首页 |元器件品牌

DT71F10KFC-K [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element;
DT71F10KFC-K
型号： DT71F10KFC-K
厂家： Infineon    Infineon
描述：

Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element

局域网 栅 栅极
文件： 总6页 (文件大小：239K)
中文：  中文翻译
下载：  下载PDF数据表文档文件
 查看货源
European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
Marketing Information  
TT 71 F  
screwing depth  
max. 12  
fillister head screw  
M6x15 Z4-1  
plug  
A 2,8 x 0,8  
III  
II  
I
14  
G2  
K2  
K1  
G1  
15  
25  
25  
13,3 5  
80  
94  
AK  
K
A
K1 G1  
K2 G2  
VWK Febr. 1997  
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F  
Elektrische Eigenschaften  
Höchstzulässige Werte  
Electrical properties  
Maximum rated values  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts- repetitive peak forward off-state and tvj = -40°C...tvj max  
VDRM, VRRM 800 1000 1100 1200  
V
Spitzensperrspannung  
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
reverse voltages  
non-repetitive peak forward off-state tvj = -40°C...tvj max  
1300 1400  
VDSM = VDRM  
voltage  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage  
tvj = +25°C...tvj max  
VRSM = VRRM  
ITRMSM  
+ 100  
180  
V
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
Dauergrenzstrom  
RMS on-state current  
average on-state current  
tc = 85°C  
ITAVM  
71  
A
tc = 50°C  
115  
A
Stoßstrom-Grenzwert  
Grenzlastintegral  
surge current  
tvj = 25°C, tp = 10 ms  
tvj = tvj max, tp = 10 ms  
tvj = 25°C, tp = 10 ms  
tvj = tvj max, tp = 10 ms  
ITSM  
2400  
2100  
28800  
22000  
A
A
òi2dt-value  
òi2dt  
A2s  
A2s  
Kritische Stromsteilheit  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of on-state current vD £ 67%, VDRM, fo = 50 Hz  
IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs  
(di/dt)cr  
(dv/dt)cr  
160 A/µs  
1)  
2)  
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, VD = 0,67 VDRM  
6.Kennbuchstabe/6th letter B  
50  
500  
50 V/µs  
500 V/µs  
50 V/µs  
500 V/µs  
6.Kennbuchstabe/6th letter C  
6.Kennbuchstabe/6th letter L  
500  
6.Kennbuchstabe/6th letter M  
1000  
Charakteristische Werte  
Durchlaßspannung  
Schleusenspannung  
Ersatzwiderstand  
Characteristic values  
on-state voltage  
tvj = tvj max, iT = 350 A  
tvj = tvj max  
vT  
max. 2,6  
V
V
threshold voltage  
slope resistance  
VT(TO)  
rT  
1,3  
3,1  
tvj = tvj max  
mW  
mA  
V
Zündstrom  
gate trigger current  
gate trigger voltage  
gate non-trigger current  
gate non-trigger voltage  
holding current  
tvj = 25 °C, vD = 6 V  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
max. 150  
max. 2  
Zündspannung  
tvj = 25 °C, vD = 6 V  
Nicht zündender Steuerstrom  
Nicht zündende Steuerspannung  
Haltestrom  
tvj = tvj max, vD = 6 V  
max. 10  
max. 0,25  
max. 250  
max. 1  
mA  
V
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM  
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10 W  
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20 W  
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 10 µs  
mA  
A
Einraststrom  
latching current  
IL  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD=VDRM, vR = VRRM  
iD, iR  
max. 30  
mA  
Zündverzug  
gate controlled delay time  
tvj=25°C, IGM=0,6 A,diG/dt =0,6 A/µs  
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.  
tgd  
tq  
max. 1,4  
µs  
µs  
Freiwerdezeit  
circuit commutated turn-off time  
S: max. 18  
E: max. 20  
F: max. 25  
3
µs  
µs  
kV  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
RMS, f = 50 Hz, 1 min.  
VISOL  
Thermische Eigenschaften  
Thermal properties  
thermal resistance, junction  
to case  
Innerer Wärmewiderstand  
Q =180° el,sinus: pro Modul/per module RthJC  
max. 0,15 °C/W  
pro Zweig/per arm  
max. 0,03 °C/W  
max. 0,142 °C/W  
max. 0,284 °C/W  
max. 0,03 °C/W  
DC:  
pro Modul/per module  
pro Zweig/per arm  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module  
RthCK  
pro Zweig/per arm  
max. junction temperature  
max. 0,06 °C/W  
Höchstzul.Sperrschichttemperatur  
Betriebstemperatur  
tvj max  
tc op  
tstg  
125  
-40...+125  
-40...+130  
°C  
°C  
°C  
operating temperature  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Mechanische Eigenschaften  
Mechanical properties  
Si-Elemente mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Innere Isolation  
Anzugsdrehmomente für mechanische mounting torque  
internal insulation  
AIN  
6
Toleranz/tolerance ± 15%  
M1  
M2  
Nm  
Nm  
Befestigung  
Anzugsdrehmoment für elektrische terminal connection torque  
Toleranz/tolerance +5%/-10%  
6
Anschlüsse  
Gewicht  
weight  
G
typ. 430  
14  
g
Kriechstrecke  
Schwingfestigkeit  
creepage distance  
vibration resistance  
outline  
mm  
f = 50 Hz  
5 . 9,81 m/s²  
1
Maßbild  
1)  
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)  
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time  
2)  
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei V RRM £ 800 V und DD 121 S bei VRRM £ 1000 V  
For data of the diode refer to DD 122 S at V RRM £ 800 V and DD 121 S at VRRM £ 1000 V  
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.  
TT 71 F, TD 71 F, DT 71 F can also be supplied with common or common cathode  
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.  
TT 71 F  
3
2
300  
t
= 60°C  
C
f
[kHz]  
Parameter: f [kHz]  
50...400Hz  
0,4  
50 Hz  
1
0
0
200  
150  
i
i
TM  
TM  
3
10  
1
2
[A]  
[A]  
8
6
3
4
100  
80  
2
1
0,4  
0,1 50 Hz  
0,25  
2
5
3
2
2
5
60  
50  
10  
3
8
6
40  
5
t
= 60°C  
4
c
3
71 F/1  
3 TT  
300 TT 71 F/4  
t
= 80°C  
C
2
Parameter: f [kHz]  
0
200  
150  
i
TM  
i
TM  
3
f
[kHz]  
50...400Hz  
50 Hz  
10  
0
[A]  
[A]  
8
6
1
0,4  
2
4
100  
80  
1
0,25  
1
0,4  
0,1 50 Hz  
3
2
2
2
3
5
2
5
60  
50  
10  
8
6
40  
3
5
t
= 80°C  
c
4
30TT 71 F/5  
300  
3 TT  
3
71 F/2  
t
= 100°C  
C
2
Parameter: f [kHz]  
0
i
200  
150  
TM  
1 0  
i
TM  
3
[A]  
[A]  
8
6
f
[kHz]  
50...400Hz  
50 Hz  
4
0
100  
80  
1
0,4  
2
2
2
1
0,1  
0,4  
0,25  
50 Hz  
2
60  
50  
3
3
1 0  
1
8
5
6
40  
5
t
= 100°C  
6
4
3
c
3
2
30  
4 0 60  
100  
200  
µs  
6
1 0  
400 600  
1
2
4
t
5
8
10  
20  
40  
60  
80 100  
ms  
TT 71 F/6  
± di /dt [A/µs]  
T
TT 71 F/3  
p
Bild / Fig. 1, 2, 3  
Bild / Fig. 4, 5, 6  
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-  
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,  
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit  
für einen Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen  
Gehäusetemperatur t ;  
der angegebenen Gehäusetemperatur t ,  
C
DRM  
C
Vorwärts-Sperrspannung V  
£ 0,67 V  
;
Vorwärts-Sperrspannung v  
£ 0,67 V ,  
DRM  
DM  
DM  
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstaben,  
Freiwerdezeit t gemäß 5. Kennbuchstabe,  
q
q
Spannungssteilheit dv /dt gemäß 6. Kennbuchstaben.  
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.  
D
Ausschaltverlustleistung:  
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:  
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f = 50 Hz...0,4 kHz für dv /dt £ 600 V/µs  
0
R
_______  
Betrieb mit antiparalleler Diode oder  
und Anstieg auf v  
RM  
£ 0,67 V  
RRM;  
dv /dt £ 100 V/µs bei Anstieg auf v  
R
£ 50 V.  
R
RM  
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f ³ 1 kHz. Diese Kurven gelten  
0
_ _ _ _ _  
dv /dt £ 600 V/µs und Anstieg auf v  
= 0,67 V  
RM RRM  
.
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv /dt £ 100 V/µs und  
R
Anstieg auf V  
£ 50 V.  
RM  
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:  
trapezoidal current waveform, given case temperature t ,  
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:  
sinusoidal current waveform, given case temperature t  
C
C,  
forward off-state voltage v  
£ 0.67 V  
,
DM  
DRM  
forward off-state voltage v  
£ 0,67 V ,  
DM  
DRM  
circuit commutated turn-off t according to 5th code letter,  
q
circuit commutated turn-off time t according to 5th code letter,  
q
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.  
rate of rise of voltage dv /dt according to 6th code letter.  
D
Turn-of losses:  
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:  
_______  
- taken into account for operation at f = 50 Hz to 0.4 kHz for dv /dt £ 600V/µs  
Operation with inverse paralleled diod or  
0
R
and rise up to v  
£ 0.67 V  
;
dv /dt £ 100 V/µs rising up to v  
£ 50 V.  
= 0.67 V  
RM  
RRM  
R
RM  
RM  
_ _ _ _ _  
- not taken into account for operation at f ³ 1 kHz. But the curves are valid for  
dv /dt £ 600 V/µs rising up to v  
.
RRM  
0
R
operation with inverse paralleled diode or dv /dt £ 100 V/µs and rise up to  
R
v
RM  
£ 50 V.  
i
i
RC-Glied/RC network:  
RC-Glied/RC network:  
-di /dt  
T
.
.
v
i
i
R[W] ³ 0,02  
v
DM [V]  
R[W] ³ 0,02  
DM [V]  
TM  
TM  
R
C
R
t
t
C
£ 0,15µF  
C £ 0,22µF  
+di/dt  
_
T
t
p
C
2
_
1
f0  
_
1
f0  
T=  
T=  
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]  
Repetition rate f0 [kHz]  
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]  
Repetition rate f0 [kHz]  
Steuergenerator/Pulse generator:  
= 0,6 A, t = 1µs  
Steuergenerator/Pulse generator:  
= 0,6 A, t = 1µs  
i
i
G
G
a
a
TT 71 F  
3
2
3
2
± di /dt = 25 A/µs  
± di /dt = 25 A/µs  
T
T
1
4
2
6
10  
1
2
4
6
10  
W
[Ws]  
W
[Ws]  
0,6  
0,6  
tot  
tot  
i
i
0,4  
0,2  
0,4  
TM  
TM  
3
3
1 0  
10  
[A]  
[A]  
8
6
8
6
0,2  
0,1  
4
4
0,1  
0,06  
2
2
2
2
0,04  
0,03  
0,02  
0,06  
0,04  
1 0  
10  
8
8
0,015  
6
6
0,03  
0,01  
TT 71 F/7  
1
4
3
4
3 TT  
3
71 F/10  
3
2
± di /dt = 50 A/µs  
± di /dt = 50 A/µs  
T
T
1
2
2
4
10  
4
6
6
10  
2
W
[Ws]  
W
[Ws]  
tot  
tot  
i
i
0,6  
0,4  
0,2  
TM  
TM  
0,6  
0,4  
3
3
10  
[A]  
1 0  
[A]  
8
6
8
6
0,2  
4
4
0,15  
0,1  
2
2
2
2
0,1  
0,06  
0,08  
0,06  
0,04  
0,03  
10  
1 0  
8
6
8
6
0,02  
0105,  
0,05  
0,04  
4
3
4
3
TT 71 F/8  
3 TT  
71 F/11  
2
3
± di /dt = 100 A/µs  
± di /dt = 100 A/µs  
T
T
2
4
6
10  
4
6
10  
2
2
W
[Ws]  
W
[Ws]  
tot  
tot  
i
i
1
TM  
1 0  
1
TM  
3
3
1 0  
[A]  
0,6  
0,4  
[A]  
8
6
8
6
0,6  
0,4  
0,3  
4
4
0,2  
0,2  
0,1  
2
2
2
2
0,15  
0,06  
0,1  
0,04  
0,03  
1 0  
1 0  
8
6
8
6
0,08  
0,02  
0,015  
0,06  
4
3
4
3
40 60  
100  
200  
µs  
6
1 0  
4 0  
400 600  
1
2
4
60  
100  
200  
µs  
400 600  
1
2
4
t
6
10  
ms  
ms  
TT 71 F/9  
t
w
TT 71 F/12  
w
Bild / Fig. 7, 8, 9  
Bild / Fig. 10, 11, 12  
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen  
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen trapezförmigen  
tot  
tot  
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:  
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:  
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,  
der angegebenen Stromsteilheit di /dt,  
T
T
Vorwärts-Sperrspannung v  
£ 0,67 V  
,
Vorwärts-Sperrspannung v  
£ 0,67 V ,  
DRM  
DM  
Rückwärts-Sperrspannung v  
DRM  
DM  
Rückwärts-Sperrspannung v  
£ 50V,  
£ 0,67V  
,
RRM  
RM  
Spannungssteilheit dv /dt £ 100 V/µs.  
RM  
Spannungssteilheit dv /dt £ 600 V/µs.  
R
R
Diagram for the determination of the total energy W for a  
tot  
Diagram for the determination of the total energy W for a  
tot  
trapezoidal current pulse for one arm at:  
trapezoidal current pulse for one arm at:  
given rate of rise of on-state current di /dt,  
given rate of rise of on-state current di /dt,  
T
T
forward off-state voltage v  
£ 0,67 V  
,
forward off-state voltage v  
DM  
£ 0,67 V  
,
DM  
RM  
DRM  
DRM  
maximum reverse voltage v  
£ 50 V,  
maximum reverse voltage v  
£ 0.67 V  
,
RM  
RRM  
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 100 V/µs.  
rate of rise of off-state voltage dv /dt £ 600 V/µs.  
R
R
i
i
T
T
i
i
R
C
R
C
TM  
TM  
-di /dt  
-di /dt  
di /dt  
T
di /dt  
T
T
T
t
t
t
t
w
w
RC-Glied/RC network:  
.
RC-Glied/RC network:  
.
Steuergenerator/Pulse generator:  
i = 0,6 A, t = 1µs  
G
Steuergenerator/Pulse generator:  
= 0,6 A, t = 1µs  
R[W] ³ 0,02  
v
DM [V]  
i
R[W] ³ 0,02  
vDM [V]  
a
G
a
C
£ 0,22µF  
C
£ 0,22µF  
TT 71 F  
10k  
3000  
6000  
2
4
10  
6
W
[Ws]  
P
+ PT [kW]  
tot  
TT  
40  
1
0,6  
i
i
T
TM  
1000  
[A]  
20  
10  
0,4  
200  
0
[A]  
100  
0
6
0,2  
4
600  
2
600  
0,1  
0,06  
400  
200  
1
0,6  
400  
200  
100  
0,04  
0,4  
0,2  
0,1  
0,02  
0,01  
60  
40  
100  
60  
5
0,06  
0,04  
mWs  
4
3
20  
10  
mWs  
0,02  
40  
30  
40 60  
100  
200  
µs  
400 600  
1
2
4
6
1 0  
2
4
1
6
10  
20  
40 60 100  
200  
400 600 1ms  
t [µs]  
TT 71 F/13  
ms  
TT 71 F/14  
t
p
Bild / Fig. 13  
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-  
leistung (P + P ) je Zweig.  
Bild / Fig. 14  
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W für einen sinusförmigen  
tot  
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.  
TT  
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power  
loss per arm (P + P ).  
T
Diagram for the determination of the total energy W for a sinusoidal  
tot  
on-state current pulse for one arm.  
TT  
T
RC-Glied/RC network:  
i
Lastkreis/load circuit:  
T
.
vDM [V]  
v
v
£ 0,67 V  
DRM  
R[W] ³ 0,02  
DM  
RM  
i
R
C
TM  
£
50 V  
C
£ 0,15µF  
dv /dt £ 100 V/µs  
R
t
p
t
Steuergenerator/Pulse generator:  
= 0,6 A, t = 1µs  
i
G
a
30  
20  
100  
60  
v
10  
8
t
gd  
G
20  
c
[V]  
b
[µs]  
6
a
10  
4
2
6
4
2
1
0,8  
0,6  
a
1
0,6  
0,4  
0,4  
b
0,2  
0,1  
0,2  
0,1  
600  
600  
10  
20  
40 60 100  
mA  
200  
400  
1
2
4
6
10  
10  
20  
40 60 100  
mA  
200  
400  
1
2
4
6
10  
A
A
i
i
G
TT 71 F/15  
TT 71 F/16  
G
Bild / Fig. 15  
Bild / Fig. 16  
Zündverzug/Gate controlled delay time t  
,
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering  
gd  
DIN 41787, t = 1 µs, t = 25°C.  
a
vj  
areas, v = f(i ), v = 6 V  
G
G
D
a - außerster Verlauf/limiting characteristic  
b - typischer Verlauf/typical charcteristic  
Parameter:  
a
b
c
____________________________________________________  
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t [ms] 10  
1
0,5  
______________________________g______________________  
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/  
Maximum allowable peak gate power [W]  
20  
40  
60  
____________________________________________________  
i
TM = 500 A  
600  
[µAs]  
Q
200 A  
r
500  
400  
300  
200  
100  
100 A  
50 A  
20 A  
10 A  
150  
- di /dt [A/µs]  
0
50  
100  
200  
T
TT 71 F/17  
Bild / Fig. 17  
Sperrverzögerungsladung Q = f(di/dt)  
r
t
= t  
, v = 0,5 V  
, v  
= 0,8 V  
vj  
vj max  
R
RRM RM  
RRM  
RRM  
Parameter: Durchlaßstrom I  
TM  
Recovert charge Q = f(di/dt)  
/
r
t
= t  
vj max  
, vR = 0,5 V  
, v  
RRM RM  
= 0,8 V  
vj  
Parameter: on-state current I  
TM  
TT 71 F  
0,440  
0,480  
0,400  
0,440  
[°C/W]  
[°C/W]  
thJC  
0,360  
0,320  
0,280  
Z
Z
0
q
thJC  
0
q
0,320  
0,280  
0,240  
0,200  
0,160  
0,120  
q =  
0,240  
0,200  
0,160  
0,120  
0,080  
30°  
q =  
30°  
60°  
90°  
60°  
120°  
180°  
90°  
120°  
180°  
0,080  
0,040  
0
0,040  
0
DC  
-3  
2
0
1
-2  
-1  
-2  
-1  
10  
0
1
2
2
4 6 810  
10  
2
4 6 810  
2
4
6 810  
2
4
6 810  
2
4 6 810  
4
2
3 4 6 810  
2
3
4
6 810  
10  
2
3 4 6 8  
2
3
6 810  
TT 71 F16/19  
TT 71 F15.1/18  
t [s]  
t [s]  
Bild / Fig. 19  
Bild / Fig. 18  
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z  
.
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z  
.
(th)JC  
Transient thermal impedance, junction zo case, per arm Z  
(th)JC  
,junction to case.  
.
Transient thermal impedance per arm Z  
(th)JC  
(th)JC  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z  
pro Zweig für DC  
per arm for DC  
thJC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z  
thJC  
Pos. n  
[°C/W]  
1
2
3
4
5
6
7
R
0,002  
0,028  
0,076  
0,085  
0,095  
0,399  
0,083  
2,68  
thn  
t
[s]  
0,00031 0,00314  
n
Analytische Funktion / Analytical function:  
n
max  
t
-
t n  
)
Z
=
R
(1-e  
thn  
thJC  
S
n=1  

相关型号：

DT71F10KSB

 Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
INFINEON

DT71F10KSC

 Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T), 1000V V(RRM)
INFINEON

DT71F10KSC-K

 Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T), 1000V V(RRM)
INFINEON

DT71F10KSL

 Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T), 1000V V(RRM)
INFINEON

DT71F10KSL-A

 Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T), 1000V V(RRM)
INFINEON

DT71F10KSM

 Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T), 1000V V(RRM)
INFINEON

DT71F11KEB

 Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T)
INFINEON

DT71F11KEC

 Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T)
INFINEON

DT71F11KEC-K

 Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T)
INFINEON

DT71F11KEL

 Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
INFINEON

DT71F11KEM-K

 Silicon Controlled Rectifier, 71000mA I(T)
INFINEON

DT71F11KFB-A

 Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element
INFINEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明