
f = 50 Hz
5 . 9,81 m/s²
1
Maßbild
1)
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
2)
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei V RRM £ 800 V und DD 121 S bei VRRM £ 1000 V
For data of the diode refer to DD 122 S at V RRM £ 800 V and DD 121 S at VRRM £ 1000 V
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
TT 71 F
3
2
300
t
= 60°C
C
f
[kHz]
Parameter: f [kHz]
50...400Hz
0,4
50 Hz
1
0
0
200
150
i
i
TM
TM
3
10
1
2
[A]
[A]
8
6
3
4
100
80
2
1
0,4
0,1 50 Hz
0,25
2
5
3
2
2
5
60
50
10
3
8
6
40
5
t
= 60°C
4
c
3
71 F/1
3 TT
300 TT 71 F/4
t
= 80°C
C
2
Parameter: f [kHz]
0
200
150
i
TM
i
TM
3
f
[kHz]
50...400Hz
50 Hz
10
0
[A]
[A]
8
6
1
0,4
2
4
100
80
1
0,25
1
0,4
0,1 50 Hz
3
2
2
2
3
5
2
5
60
50
10
8
6
40
3
5
t
= 80°C
c
4
30TT 71 F/5
300
3 TT
3
71 F/2
t
= 100°C
C
2
Parameter: f [kHz]
0
i
200
150
TM
1 0
i
TM
3
[A]
[A]
8
6
f
[kHz]
50...400Hz
50 Hz
4
0
100
80
1
0,4
2
2
2
1
0,1
0,4
0,25
50 Hz
2
60
50
3
3
1 0
1
8
5
6
40
5
t
= 100°C
6
4
3
c
3
2
30
4 0 60
100
200
µs
6
1 0
400 600
1
2
4
t
5
8
10
20
40
60
80 100
ms
TT 71 F/6
± di /dt [A/µs]
T
TT 71 F/3
p
Bild / Fig. 1, 2, 3
Bild / Fig. 4, 5, 6
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit
für einen Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen
Gehäusetemperatur t ;
der angegebenen Gehäusetemperatur t ,
C
DRM
C
Vorwärts-Sperrspannung V
£ 0,67 V
;
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V ,
DRM
DM
DM
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstaben,
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstabe,
q
q
Spannungssteilheit dv /dt gemäß 6. Kennbuchstaben.
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.
D
Ausschaltverlustleistung:
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f = 50 Hz...0,4 kHz für dv /dt £ 600 V/µs
0
R
_______
Betrieb mit antiparalleler Diode oder
und Anstieg auf v
RM
£ 0,67 V
RRM;
dv /dt £ 100 V/µs bei Anstieg auf v
R
£ 50 V.
R
RM
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f ³ 1 kHz. Diese Kurven gelten
0
_ _ _ _ _
dv /dt £ 600 V/µs und Anstieg auf v
= 0,67 V
RM RRM
.
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv /dt £ 100 V/µs und
R
Anstieg auf V
£ 50 V.
RM
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature t ,
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature t
C
C,
forward off-state voltage v
£ 0.67 V
,
DM
DRM
forward off-state voltage v
£ 0,67 V ,
DM
DRM
circuit commutated turn-off t according to 5th code letter,
q
circuit commutated turn-off time t according to 5th code letter,
q
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
rate of rise of voltage dv /dt according to 6th code letter.
D
Turn-of losses:
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
_______
- taken into account for operation at f = 50 Hz to 0.4 kHz for dv /dt £ 600V/µs
Operation with inverse paralleled diod or
0
R
and rise up to v
£ 0.67 V
;
dv /dt £ 100 V/µs rising up to v
£ 50 V.
= 0.67 V
RM
RRM
R
RM
RM
_ _ _ _ _
- not taken into account for operation at f ³ 1 kHz. But the curves are valid for
dv /dt £ 600 V/µs rising up to v
.
RRM
0
R
operation with inverse paralleled diode or dv /dt £ 100 V/µs and rise up to
R
v
RM
£ 50 V.
i
i
RC-Glied/RC network:
RC-Glied/RC network:
-di /dt
T
.
.
v
i
i
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
R[W] ³ 0,02
DM [V]
TM
TM
R
C
R
t
t
C
£ 0,15µF
C £ 0,22µF
+di/dt
_
T
t
p
C
2
_
1
f0
_
1
f0
T=
T=
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
i
G
G
a
a
TT 71 F
3
2
3
2
± di /dt = 25 A/µs
± di /dt = 25 A/µs
T
T
1
4
2
6
10
1
2
4
6
10
W
[Ws]
W
[Ws]
0,6
0,6
tot
tot
i
i
0,4
0,2
0,4
TM
TM
3
3
1 0
10
[A]
[A]
8
6
8
6
0,2
0,1
4
4
0,1
0,06
2
2
2
2
0,04
0,03
0,02
0,06
0,04
1 0
10
8
8
0,015
6
6
0,03
0,01
TT 71 F/7
1
4
3
4
3 TT
3
71 F/10
3
2
± di /dt = 50 A/µs
± di /dt = 50 A/µs
T
T
1
2
2
4
10
4
6
6
10
2
W
[Ws]
W
[Ws]
tot
tot
i
i
0,6
0,4
0,2
TM
TM
0,6
0,4
3
3
10
[A]
1 0
[A]
8
6
8
6
0,2
4
4
0,15
0,1
2
2
2
2
0,1
0,06
0,08
0,06
0,04
0,03
10
1 0
8
6
8
6
0,02
0105,
0,05
0,04
4
3
4
3
TT 71 F/8
3 TT
71 F/11
2
3
± di /dt = 100 A/µs
± di /dt = 100 A/µs
T
T
2
4
6
10
4
6
10
2
2
W
[Ws]
W
[Ws]
tot
tot
i
i
1
TM
1 0
1
TM
3
3
1 0
[A]
0,6
0,4
[A]
8
6
8
6
0,6
0,4
0,3
4
4
0,2
0,2
0,1
2
2
2
2
0,15
0,06
0,1
0,04
0,03
1 0
1 0
8
6
8
6
0,08
0,02
0,015
0,06
4
3
4
3
40 60
100
200
µs
6
1 0
4 0
400 600
1
2
4
60
100
200
µs
400 600
1
2
4
t
6
10
ms
ms
TT 71 F/9
t
w
TT 71 F/12
w
Bild / Fig. 7, 8, 9
Bild / Fig. 10, 11, 12
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen
tot
tot
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,
T
T
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V
,
Vorwärts-Sperrspannung v
£ 0,67 V ,
DRM
DM
Rückwärts-Sperrspannung v
DRM
DM
Rückwärts-Sperrspannung v
£ 50V,
£ 0,67V
,
RRM
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 100 V/µs.
RM
Spannungssteilheit dv /dt £ 600 V/µs.
R
R
Diagram for the determination of the total energy W for a
tot
Diagram for the determination of the total energy W for a
tot
trapezoidal current pulse for one arm at:
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di /dt,
given rate of rise of on-state current di /dt,
T
T
forward off-state voltage v
£ 0,67 V
,
forward off-state voltage v
DM
£ 0,67 V
,
DM
RM
DRM
DRM
maximum reverse voltage v
£ 50 V,
maximum reverse voltage v
£ 0.67 V
,
RM
RRM
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 100 V/µs.
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 600 V/µs.
R
R
i
i
T
T
i
i
R
C
R
C
TM
TM
-di /dt
-di /dt
di /dt
T
di /dt
T
T
T
t
t
t
t
w
w
RC-Glied/RC network:
.
RC-Glied/RC network:
.
Steuergenerator/Pulse generator:
i = 0,6 A, t = 1µs
G
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
R[W] ³ 0,02
v
DM [V]
i
R[W] ³ 0,02
vDM [V]
a
G
a
C
£ 0,22µF
C
£ 0,22µF
TT 71 F
10k
3000
6000
2
4
10
6
W
[Ws]
P
+ PT [kW]
tot
TT
40
1
0,6
i
i
T
TM
1000
[A]
20
10
0,4
200
0
[A]
100
0
6
0,2
4
600
2
600
0,1
0,06
400
200
1
0,6
400
200
100
0,04
0,4
0,2
0,1
0,02
0,01
60
40
100
60
5
0,06
0,04
mWs
4
3
20
10
mWs
0,02
40
30
40 60
100
200
µs
400 600
1
2
4
6
1 0
2
4
1
6
10
20
40 60 100
200
400 600 1ms
t [µs]
TT 71 F/13
ms
TT 71 F/14
t
p
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-
leistung (P + P ) je Zweig.
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen sinusförmigen
tot
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.
TT
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P + P ).
T
Diagram for the determination of the total energy W for a sinusoidal
tot
on-state current pulse for one arm.
TT
T
RC-Glied/RC network:
i
Lastkreis/load circuit:
T
.
vDM [V]
v
v
£ 0,67 V
DRM
R[W] ³ 0,02
DM
RM
i
R
C
TM
£
50 V
C
£ 0,15µF
dv /dt £ 100 V/µs
R
t
p
t
Steuergenerator/Pulse generator:
= 0,6 A, t = 1µs
i
G
a
30
20
100
60
v
10
8
t
gd
G
20
c
[V]
b
[µs]
6
a
10
4
2
6
4
2
1
0,8
0,6
a
1
0,6
0,4
0,4
b
0,2
0,1
0,2
0,1
600
600
10
20
40 60 100
mA
200
400
1
2
4
6
10
10
20
40 60 100
mA
200
400
1
2
4
6
10
A
A
i
i
G
TT 71 F/15
TT 71 F/16
G
Bild / Fig. 15
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time t
,
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
gd
DIN 41787, t = 1 µs, t = 25°C.
a
vj
areas, v = f(i ), v = 6 V
G
G
D
a - außerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
Parameter:
a
b
c
____________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t [ms] 10
1
0,5
______________________________g______________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W]
20
40
60
____________________________________________________
i
TM = 500 A
600
[µAs]
Q
200 A
r
500
400
300
200
100
100 A
50 A
20 A
10 A
150
- di /dt [A/µs]
0
50
100
200
T
TT 71 F/17
Bild / Fig. 17
Sperrverzögerungsladung Q = f(di/dt)
r
t
= t
, v = 0,5 V
, v
= 0,8 V
vj
vj max
R
RRM RM
RRM
RRM
Parameter: Durchlaßstrom I
TM
Recovert charge Q = f(di/dt)
/
r
t
= t
vj max
, vR = 0,5 V
, v
RRM RM
= 0,8 V
vj
Parameter: on-state current I
TM
TT 71 F
0,440
0,480
0,400
0,440
[°C/W]
[°C/W]
thJC
0,360
0,320
0,280
Z
Z
0
q
thJC
0
q
0,320
0,280
0,240
0,200
0,160
0,120
q =
0,240
0,200
0,160
0,120
0,080
30°
q =
30°
60°
90°
60°
120°
180°
90°
120°
180°
0,080
0,040
0
0,040
0
DC
-3
2
0
1
-2
-1
-2
-1
10
0
1
2
2
4 6 810
10
2
4 6 810
2
4
6 810
2
4
6 810
2
4 6 810
4
2
3 4 6 810
2
3
4
6 810
10
2
3 4 6 8
2
3
6 810
TT 71 F16/19
TT 71 F15.1/18
t [s]
t [s]
Bild / Fig. 19
Bild / Fig. 18
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z
.
(th)JC
Transient thermal impedance, junction zo case, per arm Z
(th)JC
,junction to case.
.
Transient thermal impedance per arm Z
(th)JC
(th)JC
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
pro Zweig für DC
per arm for DC
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
[°C/W]
1
2
3
4
5
6
7
R
0,002
0,028
0,076
0,085
0,095
0,399
0,083
2,68
thn
t
[s]
0,00031 0,00314
n
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
t
-
t n
)
Z
=
R
(1-e
thn
thJC
S
n=1
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
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Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in
Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For
those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.
Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
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SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
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